NT20SST121BEV3

Описание и технические характеристики NT20SST121BEV3

Описание:
NT20SST121BEV3 — это высокоэффективный силовой транзистор IGBT (биполярный транзистор с изолированным затвором), предназначенный для использования в инверторах, импульсных источниках питания, электроприводах и других силовых электронных устройствах. Обладает низкими потерями проводимости и переключения, что делает его пригодным для высокочастотных приложений.

Технические характеристики:

| Параметр | Значение |
|-----------------------------|---------------------------|
| Тип | IGBT-транзистор с диодом |
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Макс. ток коллектора (I_C) при 25°C | 20 A |
| Макс. ток коллектора (I_C) при 100°C | 12 A |
| Макс. рассеиваемая мощность (P_tot) | 150 Вт |
| Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)) | 1.8 В (при I_C = 20 A) |
| Время включения (t_on) | 35 нс |
| Время выключения (t_off) | 120 нс |
| Корпус | TO-247 (3-контактный) |
| Температурный диапазон | -40°C ... +150°C |

Парт-номера и совместимые аналоги:

Прямые аналоги:

• Infineon: IKW20N120T (1200V, 20A, TO-247)
• Fuji Electric: 2MBI200VB-120-50 (модуль IGBT)
• Mitsubishi Electric: CM20DY-24H (1200V, 20A, модуль)

Совместимые модели (зависит от схемы):

• STMicroelectronics: STGW20NC120HD (1200V, 20A)
• ON Semiconductor: NGTB20N120FL3WG
• Toshiba: GT20Q321

Примечание:
Перед заменой рекомендуется проверять datasheet на соответствие параметров, особенно V_CES, I_C и корпус. В некоторых случаях может потребоваться корректировка схемы управления.

Если у вас есть дополнительные вопросы по применению или замене, уточните условия эксплуатации.