NEC801KD

Описание

NEC801KD – это высокопроизводительный N-канальный MOSFET транзистор, предназначенный для мощных импульсных и линейных приложений. Он обладает низким сопротивлением в открытом состоянии (RDS(on)) и высокой скоростью переключения, что делает его идеальным для:

• Импульсных источников питания (SMPS),
• DC-DC преобразователей,
• Управления двигателями,
• Инверторов и других силовых электронных устройств.

Корпус TO-252 (DPAK) обеспечивает эффективный теплоотвод, а максимальное напряжение сток-исток (VDS) позволяет использовать его в схемах с высоким напряжением.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип транзистора | N-канальный MOSFET |
| Макс. напряжение сток-исток (VDS) | 60 В |
| Макс. ток стока (ID) | 80 А |
| Макс. импульсный ток (IDM) | 320 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) | 0,008 Ом (при VGS=10 В) |
| Пороговое напряжение затвора (VGS(th)) | 2-4 В |
| Макс. мощность рассеивания (PD) | 100 Вт |
| Тип корпуса | TO-252 (DPAK) |
| Диапазон рабочих температур | -55°C до +175°C |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены (кросс-ссылки):

• IRF3205 (International Rectifier) – похожий параметр, но с VDS=55 В.
• STP80NF55-06 (STMicroelectronics) – VDS=55 В, ID=80 А.
• FDP8878 (Fairchild/ON Semiconductor) – VDS=60 В, ID=80 А.
• AOD4184 (Alpha & Omega) – VDS=60 В, ID=84 А.

Парт-номера производителя NEC (Renesas):

• NEC801KD-T1 (вариант в корпусе DPAK).
• NEC801KD-G (версия с улучшенным теплоотводом).

Применение и совместимость

Транзистор NEC801KD может использоваться в схемах, где требуется управление высокими токами (например, в инверторах, драйверах двигателей). Совместим с аналогами от STMicroelectronics, Infineon, ON Semiconductor и других производителей с близкими параметрами.

Если вам нужен точный аналог, обратите внимание на VDS, ID и RDS(on) – они должны быть максимально близкими к оригиналу.

Если у вас есть дополнительные вопросы по замене или применению – спрашивайте!