H3BG-8H

Описание и технические характеристики H3BG-8H

H3BG-8H – это высоковольтный IGBT-транзистор, предназначенный для использования в мощных импульсных схемах, инверторах, сварочном оборудовании, системах управления электродвигателями и других силовых электронных устройствах.

Основные технические характеристики:

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип транзистора | N-канальный IGBT |
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В |
| Ток коллектора (I_C) | 8 А |
| Ток импульсный (I_CM) | 16 А |
| Мощность рассеивания (P_D) | 50 Вт |
| Напряжение затвор-эмиттер (V_GE) | ±20 В |
| Время включения (t_on) | 30 нс |
| Время выключения (t_off) | 80 нс |
| Тип корпуса | TO-220 или TO-220F (уточнять по даташиту) |
| Температура эксплуатации | -55°C до +150°C |

Совместимые модели и аналоги:

• IRGB4062DPBF (International Rectifier)
• FGA25N120ANTD (Fairchild/ON Semiconductor)
• H20R1202 (STMicroelectronics)
• GT8Q101 (Toshiba)

Парт-номера и OEM-замены:

• H3BG-8H (оригинальный номер)
• H3BG8H (альтернативное написание)
• H3BG-8H TO-220 (с указанием корпуса)

Применение:

• Инверторы и частотные преобразователи
• Сварочные аппараты
• Блоки питания высокой мощности
• Управление электродвигателями

Для точного подбора аналога рекомендуется проверять даташит производителя, так как параметры могут незначительно отличаться в зависимости от партии.

Если нужен конкретный аналог под ваше устройство – уточните модель платы или оборудования, где используется этот транзистор.