F10S50R

F10S50R – это высоковольтный MOSFET-транзистор, предназначенный для применения в импульсных источниках питания, инверторах и других силовых электронных устройствах.

Описание:

• Тип: N-канальный MOSFET
• Назначение: Высоковольтные и высокочастотные преобразователи, импульсные блоки питания (SMPS), резонансные схемы.
• Корпус: TO-220F (изолированный)
• Производитель: Fairchild Semiconductor (ON Semiconductor)

Технические характеристики:

| Параметр | Значение |
|-------------------------|----------------------------------|
| Напряжение сток-исток (V_DSS) | 500 В |
| Ток стока (I_D) | 10 А (при 25°C) |
| Максимальный импульсный ток (I_DM) | 40 А |
| Сопротивление канала (R_DS(on)) | 0.5 Ом (при V_GS = 10 В) |
| Пороговое напряжение (V_GS(th)) | 3–5 В |
| Рассеиваемая мощность (P_D) | 50 Вт |
| Температура перехода (T_j) | от -55°C до +150°C |
| Заряд затвора (Q_g) | ~30 нКл |

Парт-номера и аналоги:

• Оригинал: F10S50R (Fairchild/ON Semi)
• Полные аналоги:
  • STP10NK50ZFP (STMicroelectronics)
  • IRFPE50 (International Rectifier)
  • 2SK3562 (Toshiba)
  • 10N50 (разные производители)
• Частично совместимые:
  • FQP10N50C (ON Semi, TO-220)
  • IXFH10N50P (IXYS)

Совместимые модели и применение:

Транзистор используется в:

• ИБП (источники бесперебойного питания),
• Импульсные блоки питания (ATX, LED-драйверы),
• Инверторы и сварочные аппараты,
• DC-DC преобразователи.

Примечание: При замене на аналог важно учитывать параметры V_DSS, I_D и R_DS(on).

Если нужны дополнительные данные по конкретному применению, уточните!