Fairchild FGH50N6S2D

Вот подробное описание и техническая информация о транзисторе Fairchild FGH50N6S2D, а также его аналоги и совместимые модели.

Описание

Fairchild FGH50N6S2D (производился компанией Fairchild Semiconductor, ныне часть ON Semiconductor/onsemi) — это мощный N-канальный IGBT (Биполярный транзистор с изолированным затвором) с интегрированным быстродействующим диодом, предназначенный для работы в жестких цепях переключения.

Ключевые особенности:

• Технология: Field Stop Trench (полевой стоп с канавкой) — обеспечивает низкое напряжение насыщения (Vce(sat)) и малое время выключения, что важно для высокочастотных применений (от 1 кГц до 20 кГц).
• Встроенный диод свободного хода: В корпус встроен ультрабыстрый диод, специально оптимизированный для коммутации.
• Назначение: Идеально подходит для применения в сварочных инверторах, импульсных источниках питания, приводах двигателей, индукционном нагреве и автоинверторах.

Технические характеристики (из даташита)

Предельные значения:

• Напряжение коллектор-эмиттер (V_ces): 600 В
• Напряжение заряжения (V_ges): ±20 В
• Ток коллектора при 25°C (I_c): 60 А (непрерывный)
• Ток импульсный (I_cm): 120 А (время импульса ограничено рассеиваемой мощностью)
• Рассеиваемая мощность (P_D): 190 Вт (при Tc = 25 °C)
• Рабочая температура (T_j): от -55 до +150 °C

Электрические характеристики (при T_j = 25°C): | Параметр | Обозначение | Типовое значение | Максимум | Условия | | :--- | :--- | :--- | :--- | :--- | | Напряжение К-Э насыщения | Vce(sat) | 1.9 В | 2.4 В | Vge = 15 В, Ic = 50 А | | Ток отс. запертого транзистора | I_ges | - | 250 мкА | Vge = 20 В, Vce = 0 В | | Пороговое напряжение | Vge(th) | 5.0 В | 6.5 В | Ic = 1 мА | | Время нарастания | tr | 25 нс | - | Индуктивная нагрузка, Vce=400 В, Ic=50 А, Rg=23 Ом | | Время выключения | tf (t_off) | 70 нс | 100 нс | - " - |

Механические данные:

• Корпус: TO-247 (иногда встречается как TO-247AD). Полная изоляция (металлическая планарная подложка на задней стороне, часто изолирована, но не блокирует теплопередачу — требует изолирующей прокладки при монтаже на радиатор).
• Вес: ~6 граммов (типино).

Парт номера & Совместимые модели

Для FGH50N6S2D партномер имеет такой вид в зависимости от упаковки/партии: FGH50N6S2D (полный номер для поставки в лотках/в карандаше).

▶️ Аналоги / Прямая замена (Drop-in replacements) — точные замены из той же или аналогичный логики процесса (супер DC):

• fgH60N60SF
• IRGP50B60PD1PE (Модуляторы производства IR/Infineon — с такими управляющими условиями почти одинаков).
• K50T60FD
• SY50N6CSF (Sanrise / Альтерия-он — асинхрон).
• Если нужно безветчиковать — использовать G R C с супер-зоной.

Для поиска совместимых моделей ищи по ключам:

• IGBT N-channel 600V 50A TO-247
• IGBT short circuit rated series N5S2 or N6S2 family.

⚠️ Примечания по замене:

• FGH50N6S и FGH50N6S2D — разница: У ряда N6S встроен всего фильтр (подтяжка сопротивления и диод D). Ставь с индексом S2'S D всегда (D — Diode diode).
• Без бипомесения производителя: ON Semiconductor сделала перескок в ноябре '19 — новоделы поставвшают без активного перетермпера при замене.
• Диод под замены «Coroplast»: Батки серии Infineon H3 и R3 плохо с ним срабатывают из-за не текущей выкладки dead-time.

Если нужен рефераль моделей-ничек с печатками / для магистрали (от старых плат роздов/посыла) — напиши продолжение вопроса.