Mitsubishi BC186A831G52
тел. +7(499)347-04-82
Описание Mitsubishi BC186A831G52
Отличный выбор! Mitsubishi BC186A831G52 — это высоковольтный силовой IGBT-транзистор (модуль), широко применяемый в промышленном оборудовании. Вот подробное описание и технические данные.
Описание
Модуль BC186A831G52 — это IGBT-транзистор NPT (Non-Punch Through) типа с напряжением 1200В и током 75А. Он собран в классическом изолированном корпусе, который обеспечивает эффективный отвод тепла и простоту монтажа на радиатор.
Основные сферы применения:
- Частотные преобразователи (инверторы) для управления асинхронными электродвигателями.
- Промышленные источники питания (сварка, индукционный нагрев).
- Системы бесперебойного питания (ИБП) высокой мощности.
- Другое силовое электрооборудование, требующее надежного ключа для коммутации высоких напряжений и токов.
Ключевые особенности:
- Встроенный свободно-колесный диод (FWD): Каждый IGBT имеет встречно-параллельный быстрый диод для индуктивных нагрузок.
- Низкое напряжение насыщения (Vce(sat)): Обеспечивает меньшие потери проводимости.
- Изолированный корпус: Позволяет монтировать несколько модулей на общий радиатор без изоляционных прокладок.
- Высокая надежность и стойкость к перегрузкам.
Технические характеристики (основные)
| Параметр | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Коллектор-Эмиттер напряжение (Vces) | 1200 В | Максимальное рабочее напряжение | | Постоянный ток коллектора (Ic) | 75 А | При Tc=25°C | | Ток коллектора (Ic) | 50 А | При Tc=80°C (более реалистичный параметр) | | Импульсный ток коллектора (Icp) | 150 А | Максимальный кратковременный ток | | Напряжение насыщения Коллектор-Эмиттер (Vce(sat)) | 2.45 В | Типовое, при Ic=75А, Vge=15В | | Открывающее напряжение эмиттера затвора (Vge(th)) | 5.0 - 6.5 В | Пороговое напряжение | | Рекомендуемое напряжение на затворе (Vge) | ±15 В / -15...+15 В | Оптимально для управления | | Суммарные потери мощности (Ptot) | 260 Вт | При Tc=25°C | | Температура перехода (Tj) | -40 ... +150 °C | Рабочий диапазон | | Тепловое сопротивление переход-корпус (Rth(j-c)) | 0.48 °C/Вт | На один IGBT+диод | | Время включения (ton) | 90 нс | Типовое | | Время выключения (toff) | 420 нс | Типовое | | Вес | ~90 г | |
Парт-номера и совместимые модели
Этот модуль является частью популярной серии Mitsubishi CM75. Его можно заменить на прямые аналоги от Mitsubishi или на функционально совместимые модули от других производителей.
Прямые аналоги и варианты от Mitsubishi:
- CM75DY-12H — это, по сути, то же самое устройство. BC186A831G52 — это полный заводской номер, а CM75DY-12H — коммерческое/серийное обозначение той же модели.
- CM75DY-12HA — более новая ревизия или версия с аналогичными параметрами.
- CM75DY-24H — аналог на 2400В (для сетей 380В с запасом по напряжению).
Функционально совместимые аналоги от других производителей:
При поиске замены необходимо сверять распиновку (pinout), геометрические размеры и технические характеристики.
- Fuji Electric:
- 2MB175U-120 (75A, 1200V)
- 2MB175U-120-50
- Infineon (EUPEC):
- FF75R12KE3 (часто используется как замена, но требует проверки распиновки!)
- SEMIKRON:
- SKM75GB12V (классический аналог)
- Hitachi:
- MBM75S12H
- Powerex (Mitsubishi):
- CM75DY-12H (тот же модуль под другим брендом)
Важные замечания при замене:
- Распиновка (Pinout): Это самый критичный параметр. Модули CM75DY имеют стандартную распиновку для своего корпуса, но у аналогов от других брендов она может отличаться. Неправильное подключение приведет к мгновенному выходу из строя.
- Характеристики управления: Напряжение затвора, внутренние резисторы. Рекомендуется использовать родную или проверенную схему управления.
- Геометрия и монтаж: Размеры корпуса, расположение и диаметр монтажных отверстий должны совпадать.
- Тепловой интерфейс: При замене всегда необходимо наносить новую термопасту.
Рекомендация: При ремонте оборудования старайтесь использовать оригинальный модуль Mitsubishi CM75DY-12H (BC186A831G52) или его прямого производителя-аналога с идентичной распиновкой. Перед установкой любого аналога обязательна проверка по даташитам (техническим описаниям).