Emerson FSC2T50

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики и информация по совместимости для Emerson FSC2T50.

Общее описание

Emerson FSC2T50 — это высококачественный силовой транзистор IGBT (биполярный транзистор с изолированным затвором) в корпусе TO-3P(N). Он является частью популярной и проверенной временем серии FSC2 от Emerson (ранее известной как Fuji Electric).

Этот компонент предназначен для применения в силовой электронике, где требуются высокие токи и напряжения, а также надежное переключение. Благодаря внутренней защите от перенапряжений (снабберный диод) и высокой стойкости к короткому замыканию, он часто используется в качестве ключевого элемента в инверторах, частотных преобразователях, источниках бесперебойного питания (ИБП), сварочном оборудовании и системах управления электроприводами.

Технические характеристики (ТТХ)

• Тип: N-канальный IGBT с обратным диодом (Fast Recovery Diode)
• Корпус: TO-3P(N) (полностью изолированный, что упрощает монтаж на радиатор без изолирующих прокладок).
• Коллектор-Эмиттер напряжение (Vces): 500 В
• Постоянный ток коллектора (Ic @25°C): 50 А
• Ток коллектора (Ic @100°C): 25 А (важно учитывать при расчете теплоотвода)
• Импульсный ток коллектора (Icp): 100 А
• Напряжение насыщения Коллектор-Эмиттер (Vce(sat)): типично 2.0 В (при Ic=50A, Vge=15В)
• Напряжение на открытом диоде (Vf): типично 1.8 В (при If=50A)
• Входная емкость (Cies): ~ 4500 пФ
• Стойкость к короткому замыканию (SCWT): 10 мкс (минимальное время, которое транзистор может выдержать в режиме КЗ)
• Максимальная температура перехода (Tj): 150 °C
• Тепловое сопротивление переход-корпус (Rth(j-c)): 0.42 °C/Вт

Парт-номера (Part Numbers) и Аналоги

Один и тот же кристалл и технология часто используются под разными брендами и маркировками.

Прямые аналоги и парт-номера:

• Fuji Electric: 2MBI50N-050 (модуль на 50А/500В, но может быть аналогом по кристаллу). Для точного аналога в том же корпусе TO-3P нужно искать в старых каталогах Fuji.
• Fairchild / ON Semiconductor: HGTG50N60B3 (50А, 600В, TO-3P) — очень близкий по параметрам и часто используется как замена.
• International Rectifier (IR): IRG4PH50UD (45А, 600В, TO-247AC, требует проверки распиновки).
• Powerex (Mitsubishi): CM50DY-12H (IGBT-модуль) или поиск в серии CT50 в корпусе TO-3P.
• Toshiba: GT50J301 (50А, 600В, TO-3P).
• STMicroelectronics: STGW50H60DF (50А, 600В, TO-247, с диодом).

Важно: При замене всегда необходимо сверять:

1. Распиновку (pinout) корпуса TO-3P(N).
2. Напряжение Vces (500В у оригинала).
3. Насыщающее напряжение Vce(sat) и скорость переключения, так как они влияют на тепловыделение и КПД схемы.

Совместимые модели и оборудование (где часто применяется)

Транзистор FSC2T50 широко использовался в силовых блоках различного промышленного оборудования конца 1990-х — 2000-х годов.

Частотные преобразователи (инверторы) и сервоприводы:

• Delta Electronics: Серии VFD-xxx (например, VFD055B43A, VFD075B43A и аналогичные модели мощностью 3.7-7.5 кВт на 380В).
• Mitsubishi Electric: Старые серии FR-E500, FR-A500.
• Omron: 3G3JV и др.
• LG Industrial Systems (ныне LS Electric): Серия iG5/iS5.
• Китайские и тайваньские инверторы: Множество брендов (Veichi, INVT, Sunfar и др.) использовали аналогичные компоненты.

Источники бесперебойного питания (ИБП):

• Промышленные ИБП и онлайн-ИБП средней мощности (5-15 кВА), где IGBT используются в инверторе и корректоре коэффициента мощности (PFC).

Сварочное оборудование:

• Инверторные сварочные аппараты (MMA, MIG/MAG) промышленного класса.

Прочая промышленная электроника:

• Платы управления электродвигателями.
• Системы плавного пуска (софт-стартеры).
• Генераторы и стабилизаторы напряжения.

Рекомендация: Для точного определения замены в конкретном устройстве (например, в инверторе Delta VFD055B43A) лучше всего:

1. Искать сервис-мануал (service manual) или схему (schematic) для вашей конкретной модели.
2. Сравнивать электрические характеристики и геометрию корпуса предлагаемого аналога.
3. Менять транзисторы в одном плече моста (минимум парами, а лучше все сразу) для обеспечения симметричности параметров.