Infineon TZ310N20

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики и информация по совместимости для транзистора Infineon TZ310N20.

Общее описание

Infineon TZ310N20 — это мощный N-канальный MOSFET транзистор, выполненный по передовой технологии OptiMOS™ 5. Он предназначен для высокоэффективных и компактных решений в силовой электронике, где критически важны низкие потери на проводимость и переключение.

Ключевые особенности и применение:

• Основное назначение: Силовые ключи в импульсных источниках питания (SMPS), преобразователях постоянного тока (DC-DC), системах управления двигателями (например, в сервоприводах), солнечных инверторах и сварочном оборудовании.
• Технология OptiMOS™ 5: Обеспечивает исключительно низкое значение сопротивления открытого канала (RDS(on)) при заданной площади кристалла, что минимизирует потери на нагрев в открытом состоянии.
• Высокая эффективность переключения: Быстрая работа и низкие заряды затвора позволяют работать на высоких частотах, уменьшая габариты пассивных компонентов (дросселей, трансформаторов).
• Высокая надежность: Обладает высокой стойкостью к лавинным нагрузкам, что важно для работы в индуктивных цепях.
• Корпус: Выполнен в популярном и технологичном корпусе TO-247, обеспечивающем хороший отвод тепла через радиатор.

Технические характеристики (ТХ)

Основные электрические параметры (при Tj = 25°C, если не указано иное):

| Параметр | Обозначение | Значение | Условия | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Напряжение "сток-исток" | V_DSS | 200 В | Максимальное напряжение | | Непрерывный ток стока | I_D | 310 А | При T_c = 25°C | | Сопротивление открытого канала | R_DS(on) | ~1.7 мОм | Типовое, при V_GS = 10 В | | Пороговое напряжение затвора | V_GS(th) | 2.8 - 3.8 В | Типовое 3.3 В, I_D = 250 мкА | | Заряд затвора | Q_g | ~235 нКл | При V_GS = 10 В | | Входная емкость | C_iss | ~10400 пФ | | | Максимальная рассеиваемая мощность | P_tot | 625 Вт | При T_c = 25°C | | Температура перехода | T_j | от -55 до +175 °C | | | Крутизна | g_fs | ~120 См | |

Важные динамические параметры:

• Диод обратного восстановления: Имеет встроенный быстрый обратный диод (Body-Diode) с низким зарядом восстановления (Q_rr), что снижает потери при коммутации.

Парт-номера (Part Numbers) и аналоги

Официальный полный парт-номер обычно включает в себя информацию о корпусе и упаковке. Базовый номер — TZ310N20.

Возможные полные парт-номера Infineon:

• SPTZ310N20 (возможно, устаревшее обозначение)
• TZ310N20TKSA1 (где TKSA1 может указывать на тип корпуса/упаковки, например, TO-247, 3-pin, без изолирующей шайбы).
• Для точного заказа всегда проверяйте последний даташит или используйте поиск по базе дистрибьютора.

Совместимые и аналогичные модели от других производителей (Прямые или улучшенные аналоги):

Важно: При замене необходимо сверять не только ключевые параметры (V_DSS, I_D, R_DS(on)), но и динамические характеристики (Q_g, C_iss), а также цоколевку корпуса.

| Производитель | Модель-аналог | Примечания (ключевые отличия/сходства) | | :--- | :--- | :--- | | Vishay / Siliconix | SIR310N20 | Очень близкий аналог в корпусе TO-247, схожие параметры. | | ON Semiconductor | FDP310N20 | Мощный MOSFET с похожими характеристиками. | | STMicroelectronics | STW75N20 | Аналог с близкими параметрами, проверять R_DS(on) и Q_g. | | IXYS | IXTH75N20 | Мощный транзистор, возможен как аналог в некоторых схемах. | | NXP Semiconductors | Аналоги в линейке MOSFET на 200В | Необходим подбор по параметрам. |

Модели из более новых поколений (часто — улучшенные аналоги):

• Infineon OptiMOS™ 6 (200В): Модели серии IPPxxxN20N (например, IPP320N20N) имеют значительно лучшие показатели R_DS(on) и Q_g при сравнимом токе. Являются рекомендуемой заменой для новых разработок.
• Infineon StrongIRFET™: Модели серии IRFxxxN20 также могут быть функциональными аналогами.

Рекомендации по применению и замене

1. Проверка даташита: Перед заменой всегда изучайте официальный даташит (Datasheet) как на оригинал, так и на аналог. Особое внимание разделам с Electrical Characteristics и Typical Switching Characteristics.
2. Управление затвором: Из-за высокой входной емкости требуется драйвер с достаточной выходной токовой способностью для быстрого переключения, особенно на высоких частотах.
3. Теплоотвод: Корпус TO-247 требует обязательного монтажа на эффективный радиатор. Используйте термопасту и, при необходимости, изолирующую прокладку.
4. Паразитная индуктивность: Монтажные проводы и дорожки печатной платы должны быть максимально короткими для снижения паразитной индуктивности силовой цепи, которая может вызывать выбросы напряжения.

Где искать информацию:

• Официальный сайт Infineon (раздел "Products" -> "Power MOSFETs").
• Базы данных электронных компонентов: Octopart, LCSC, FindChips.
• Сайты крупных дистрибьюторов: Mouser, Digi-Key, Farnell, Chipdip.