Infineon TT92N12KOF

Конечно, вот подробное описание силового MOSFET-транзистора Infineon TT92N12KOF.

Описание

Infineon TT92N12KOF — это N-канальный мощный MOSFET-транзистор, выполненный по передовой технологии OptiMOS 5. Этот транзистор предназначен для применения в высокоэффективных импульсных источниках питания, мощных преобразователях постоянного тока (DC-DC), системах управления двигателями и других приложениях, где критически важны низкие потери на проводимость и переключение.

Ключевые особенности и преимущества:

• Высокая эффективность: Технология OptiMOS 5 обеспечивает исключительно низкое значение сопротивления канала в открытом состоянии (RDS(on)), что минимизирует проводящие потери и нагрев.
• Высокая скорость переключения: Благодаря низким динамическим параметрам (емкости, заряд затвора), транзистор может работать на высоких частотах, что позволяет уменьшить габариты пассивных компонентов (дросселей, конденсаторов) в конечном устройстве.
• Низкое энергопотребление: Низкий пороговый заряд затвора (Qg) упрощает задачу для драйвера и снижает потери на управление.
• Высокая надежность: Компонент обладает высокой стойкостью к лавинному пробою, что повышает надежность системы в тяжелых условиях работы.
• Пакет: Выполнен в популярном и технологичном корпусе TO-220, обеспечивающем удобный монтаж и эффективный отвод тепла через радиатор.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | Единица измерения | Примечание | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Структура | N-Channel | - | МОП-транзистор с обогащением канала | | Технология | OptiMOS 5 | - | | | Сток-Исток напряжение (VDS) | 120 | В (Вольт) | | | Непрерывный ток стока (ID) | 92 | А (Ампер) | При Tc = 25°C | | Сопротивление RDS(on) | 4.5 | мОм (миллиОм) | VGS = 10 В, ID = 46 А | | Максимальный импульсный ток (IDp) | 360 | А (Ампер) | | | Пороговое напряжение затвора (VGS(th)) | 2.4 - 3.0 | В (Вольт) | Тип. 2.7 В | | Заряд затвора (Qg) | 95 | нКл (наноКулон) | Типовое значение при VGS=10В | | Максимальная рассеиваемая мощность (PD) | 330 | Вт (Ватт) | При Tc = 25°C | | Корпус | TO-220 | - | Полностью изолированный (FullPAK) |

Парт-номера (Part Numbers) и Совместимые модели

TT92N12KOF является частью большого семейства компонентов. Указывать полный порядковый номер нужно с учетом упаковки (трубка, трей) и маркировки. Основной парт-номер: TT92N12KOFXKSA1.

При поиске аналога или замены необходимо обращать внимание на ключевые параметры: VDS (120В), ID (92А), RDS(on) (~4.5 мОм) и корпус (TO-220).

Прямые аналоги и совместимые модели от других производителей:

Найти полный и прямой аналог от другого бренда с идентичными характеристиками сложно, но следующие модели являются очень близкими по параметрам и могут рассматриваться как возможная замена после тщательного анализа даташитов и прикладных требований.

| Производитель | Модель | Ключевые параметры | Примечание | | :--- | :--- | :--- | :--- | | STMicroelectronics | STH120N10F7 | 100В, 120А, 3.7 мОм | Очень близкий аналог по току и сопротивлению | | Vishay / Siliconix | SUD100N10-26 | 100В, 100А, 2.6 мОм | Более низкое RDS(on), но меньшее напряжение | | ON Semiconductor | FDB100N10F | 100В, 100А, 3.9 мОм | Близкий аналог | | IR (International Rectifier) | IRFB4110GPBF | 100В, 180А, 3.7 мОм | Более высокий ток, устаревшая технология |

Важное примечание по замене:

• Перед заменой всегда необходимо сверяться с технической документацией (даташитами) обоих компонентов.
• Особое внимание уделите распиновке корпуса, так как у некоторых аналогов расположение выводов (Drain, Gate, Source) может отличаться.
• Убедитесь, что динамические характеристики (заряд затвора Qg) совместимы с вашим драйвером.

Совместимые модели в других корпусах от Infineon:

Infineon часто выпускает один и тот же чип (кристалл) в разных корпусах. Модели с аналогичными электрическими параметрами, но в другом форм-факторе:

• IPB92N12N5ATMA1 — в корпусе D²PAK (TO-263), для поверхностного монтажа (SMD).
• IPT92N12N5ATMA1 — в корпусе D²PAK 7-pin, предлагает лучший теплоотвод.

Вывод: Infineon TT92N12KOF — это высококачественный и высокоэффективный силовой транзистор, являющийся отличным выбором для современных энергоэффективных решений. При поиске аналога рекомендуется в первую очередь рассматривать другие модели из линейки OptiMOS 5 или аналогичные предложения от STMicroelectronics и ON Semiconductor.