Infineon TT122N20KOF
тел. +7(499)347-04-82
Описание Infineon TT122N20KOF
Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые модели для мощного MOSFET транзистора Infineon TT122N20KOF.
Описание
Infineon TT122N20KOF — это N-канальный мощный MOSFET транзитор, выполненный по передовой технологии OptiMOS 5. Это компонент, предназначенный для высокоэффективных и компактных решений в силовой электронике.
Ключевые особенности и преимущества:
- Высокая эффективность: Технология OptiMOS 5 обеспечивает исключительно низкое значение сопротивления открытого канала (RDS(on)), что минимизирует потери на проводимость и нагрев.
- Высокая плотность мощности: Благодаря низким потерям и корпусу D²PAK (TO-263), этот транзистор позволяет создавать более компактные и мощные источники питания и преобразователи без увеличения систем охлаждения.
- Высокое рабочее напряжение: Напряжение 200 В делает его идеальным для работы в схемах с сетевым напряжением (после выпрямления), например, в серверных БП, телекоммуникационных системах, промышленных приводах.
- Высокая скорость переключения: Хотя это и не Ultra-Fast MOSFET, он обладает хорошими динамическими характеристиками для своих применений, что позволяет работать на повышенных частотах (десятки-сотни кГц).
- Надежность: Компонент обладает высокой стойкостью к импульсным перенапряжениям (UIS) и квалифицирован для требовательных применений.
- Корпус D²PAK (TO-263): Предназначен для поверхностного монтажа (SMD), обладает хорошими теплоотводящими свойствами и рассчитан на пайку оплавлением.
Основные области применения:
- Импульсные источники питания (SMPS) высокой мощности
- Источники питания для серверов и телекоммуникационного оборудования
- Преобразователи постоянного тока (DC-DC Converters)
- Промышленные приводы и двигатели
- Силовые инверторы и сварочное оборудование
Технические характеристики (основные)
| Параметр | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-канальный MOSFET | Enhancement Mode | | Технология | OptiMOS 5 | | | Сток-Исток напряжение (VDSS) | 200 В | | | Непрерывный ток стока (ID) при TC=25°C | 122 А | | | Непрерывный ток стока (ID) при TC=100°C | ~82 А | | | Сопротивление открытого канала (RDS(on)) | 2.2 мОм (макс.) | При VGS=10 В | | | 1.8 мОм (тип.) | При VGS=10 В | | Максимальная рассеиваемая мощность (Ptot) | 625 Вт | На керамике (при TC=25°C) | | Пороговое напряжение затвора (VGS(th)) | 2.7 - 3.9 В | Тип. 3.3 В | | Заряд затвора (Qg) | ~220 нКл (тип.) | При VGS=10 В | | Время включения (td(on)) | 18 нс (тип.) | | | Время выключения (td(off)) | 55 нс (тип.) | | | Корпус | D²PAK (TO-263-3) | SMD |
Парт-номера (альтернативные обозначения и аналоги)
Infineon часто использует сквозные обозначения для одной и той же детали в разных корпусах или с небольшими вариациями. Прямым парт-номером для этого компонента является его аналог в корпусе для сквозного монтажа.
- IPB122N20N5 G / IPB122N20N5ATMA1 — это прямой аналог в корпусе TO-263-3 (D²PAK). Фактически, TT122N20KOF и IPB122N20N5 — это одно и то же изделие. Буква "T" в начале обычно указывает на корпус для поверхностного монтажа, а "I" — на корпус для сквозного монтажа, но в данном случае оба относятся к D²PAK.
- IPP122N20N5 G — аналог в корпусе TO-220 FullPAK (для сквозного монтажа с изолированной пластиной).
- IPT122N20N5 — аналог в корпусе D²PAK 7-pin (с дополнительными выводами для лучшего тока и управления).
Важно: При замене всегда сверяйтесь с datasheet, так как электрические параметры идентичны, но разница в корпусе критична для монтажа и тепловых характеристик.
Совместимые модели (прямые и функциональные аналоги)
При поиске аналога или замены необходимо ориентироваться на ключевые параметры: VDSS = 200 В, ID > 100 А, RDS(on) ~ 2.2 мОм и корпус D²PAK/TO-263.
Прямые аналоги от других производителей (очень близкие по параметрам):
- STMicroelectronics: STH122N20S5-2 (200 В, 120 А, 2.3 мОм, D²PAK)
- ON Semiconductor (Fairchild): FDP122N20T (200 В, 122 А, 2.4 мОм, D²PAK)
- Vishay (Siliconix): SIH122N20E-GE3 (200 В, 120 А, 2.5 мОм, D²PAK)
Функциональные аналоги (могут иметь незначительные отличия в RDS(on) или токе):
- Infineon: IPP120N20N5 (200 В, 120 А, 2.5 мОм, TO-220) — в другом корпусе.
- ON Semiconductor: NTMFS5H200N (200 В, 100 А, 2.3 мОм, D²PAK) — чуть меньший ток.
- Toshiba: TK14A20W (200 В, 140 А, 2.0 мОм, D²PAK) — очень близкий и мощный аналог.
Рекомендация: При замене всегда тщательно изучайте даташит конкретного аналога, особенно разделы, касающиеся динамических характеристик (заряды затвора, внутренние индуктивности), параметров паразитных диодов (если он используется в мостовых схемах) и графиков зависимости RDS(on) от температуры и тока. Наиболее безопасной и полной заменой является аналог от Infineon — IPB122N20N5 G.