Infineon TT122N18KOF

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и информация о совместимости для силового MOSFET-транзистора Infineon TT122N18KOF.

Описание

Infineon TT122N18KOF — это мощный N-канальный MOSFET-транзистор, выполненный по передовой технологии OptiMOS 5. Это поколение характеризуется исключительно низким значением сопротивления канала в открытом состоянии (RDS(on)) и высокими показателями эффективности.

Данная модель предназначена для использования в силовых электронных устройствах, где критически важны минимальные потери на проводимость и переключение, а также высокая надежность. Ключевой особенностью является очень низкое пороговое напряжение, что делает его подходящим для применений с низковольтным управлением.

Транзистор поставляется в прочном и термоэффективном корпусе TO-220, который позволяет рассеивать значительную тепловую мощность, часто требуя использования радиатора.

Основные преимущества:

• Сверхнизкое сопротивление RDS(on): Минимизирует потери мощности и нагрев в открытом состоянии.
• Высокая эффективность: Идеально подходит для энергоемких применений.
• Высокая стойкость к импульсным токам (I_pulse): Способен выдерживать кратковременные значительные перегрузки по току.
• Оптимизирован для высокочастотных преобразователей: Быстрая скорость переключения снижает коммутационные потери.
• Технология 100% устойчивости к лавинному пробою: Повышает надежность устройства в жестких условиях работы.

Области применения

TT122N18KOF широко используется в различных силовых и импульсных схемах:

• Силовые блоки питания (SMPS): Особенно в первичных и синхронных выпрямительных каскадах.
• Моторные приводы и контроллеры двигателей: Управление бесщеточными (BLDC) и шаговыми двигателями.
• Инверторы и преобразователи напряжения (например, в системах солнечной энергетики).
• Сварочное оборудование.
• Системы управления батареями (BMS).
• Высокоэффективные DC-DC преобразователи.

Технические характеристики (кратко)

| Параметр | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-канальный MOSFET | | | Технология | OptiMOS 5 | | | Корпус | TO-220 | | | Сток-Исток напряжение (VDS) | 180 В | | | Непрерывный ток стока (ID) при 25°C | 122 А | | | Импульсный ток стока (ID_pulse) | 488 А | | | Сопротивление откр. канала (RDS(on)) | 1.2 мОм (макс.) | При VGS = 10 В | | | 1.5 мОм (макс.) | При VGS = 4.5 В | | Пороговое напряжение затвора (VGS(th)) | 2.1 В (тип.) | | | Макс. напряжение затвор-исток (VGS) | ±20 В | | | Общий заряд затвора (Qg) | 170 нКл (тип.) | При VGS = 10 В | | Время включения (td(on) + tr) | 24 нс (тип.) | | | Время выключения (td(off) + tf) | 49 нс (тип.) | | | Диод обратного восстановления (Qrr) | 1.3 мкКл (тип.) | | | Темп. перехода (Tj) | от -55 до +175 °C | |

Парт-номера и совместимые модели

Поиск прямого аналога или замены должен всегда проводиться с учетом полного datasheet и конкретной схемы. Однако, следующие модели являются прямыми или очень близкими аналогами от других производителей, а также вариантами от самого Infineon.

Прямые аналоги и замены (Cross-Reference)

От Infineon:

• IPP122N18N5 — Тот же кристалл, но в корпусе TO-220 FullPAK (полностью пластиковый), что обеспечивает лучшую изоляцию.
• Семейство OptiMOS 5 180V от Infineon будет иметь схожие характеристики. Модели могут отличаться током и RDS(on) (например, IPPxxxN18N5, где xxx — ток).

От других производителей (ключевые конкуренты):

• STMicroelectronics:

  • STH220N18F7 — Аналог из серии F7, с очень низким RDS(on).
  • STP160N18F5 — Мощный аналог из предыдущего поколения.

• Vishay / Siliconix:

  • SQJB80EP-T1_GE3 — Модель с похожими характеристиками.

• ON Semiconductor:

  • FDPF и FDMS серии (например, FDPFxxxN18T) — стоит искать модели с близкими VDS, ID и RDS(on).

• Texas Instruments:

  • Серия CSD и NDT (например, CSDxxxN18Q5B).

Важные замечания по совместимости:

1. Не всегда 1-к-1: Даже если параметры VDS и ID совпадают, могут отличаться динамические характеристики (Qg, RDS(on) при разных VGS), что критично для высокочастотных схем.
2. Распиновка корпуса: Всегда проверяйте цоколевку (pinout) корпуса. У TO-220 она обычно стандартная, но бывают исключения.
3. Паразитные элементы: Разные производители и технологии могут иметь отличия в индуктивностях выводов и емкостях, что влияет на ВЧ-характеристики.
4. Рекомендация: Перед заменой обязательно изучайте даташиты (datasheet) обоих компонентов и проверяйте работу в вашей конкретной схеме, особенно по таким параметрам как:
   • Зависимость RDS(on) от VGS (если у вас слабый драйвер).
   • Заряд затвора (Qg) и пиковый ток драйвера.
   • Характеристики внутреннего диода (если он используется).

Для точного подбора аналога лучше всего использовать сервисы поиска аналогов на сайтах производителей (например, Infineon, STM, ON Semi) или в базах данных электронных компонентов.