Infineon TO-220

Конечно! Вот подробное описание, технические характеристики и списки партномеров для транзисторов Infineon в корпусе TO-220.

Общее описание

Infineon Technologies — один из мировых лидеров в производстве силовых полупроводников. Корпус TO-220 (Transistor Outline 220) — это один из самых распространенных и универсальных корпусов для силовых транзисторов (MOSFET, IGBT) и силовых интегральных схем (например, линейных стабилизаторов).

Ключевые особенности корпуса TO-220 от Infineon:

• Высокая мощность: Конструкция корпуса позволяет эффективно отводить тепло через металлическую площадку (фланец), которая обычно крепится к радиатору.
• Надежность: Robust-технологии Infineon обеспечивают высокую стойкость к перегрузкам и длительный срок службы.
• Удобство монтажа: Выводной корпус легко паяется на плату и прост в использовании с внешним теплоотводом.
• Широкий модельный ряд: Охватывает практически все потребности в силовой электронике для напряжений от десятков до тысяч вольт и токов от единиц до десятков ампер.

Технические характеристики (на примере популярных серий)

Поскольку под "TO-220 Infineon" может скрываться множество компонентов, ниже приведены характеристики для самых популярных категорий.

1. Power MOSFET (МОП-транзисторы)

Это наиболее распространенный тип компонентов в данном корпусе. Используются в импульсных источниках питания, motor control, DC-DC преобразователях.

Пример: Серия OptiMOS™ (например, IRF1010E)

• Технология: N-Channel, Logic Level
• Сток-Исток напряжение (V_DSS): 55 В
• Стоковый ток (I_D при 25°C): 84 А
• Сопротивление в открытом состоянии (R_DS(on)): ~ 7.0 мОм (при V_GS=10 В)
• Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)): 2 - 4 В
• Корпус: TO-220

2. IGBT (Биполярные транзисторы с изолированным затвором)

Используются в инверторах, сварочных аппаратах, мощных motor drive (частотных преобразователях), где важна работа на высоких напряжениях и токах.

Пример: Серия IGBT4 (например, IKW40N120H3)

• Технология: N-Channel, Trenchstop™
• Коллектор-Эмиттер напряжение (V_CES): 1200 В
• Коллекторный ток (I_C при 25°C): 40 А (при 80°C: 20 А)
• Насыщающее напряжение (V_CE(sat)): ~ 1.85 В (типовое)
• Корпус: TO-220

3. Линейные стабилизаторы напряжения

Пример: Классический стабилизатор TL780-05 (аналог L7805 от STMicroelectronics).

• Выходное напряжение: +5 В
• Выходной ток: до 1.5 А
• Входное напряжение: до 35 В
• Падение напряжения: ~ 2 В (типовое)
• Корпус: TO-220

Парт номера (Popular Part Numbers)

Список популярных моделей, отсортированный по применению.

Силовые MOSFET (N-Channel, до 200В):

• IRF1010E - 55V, 84A
• IRF3205 - 55V, 110A (очень популярен)
• IRF1404 - 40V, 160A
• IRF540N - 100V, 33A
• IRF840 - 500V, 8A

Силовые MOSFET (N-Channel, >500В, SuperJunction, CoolMOS™):

• SPP11N60C3 - 600V, 11A
• IPP60R099C7 - 600V, 16A (очень низкое R_DS(on))

IGBT:

• IKW40N120H3 - 1200V, 40A
• IKW25T120 - 1200V, 25A
• IRG4BC30KD - 600V, 23A

Драйверы моторов (В одном корпусе TO-220 могут быть сборки):

• IRS2104 (в DIP-8, но есть и мощные драйверы в гибридном корпусе, похожем на TO-220)

Совместимые модели и аналоги

Понятие "совместимость" зависит от контекста:

1. Прямые аналоги (Pin-to-Pin совместимость): Это компоненты с одинаковой распиновкой и максимально близкими характеристиками. Обычно это аналоги от других производителей.

• Для MOSFET (например, IRF3205):

  • STMicroelectronics: STP3205
  • Vishay: SUP50085E
  • Fairchild/ON Semi: FQP3205
  • International Rectifier (теперь часть Infineon): оригинальный производитель.

• Для IGBT (например, IKW40N120H3):

  • Прямых аналогов от других брендов может не быть, но существуют аналогичные по характеристикам IGBT от STMicroelectronics (STGW40H120DF3) или Fuji Electric, однако перед заменой обязательна проверка даташита.

• Для стабилизаторов (например, TL780-05):

  • STMicroelectronics: L7805CV
  • ON Semiconductor: MC7805CTG
  • Texas Instruments: UA7805CKC
  • Эти компоненты, как правило, полностью взаимозаменяемы.

2. Функционально совместимые модели (требуется проверка распиновки и характеристик): Это модели, которые могут выполнять ту же функцию в схеме, но могут иметь отличия в параметрах или распиновке.

• Вмещение IRF540N (100V, 33A) можно рассмотреть IRF640 (200V, 18A), если по току подходит.
• Вместо IRF840 (500V, 8A) можно рассмотреть STP8NB50 (500V, 7.6A) от STMicroelectronics.

Важное примечание по замене и выбору аналога

1. Всегда читайте даташит (Datasheet)! Перед заменой любого компонента необходимо сверить:

   • Распиновку (Pinout): Убедитесь, что выводы (Gate, Drain, Source для MOSFET; Collector, Gate, Emitter для IGBT) совпадают.
   • Ключевые электрические характеристики: Напряжение, ток, сопротивление R_DS(on), V_CE(sat), пороговое напряжение.
   • Входные/выходные емкости: Это критично для высокочастотных импульсных схем.
   • Характеристики корпуса: Размеры и способ монтажа на радиатор.

2. Учитывайте производителя. Infineon — это премиальный бренд с высочайшим качеством. Более дешевые аналоги могут иметь худшие параметры, особенно на границах рабочих режимов (например, при высокой температуре).

Для получения точной информации по конкретной модели всегда обращайтесь к официальным источникам, таким как сайт Infineon Technologies и их портал Infineon Designer.