Infineon TD66N16KOF

Infineon TD66N16KOF
Артикул: 565008

Требуется установка или ремонт?

сервисный центр Kypidetali!

тел. +7(499)347-04-82

Описание Infineon TD66N16KOF

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые модели для силового MOSFET транзистора Infineon TD66N16KOF.

Общее описание

Infineon TD66N16KOF — это N-канальный силовой MOSFET транзистор, выполненный по передовой технологии OptiMOS™ 5. Этот транзистор принадлежит к семейству высокоэффективных компонентов, разработанных для приложений, где критически важны минимальные потери на проводимость и переключение, а также высокая надежность.

Ключевой особенностью данной модели является чрезвычайно низкое значение сопротивления открытого канала (R DS(on)), которое достигает всего 0.66 мОм при 10 В на затворе. Это делает его идеальным выбором для мощных импульсных источников питания, DC-DC преобразователей, систем управления двигателями (например, в электромобилях, промышленном приводе), а также для синхронного выпрямения.

Корпус TO-247 обеспечивает эффективный отвод тепла, что позволяет компоненту работать с большими токами.


Основные технические характеристики (ТХ)

Приведены типовые/максимальные значения при Tj = 25°C, если не указано иное.

| Параметр | Обозначение | Значение | Условия / Примечания | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Напряжение "сток-исток" | VDSS | 1600 В | Максимальное рабочее напряжение | | Сопротивление открытого канала | RDS(on) | 0.66 мОм (макс.) | VGS = 10 В, ID = 66 А | | | | 0.9 мОм (макс.) | VGS = 4.5 В, ID = 40 А | | Постоянный ток стока | ID | 120 А | При TC = 25°C | | | | 66 А | При TC = 100°C | | Импульсный ток стока | IDM | 480 А | | | Рассеиваемая мощность | Ptot | 800 Вт | На плате, при TC = 25°C | | Пороговое напряжение затвора | VGS(th) | 2.5 - 4.0 В | Тип. 3.2 В | | Заряд затвора | QG | 340 нКл (тип.) | VGS = 10 В | | Входная емкость | Ciss | 12600 пФ (тип.) | | | Время нарастания/спада | tr / tf | 90 нс / 50 нс (тип.) | | | Диод обратного восстановления | Qrr | 6.5 мкКл (тип.) | Очень низкий заряд восстановления встроенного диода | | Температура перехода | Tj | -55 ... +175 °C | | | Корпус | | TO-247 | 3 вывода |

Ключевые преимущества:

  • Сверхнизкое RDS(on): Минимизирует потери на проводимость.
  • Высокое напряжение 1600 В: Подходит для мощных и промышленных применений.
  • Высокая скорость переключения: Благодаря технологии OptiMOS™ 5.
  • Робкий диод тела (Body Diode): С малым зарядом восстановления (Qrr), что снижает потери при коммутации.
  • Высокая перегрузочная способность: По току и мощности.

Парт-номера (Part Numbers) и аналоги

Официальный номер Infineon — TD66N16KOF. Однако у одного и того же компонента могут быть разные маркировки в зависимости от партии, упаковки или незначительных модификаций.

Основной парт-номер:

  • SP001188760 — это, как правило, внутренний код Infineon или номер для заказа.

Прямые аналоги и совместимые модели (от других производителей): Подбор полного аналога по всем параметрам для такого специфичного компонента сложен. Следует искать MOSFET с ключевыми параметрами: 1600В, ~0.66 мОм, 66А+, TO-247. Прямых клонов может не быть, но существуют функционально схожие и конкурирующие модели:

  1. STMicroelectronics:

    • STW88N65M5 (650В, 0.009Ω, 88А) — Напряжение ниже, но очень низкое Rds(on).
    • STP75N80K5 (800В, 0.048Ω, 75А) — Напряжение в 2 раза ниже.
  2. ON Semiconductor / Fairchild:

    • FCH76N60N (600В, 0.049Ω, 76А) — Напряжение значительно ниже.
    • Аналоги с напряжением 1600В встречаются реже, часто в сериях SuperFET или MDmesh™.
  3. IXYS (ныне часть Littelfuse):

    • Специализируются на высоковольтных компонентах. Могут иметь аналоги, например, серии IXFH или IXFN.
    • Пример: IXFH120N20X3 (2000В, 0.12Ω, 120А) — Близкое напряжение, но выше Rds(on).
  4. Toshiba:

    • Модели серий DTMOSVI или N-channel MOSFET.
    • Пример: TK160N16K (1600В, 0.16Ω, 160А) — Ток выше, но Rds(on) также выше.

Важное замечание по совместимости: Несмотря на схожие электрические параметры, различия в динамических характеристиках (заряды затвора, паразитные емкости), характеристиках встроенного диода и тепловых свойствах могут требовать корректировки схемы управления (драйвера) при замене. Перед заменой необходимо тщательно сравнивать даташиты, особенно графики зависимостей параметров от температуры и тока.

Рекомендация: Для гарантированной совместимости и сохранения заявленных характеристик системы лучшим выбором является использование оригинального компонента Infineon TD66N16KOF или поиск аналога через официальные кросс-референс-базы дистрибьюторов электронных компонентов (например, на сайтах LCSC, Mouser, Digi-Key).

Товары из этой же категории