Infineon TD330N16KOF

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики и совместимые модели для силового транзистора Infineon TD330N16KOF.

Описание

Infineon TD330N16KOF — это N-канальный IGBT-транзистор с напряжением 1600 В, выполненный в современном и компактном корпусе TO-247 3L (3 вывода).

Данный транзистор является частью серии IGBT7, которая представляет собой последнее поколение технологии IGBT от Infineon на момент своего выпуска. Ключевыми особенностями серии являются:

• Высокая эффективность: Очень низкое падение напряжения насыщения коллектор-эмиттер (V_CE(sat)), что приводит к снижению прямых потерь проводимости.
• Высокая плотность мощности: Позволяет создавать более компактные и мощные системы.
• Широкий запас по безопасной работе (RBSOA): Обеспечивает надежную работу в жестких условиях переключения.
• Оптимизация для инверторов и частотных преобразователей: Идеально подходит для применения в системах промышленного привода, ветряных и солнечных электростанций, ИБП (UPS) и сварочного оборудования.

Микрочип имеет встроенный антипараллельный диод (Emitter Controlled 7 Diode - EC7), который оптимизирован для работы с IGBT7, обеспечивая низкие обратные восстановительные потери и мягкую характеристику восстановления.

Технические характеристики

В таблице ниже приведены основные электрические параметры при температуре 25°C, если не указано иное.

| Параметр | Обозначение | Значение | Условия / Примечания | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Напряжение коллектор-эмиттер | V_CES | 1600 В | Максимальное рабочее напряжение | | Номинальный ток коллектора | I_C @ 100°C | 80 А | При T_vj = 100°C | | Максимальный ток коллектора (импульсный) | I_CM | 160 А | | | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | V_CE(sat) | 1.55 В (тип.) | I_C = 80 А, V_GE = 15 В | | Открывающее напряжение затвора | V_GE(th) | 5.0 В (тип.) | V_CE = V_GE, I_C = 40 мА | | Рабочее напряжение затвор-эмиттер | V_GE | ±20 В | Максимальное (рекомендуемое ±15 В) | | Входная емкость | C_ies | 4500 пФ (тип.) | V_CE = 25 В, V_GE = 0 В, f = 1 МГц | | Энергия включения | E_on | 8.0 мДж (тип.) | I_C = 80 А, V_CC = 800 В | | Энергия выключения | E_off | 6.0 мДж (тип.) | I_C = 80 А, V_CC = 800 В | | Пороговое напряжение встроенного диода | V_FM | 1.6 В (тип.) | I_F = 80 А, T_vj = 25°C | | Максимальная температура перехода | T_vj | +175 °C | | | Тепловое сопротивление переход-корпус | R_th(j-c) | 0.25 К/Вт | |

Part Number (Парт номера) и Совместимые модели

Прямые аналоги и совместимые модели подбираются по ключевым параметрам: Напряжение V_CES = 1600 В, Ток I_C ≈ 80 А, Корпус TO-247 и Технология IGBT7.

1. Прямые аналоги и парт-номера от Infineon

Это модели, которые являются либо полными аналогами, либо очень близкими по характеристикам в рамках одного производителя.

• IKW75N160H7 — Близкий аналог с похожими характеристиками, также из серии IGBT7, 1600В, 75А. Может использоваться в схожих схемах.
• IKQ75N160CH7 — Аналог в корпусе TO-247PLUS (с дополнительным выводом коллектора для улучшения паразитных индуктивностей).
• Модели из предыдущих поколений (например, серии IGBT4 вроде IKW40N160T2) могут быть указаны как возможная замена в старых проектах, но они будут значительно уступать по эффективности IGBT7.

2. Совместимые модели и аналоги от других производителей

Подбор аналога от другого производителя требует тщательной проверки даташитов, но следующие модели можно рассматривать как потенциальные замены в новых разработках или для ремонта:

• Fuji Electric:
  • 2MBI200XBE160-50 — Это двухключевой модуль (2-in-1), но построен на чипах с аналогичными требованиями по напряжению и току.
• Mitsubishi Electric:
  • CM200DU-16NFH — Мощный двухключевой модуль (1700В, 200А), но представляет альтернативу для другого класса мощности.
• SEMIKRON:
  • SKM400GB176D — Модуль на 1700В, 400А. Указывает на наличие технологий у других вендоров для работы в том же диапазоне напряжений.

3. Важные замечания по совместимости

• Поколение технологии: При замене на модель другого поколения (например, IGBT4 вместо IGBT7) обязательна перерасчет системы управления (драйвера) и системы охлаждения, так как динамические и статические характеристики, а также требования к напряжению затвора могут отличаться.
• Корпус: Обращайте внимание на тип корпса (TO-247, TO-247-3, TO-247-4). Модели с 4 выводами (для отдельного вывода эмиттера) обеспечивают лучшие характеристики переключения, но не являются прямозаменяемыми с 3-выводными.
• Встроенный диод: Наличие и характеристики встроенного обратного диода (FRD) критичны для большинства инверторных применений. Замена на модель без диода или с худшим диодом недопустима.

Рекомендация: Для замены в существующей схеме лучше всего использовать точный парт-номер TD330N16KOF. Для новых разработок следует рассмотреть всю линейку IGBT7 от Infineon, включая модули, которые могут предложить лучшую интеграцию и охлаждение.