Infineon TD210N18KOF

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики и информация по совместимости для силового MOSFET транзистора Infineon TD210N18KOF.

Описание

Infineon TD210N18KOF — это N-канальный силовой MOSFET, выполненный по передовой технологии OptiMOS™ 5. Этот транзистор принадлежит к семейству высокоэффективных низковольтных ключей, разработанных для приложений, где критически важны минимальные потери на проводимость и переключение.

Его ключевое назначение — синхронный выпрямитель в мощных импульсных источниках питания (например, для серверов, телекоммуникационного оборудования, промышленных систем), а также силовые ключи в DC-DC преобразователях, моторных приводах и системах управления батареями.

Основные преимущества:

• Чрезвычайно низкое сопротивление открытого канала (Rds(on)) — всего 0.21 мОм при 10 В, что минимизирует потери на проводимость и нагрев.
• Высокая эффективность переключения благодаря низким зарядам затвора (Qg) и выходной емкости (Coss).
• Оптимизирован для работы в жестких условиях синхронного выпрямления (интегрированный обратный диод с быстрым восстановлением).
• Высокая стойкость к лавинным нагрузкам (100% тестирование UIS).

Технические характеристики (ключевые параметры)

| Параметр | Значение | Условия / Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-Channel MOSFET | OptiMOS™ 5 технология | | Корпус | TO-247 | 3 вывода (стандартный мощный корпус) | | Сток-исток напряжение (Vds) | 180 В | Максимальное рабочее напряжение | | Непрерывный ток стока (Id) | 780 А | При Tc=25°C | | Импульсный ток стока (Id_pulse) | 3120 А | Максимальный пиковый ток | | Сопротивление открытого канала (Rds(on)) | 0.21 мОм (макс.) | Vgs=10 В, Id=390 А | | | 0.26 мОм (макс.) | Vgs=4.5 В, Id=195 А | | Пороговое напряжение затвора (Vgs(th)) | 2.3 - 4.0 В | Тип. 3.15 В | | Общий заряд затвора (Qg) | 570 нКл (тип.) | Vgs=10 В, Id=390 А | | Заряд затвора для переключения (Qgs) | 170 нКл (тип.) | | | Входная емкость (Ciss) | 21000 пФ (тип.) | | | Выходная емкость (Coss) | 6300 пФ (тип.) | | | Энергия обратного восстановления (Eoss) | Очень низкая | Оптимизировано для синхронного выпрямления | | Максимальная рассеиваемая мощность (Pd) | 1560 Вт | При Tc=25°C | | Диапазон температуры перехода (Tj) | от -55 до +175 °C | | | Тепловое сопротивление (RthJC) | 0.02 К/Вт | Корпус-кристалл |

Part-Number (Парт-номера) и упаковка

• Основной номер для заказа: TD210N18KOF
• Вариант упаковки: Обычно поставляется на катушке или в коробке. Для точного указания упаковки используются суффиксы:
  • TD210N18KOFTMA1 — Катушка (Tape & Reel), стандартное количество.
  • Уточняйте у дистрибьютора или в официальной документации Infineon.

Совместимые модели / Аналоги (Cross-Reference)

При поиске замены необходимо учитывать, что полного аналога с идентичными параметрами может не существовать. TD210N18KOF имеет уникальное сочетание сверхнизкого Rds(on) и корпуса TO-247. Совместимость следует проверять по напряжению (180В), току, Rds(on) и корпусу.

1. Прямые аналоги от Infineon (тот же класс, незначительные отличия):

• IPT020N10N5 (100В, 0.2 мОм) — Более низкое напряжение, но схожие характеристики по току и сопротивлению. Может быть заменой в низковольтных схемах.
• IAUC200N04S6N015 (40В, 0.15 мОм) — Для приложений до 40В.
• IPT015N10N5 (100В, 0.15 мОм) — Еще более низкое сопротивление.

2. Аналоги от других производителей (близкие по ключевым параметрам):

• ON Semiconductor / Fairchild: FDPF51N25T (250В, 0.51 мОм) — Выше напряжение, но значительно выше Rds(on).
• STMicroelectronics: STP310N10F7 (100В, 0.85 мОм) — Слабее по параметрам.
• Vishay / Siliconix: SUP70090E-GE3 (100В, 0.9 мОм) — Слабее по параметрам.

Важное замечание: Для высокоэффективных применений, где используется TD210N18KOF (особенно в синхронном выпрямлении на 48-100В шинах), полную замену на аналог от другого бренда найти очень сложно. Рекомендуется:

1. Использовать оригинальный компонент.
2. Обратиться к инструментам подбора аналогов на сайтах дистрибьюторов (например, LCSC, Mouser, Digi-Key).
3. Рассмотреть возможность перехода на пару параллельных MOSFET с более высоким Rds(on), если требуется срочная замена, но это потребует пересмотра схемы управления и layout.

Рекомендация: Перед заменой всегда тщательно сравнивайте полные datasheet, особенно графики зависимости Rds(on) от тока и температуры, заряды затвора (Qg, Qgd) и характеристики обратного диода.