Infineon T640N14TOF

Infineon T640N14TOF
Артикул: 564963

Требуется установка или ремонт?

сервисный центр Kypidetali!

тел. +7(499)347-04-82

Описание Infineon T640N14TOF

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики и информация о совместимости для силового транзистора Infineon T640N14TOF.

Описание

Infineon T640N14TOF — это IGBT-транзистор четвертого поколения (IGBT4) в корпусе TO-248 (также известном как Full-Pak или ModPak). Это дискретный компонент, предназначенный для работы в мощных и высоковольтных приложениях.

Ключевые особенности и преимущества:

  • Технология IGBT4: Обеспечивает низкое падение напряжения в открытом состоянии (Vce_sat) и высокую плотность мощности, что приводит к снижению коммутационных потерь и повышению общего КПД системы.
  • Высокое напряжение: Рассчитан на напряжение коллектор-эмиттер до 1400 В, что делает его идеальным для работы в сетях 690 В и выше, а также в цепях с высокими выбросами напряжения.
  • Высокий ток: Способен выдерживать постоянный ток коллектора до 75 А (при температуре корпуса 80°C) и импульсный ток до 150 А.
  • Интегрированный диод (Emitter Controlled Diode - E-C): В корпус встроен быстрый антипараллельный диод (FRD), который необходим для индуктивных нагрузок (например, в инверторах и частотных преобразователях). Это упрощает конструкцию силовой платы и улучшает надежность.
  • Низкое насыщение: Низкое значение Vce_sat (2,55 В типично) минимизирует потери на проводимость.
  • Промышленное применение: Предназначен для тяжелых условий эксплуатации в промышленном оборудовании.

Основные области применения:

  • Промышленные приводы и частотные преобразователи
  • Сварочное оборудование
  • Источники бесперебойного питания (ИБП)
  • Системы плавного пуска электродвигателей
  • Инверторы для солнечной и ветровой энергетики

Технические характеристики

| Параметр | Обозначение | Значение | Условия / Примечания | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Напряжение коллектор-эмиттер | VCES | 1400 В | | | Постоянный ток коллектора | IC @ 80°C | 75 А | Tc = 80 °C | | Постоянный ток коллектора | IC @ 25°C | 120 А | Tc = 25 °C | | Импульсный ток коллектора | ICM | 150 А | | | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | VCE(sat) | 2,55 В (тип.) | IC = 64 А, VGE = 15 В | | Отпирающее напряжение затвора | VGE | ±20 В макс. | | | Типичное напряжение затвора | VGE | +15 В / -15 В | Рекомендуемый режим работы | | Сопротивление затвор-эмиттер | RG | 2.7 Ом (тип.) | Внутреннее | | Общий заряд затвора | Qg | 520 нКл (тип.) | VGE = 15 В, IC = 64 А | | Энергия включения | Eon | 7,5 мДж (тип.) | | | Энергия выключения | Eoff | 5,5 мДж (тип.) | | | Тепловое сопротивление переход-корпус | RthJC | 0,25 К/Вт | | | Температура перехода | Tj | -40 ... +150 °C | Максимальная рабочая +150°C | | Корпус | - | TO-248 | (также известен как TO-3PF) |

Характеристики встроенного диода:

  • Прямой ток: IF = 75 А
  • Обратное время восстановления: trr = 110 нс (тип.)
  • Пиковый обратный ток восстановления: IRM = 30 А (тип.)

Парт-номера (Part Numbers) и Совместимые модели

Этот транзистор является частью семейства и имеет несколько вариантов маркировки. Прямыми аналогами и парт-номерами являются:

Прямые аналоги и варианты маркировки от Infineon:

  • T640N14TOF - Основной и полный парт-номер.
  • T640N14TOF E6813 - Вариант с дополнительным кодом лота или упаковки. Электрически идентичен.
  • В семействе IGBT4 с такими же параметрами (1400В, 75А) также существуют корпуса TO-247 (например, IKW75N140T4), но они имеют другое тепловое сопротивление и механически не идентичны.

Прямые и функциональные аналоги от других производителей:

Поиск аналога всегда следует проводить с учетом полной схемотехники и условий работы. Указанные ниже модели являются функциональными аналогами (схожие Vces, Ic, корпус), но могут отличаться по динамическим характеристикам, внутреннему сопротивлению и требованиям к драйверу затвора. Перед заменой обязателен анализ даташитов.

| Производитель | Парт-номер | Примечания по совместимости | | :--- | :--- | :--- | | Fuji Electric | 2MBI75S-140-02 | Модуль с двумя IGBT в одном корпусе. Аналог по току и напряжению, но другой форм-фактор. | | Mitsubishi Electric | CM75TU-14T | Модуль, требующий другой монтаж. | | SEMIKRON | SKM75GB12T4 | IGBT-модуль. Аналог по току, но рассчитан на 1200В. | | ON Semiconductor | NGTB75N140L4T4G | Очень близкий аналог в корпусе TO-247 (механически несовместим, требуется переразводка платы). | | STMicroelectronics | STGW75H140DF2 | IGBT в корпусе TO-247, аналогичные параметры. |

Важное замечание по замене:

  • TO-248 и TO-247 часто взаимозаменяемы механически (имеют одинаковое расположение выводов), но TO-248, как правило, имеет более массивный металлический выступ для лучшего теплоотвода. Однако их тепловые сопротивления (RthJC) могут различаться, что необходимо учитывать при проектировании системы охлаждения.
  • При замене на аналог от другого производителя критически важно проверить:
    1. Напряжение VCES
    2. Ток IC при той же температуре
    3. Характеристики затвора (VGE, Qg) для совместимости с драйвером
    4. Динамические характеристики (Eon/Eoff) для оценки потерь и ЭМП
    5. Наличие и параметры встроенного диода

Для получения самой точной и актуальной информации всегда рекомендуется обращаться к официальному даташиту (datasheet) на компонент от Infineon.

Товары из этой же категории