Infineon T508N14TOF

Артикул: 564956

Требуется установка или ремонт?

тел. +7(499)347-04-82

Описание

Описание Infineon T508N14TOF

Конечно. Вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые модели для силового транзистора Infineon T508N14TOF.

Описание

Infineon T508N14TOF — это IGBT-транзистор с кремниевой технологией TRENCHSTOP™ 5, предназначенный для работы в среднечастотных инверторных приложениях. Это устройство представляет собой полнофункциональный модуль, в одном корпусе которого объединены силовой IGBT и обратный диод (антипараллельный диод).

Основное назначение: Преобразование энергии в мощных промышленных приводах, источниках бесперебойного питания (ИБП), системах промышленного отопления и сварочном оборудовании.
Технология TRENCHSTOP™ 5: Обеспечивает отличный баланс между низкими потерями проводимости (Vce_sat) и низкими коммутационными потерями (E_ts), что позволяет повысить общую эффективность системы и увеличить рабочую частоту.
Корпус: TO-247. Этот классический корпус обеспечивает хороший отвод тепла и удобство монтажа, но требует внешнего теплоотвода.
Ключевые преимущества:
- Низкое напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Vce_sat).
- Высокая стойкость к короткому замыканию (SCSOA — Short Circuit Withstand Capability).
- Прямое подключение к драйверу (оптимизировано для работы с драйверами с отрицательным напряжением смещения).
- Высокая максимальная рабочая температура перехода (Tvj_max = 175 °C).

Технические характеристики

| Параметр | Значение | Единица измерения | Примечание | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Коллектор-Эмиттер Напряжение | V_CES = 1400 | В | Максимальное напряжение | | Номинальный ток коллектора | I_C = 43 | А | При T_c = 80°C | | Максимальный ток коллектора | I_CM = 86 | А | Пиковый ток | | Напряжение насыщения | V_CE(sat) ~ 2.15 | В | Типовое, при I_C = 43A, V_GE = 15V | | Открывающее напряжение | V_GE = ±20 | В | Максимальное напряжение затвор-эмиттер | | Падение напряжения на диоде | V_FM ~ 2.3 | В | Типовое, при I_F = 43A | | Энергия включения | E_on ~ 8.5 | мДж | Типовое, при I_C = 43A, V_CC = 800V | | Энергия выключения | E_off ~ 9.5 | мДж | Типовое, при I_C = 43A, V_CC = 800V | | Сопротивление переход-корпус | R_thJC = 0.25 | К/Вт | Тепловое сопротивление | | Температура перехода | T_vj = -40 ... +175 | °C | Рабочий диапазон | | Класс изоляции | - | - | Не изолированный корпус |

Парт-номера (Part Numbers) и Совместимые модели

IGBT-модули часто имеют несколько парт-номеров от одного производителя, а также прямые или функциональные аналоги от конкурентов.

1. Парт-номера Infineon (внутренние обозначения)

Основной заказной номер — T508N14TOF. Этот номер используется для заказа у Infineon и их официальных дистрибьюторов.

2. Прямые и Функциональные Аналоги от других производителей

Поиск точного аналога всегда требует проверки даташитов на полное соответствие характеристик, особенно V_CE(sat), E_on/E_off и паразитных емкостей. Ниже приведены наиболее вероятные аналогичные модели от других ведущих производителей.

Важное замечание по аналогам:

Корпус: Убедитесь, что аналог также выполнен в корпусе TO-247.
Распиновка (Pinout): Распиновка выводов (расположение Коллектора, Затвора, Эмиттера) может отличаться у разных производителей. Это критически важно при замене на печатной плате.
Характеристики драйвера: Разные IGBT могут иметь отличные рекомендации по номиналам затворного резистора (Rg) и напряжению драйвера. Всегда корректируйте схему управления при замене компонента.

Области применения

Промышленные частотные преобразователи (инверторы)
Системы возобновляемой энергетики (инверторы для солнечных панелей)
Сварочные аппараты
Источники бесперебойного питания (ИБП) высокой мощности
Системы индукционного нагрева

Рекомендация: Перед заменой или использованием данного компонента всегда обращайтесь к официальному даташиту (datasheet) на сайте Infineon для получения самой актуальной и точной информации.