Infineon T335N38TOF

Отличный выбор! Infineon T335N38TOF — это мощный и надежный IGBT-транзистор, предназначенный для применения в инверторах, промышленных приводах и системах с высокой переключаемой мощностью.

Вот подробное описание и технические характеристики.

Описание

Infineon T335N38TOF — это IGBT (биполярный транзистор с изолированным затвором) третьего поколения (IGBT3/TrenchStop) в популярном и надежном корпусе TO-247. Ключевые особенности:

• Технология TrenchStop: Обеспечивает низкое падение напряжения в открытом состоянии (Vce_sat) и, как следствие, высокую энергоэффективность и снижение тепловыделения.
• Высокая переключаемая мощность: Предназначен для работы в цепях с напряжением до 1700В и токами коллектора до 105А (при 100°C).
• Быстрое переключение: Оптимизирован для работы на частотах, типичных для силовых инверторов (несколько кГц до ~20 кГц).
• Интегрированный быстрый диод: В одном корпусе с IGBT-транзистором находится антипараллельный диод (FWD - Free Wheeling Diode), что упрощает проектирование мостовых схем.
• Корпус TO-247: Обеспечивает хороший теплоотвод и удобство монтажа на радиатор.
• Изолированный фланец: Позволяет монтировать несколько транзисторов на общий радиатор без изолирующих прокладок, улучшая тепловые характеристики.
• Назначение: Преобразователи частоты (ЧРП), сервоприводы, источники сварочного тока, индукционные нагреватели, мощные импульсные источники питания.

Ключевые технические характеристики (ТТХ)

При температуре перехода 25°C, если не указано иное.

| Параметр | Обозначение | Значение | Условия / Примечание | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Напряжение коллектор-эмиттер | V_CES | 1700 В | Максимальное рабочее напряжение | | Ток коллектора (непрерывный) | I_C @ 100°C | 105 А | При T_vj = 100°C | | Ток коллектора (импульсный) | I_CM | 210 А | Максимальный кратковременный ток | | Падение напряжения коллектор-эмиттер | V_CE(sat) | 2.85 В (тип.) | При I_C = 75А, V_GE = 15В | | Напряжение отпирания затвора | V_GE | ±20 В (макс.) | Стандартное рабочее: +15В / -15В или 0В | | Пороговое напряжение затвора | V_GE(th) | 5.3 В (тип.) | | | Общий заряд затвора | Q_g | 430 нКл (тип.) | Влияет на требования к драйверу | | Время включения / выключения | t_on / t_off | 60 нс / 450 нс (тип.) | Зависит от условий схемы | | Параметры встроенного диода | | | | | Непрерывный прямой ток диода | I_F | 105 А | | | Прямое напряжение диода | V_F | 3.0 В (тип.) | При I_F = 75А | | Температура перехода | T_vj | -55 ... +150 °C | Максимальная рабочая +150°C | | Тепловое сопротивление переход-корпус | R_th(j-c) | 0.25 К/Вт | Ключевой параметр для расчета радиатора |

Парт-номера (Part Numbers) и аналоги

Этот транзистор может встречаться под разными номерами в зависимости от упаковки, маркировки или незначительных модификаций производства.

Основные парт-номера от Infineon:

• T335N38TOF – Полное основное обозначение.
• T335N38TOF E6347 – Часто добавляется код лота или версии.

Совместимые / Прямые аналоги от других производителей: Прямых 100% аналогов с таким же номером нет, но есть близкие по характеристикам и корпусу модели от конкурентов. Важно: Перед заменой всегда сверяйте даташиты, особенно по заряду затвора, внутренним индуктивностям и динамическим характеристикам.

• Fuji Electric: 2MBI100N-170 (сборка из двух IGBT, но по току/напряжению близка).
• Mitsubishi Electric: CM100DY-34H (модуль, не одиночный транзистор).
• SEMIKRON: SKW75N170 (также может быть в другом корпусе).

Близкие аналоги по ключевым параметрам (1700В, ~100А, TO-247):

• Infineon: IKW75N170H3 (более новая серия H3, часто используется как улучшенная замена).
• IXYS (Littelfuse): IXGH100N170.
• STMicroelectronics: STGW75HF170 (серия HF - Fast Switching).

Важные замечания по применению

1. Драйвер затвора: Требуется драйвер с достаточной пиковой токовой способностью (несколько ампер) для быстрой зарядки/разрядки затвора. Рекомендуемое напряжение: +15В для включения, от -5В до -15В для надежного выключения.
2. Теплоотвод: Из-за высокой рассеиваемой мощности обязательно использование радиатора с низким тепловым сопротивлением. Изолированный фланец упрощает монтаж.
3. Петля коммутации: Необходимо минимизировать паразитные индуктивности в силовой цепи (коллектор-эмиттер) для предотвращения опасных выбросов напряжения при выключении.
4. Защита: В схемах обязательно предусматривать защиту от перегрузки по току, короткого замыкания и перегрева.

Где искать информацию:

• Даташит (Datasheet): Всегда используйте актуальный даташит с официального сайта Infineon для окончательного проектирования.
• Инструменты Infineon: На сайте Infineon доступны симуляторы и средства выбора компонентов (IPOSIM), которые помогают в расчетах.

Этот транзистор является классическим "рабочим" компонентом для мощных преобразовательных устройств на напряжение 380-690В переменного тока.