Infineon T221N18EOF

Отличный выбор! Infineon T221N18EOF — это один из «рабочих лошадок» в мире силовых ключей, широко применяемый в промышленной и автомобильной электронике. Давайте разберем его подробно.

Краткое описание

Infineon T221N18EOF — это N-канальный MOSFET (металл-оксид-полупроводниковый полевой транзистор) в корпусе TO-220. Он принадлежит к серии OptiMOS™ 3, которая известна своим исключительно низким сопротивлением в открытом состоянии (RDS(on)) и высокой эффективностью.

Основное назначение: Переключение значительных токов (до 192А импульсно) при напряжениях до 180В. Идеально подходит для приложений, где критичны потери на проводимость и тепловыделение.

Типичные области применения:

• Силовые источники питания (SMPS)
• DC-DC преобразователи
• Управление двигателями (например, в промышленных приводах, электромобилях)
• Инверторы
• Сварочное оборудование
• Автомобильные системы (управление нагрузкой, старт-стоп)

Ключевые технические характеристики

В таблице ниже приведены основные параметры при температуре 25°C, если не указано иное.

| Параметр | Значение | Примечание / Условие | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-Channel MOSFET | Enhancement mode | | Корпус | TO-220 | Классический корпус для монтажа на радиатор | | Структура | OptiMOS™ 3 | Технология от Infineon | | Напряжение "сток-исток" (VDSS) | 180 В | Максимальное напряжение, которое может выдержать закрытый транзистор | | Непрерывный ток стока (ID) | 110 А | При Tc=25°C (температура корпуса) | | Импульсный ток стока (IDM) | 192 А | Кратковременная перегрузка | | Сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) | < 3.7 мОм | Ключевой параметр! VGS=10 В, ID=55 А | | | < 4.5 мОм | VGS=4.5 В, ID=55 А | | Пороговое напряжение затвора (VGS(th)) | 2.3 - 3.7 В | Тип. 3.0 В | | Общий заряд затвора (Qg) | ~ 130 нКл | Важно для расчета драйвера. VGS=10 В | | Максимальная рассеиваемая мощность (PD) | 294 Вт | При Tc=25°C (с идеальным радиатором) | | Температура перехода (Tj) | -55 … +175 °C | Максимальная рабочая температура кристалла |

Парт-номера (Part Numbers) и прямые аналоги

Этот транзистор имеет несколько стандартных маркировок. Прямыми аналогами считаются изделия с идентичными или практически идентичными электрическими параметрами и корпусом.

Парт-номера Infineon:

• T221N18EOF — основной коммерческий номер.
• На корпусе обычно нанесена маркировка: 221 N18E или подобная.

Прямые аналоги от других производителей (с очень близкими параметрами):

• IRFB4110GPBF (International Rectifier / Vishay) — классический аналог, 180В, 110А, RDS(on) ~ 4.0 мОм.
• STP110N8F7 (STMicroelectronics) — из серии STripFET F7, 80В, но с еще более низким RDS(on), может заменять в низковольтных частях схем.
• IPP110N20NFD (Infineon) — из более новой серии OptiMOS™ 5, 200В, с лучшими характеристиками.
• AUIRF4110 (Infineon) — аналог в корпусе TO-247 (более мощный по теплоотводу).

Важно: Даже у прямых аналогов могут быть отличия в динамических характеристиках (емкостях, заряде затвора), тепловых параметрах и качестве изоляции (при наличии). Всегда сверяйтесь с даташитами перед заменой в критичных узлах.

Совместимые модели (для замены в схемах)

Здесь речь идет о подборе транзистора для ремонта или модернизации. Критерии совместимости:

1. Напряжение VDSS: Не ниже оригинала (180В). Можно выше (например, 200В).
2. Ток ID: Не ниже оригинала (110А). Можно выше.
3. RDS(on): Желательно такой же или ниже.
4. Корпус и цоколевка: Должны совпадать (TO-220 в данном случае).
5. Характеристики затвора (VGS(th), Qg): Должны быть совместимы с драйвером вашей платы.

Рекомендуемые модели для замены / поиска аналога:

| Модель | Производитель | VDSS | ID | RDS(on) | Примечание | | :--- | :--- | :--- | :--- | :--- | :--- | | IRFB4110GPBF | Vishay | 180 В | 110 А | ~4.0 мОм | Самый популярный и доступный аналог | | IPP110N20N3FD | Infineon | 200 В | 110 А | ~3.6 мОм | Более новая и эффективная серия OptiMOS™ 3 | | IXFH110N20X3 | IXYS / Littelfuse | 200 В | 110 А | ~3.8 мОм | Высокая надежность | | FDP110N08 | ON Semiconductor | 80 В | 110 А | ~2.3 мОм | Внимание! Только для схем с напряжением <80В | | STH110N10F7 | STMicroelectronics | 100 В | 110 А | ~3.5 мОм | Внимание! Только для схем с напряжением <100В |

Важное предупреждение:

При замене всегда проверяйте рабочее напряжение в конкретной схеме. Установка транзистора с меньшим VDSS (например, 100В вместо 180В) приведет к его мгновенному выходу из строя. Установка транзистора с большим VDSS и схожими остальными параметрами почти всегда безопасна и часто даже улучшает надежность.