Infineon T2180N16TOF

Артикул: 564947

Требуется установка или ремонт?

тел. +7(499)347-04-82

Описание

Описание Infineon T2180N16TOF

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые модели для IGBT-транзистора Infineon T2180N16TOF.

Описание

Infineon T2180N16TOF — это мощный IGBT-транзистор, выполненный в популярном и надежном корпусе TO-247. Этот компонент является частью серии NPT TrenchStop (Non-Punch Through), которая характеризуется высокой эффективностью, низкими потерями при переключении и высокой стойкостью к перегрузкам по току и короткому замыканию.

Основные особенности и применение:

Высокая мощность: Предназначен для работы в мощных инверторах, импульсных источниках питания и системах управления электродвигателями.
Низкое падение напряжения (Vce(sat)): Обеспечивает меньшие потери проводимости, что повышает общий КПД системы.
Высокочастотная работа: Благодаря технологии TrenchStop, транзистор может работать на повышенных частотах переключения, что позволяет уменьшить габариты пассивных компонентов (дросселей, трансформаторов).
Широкий диапазон безопасной работы (RBSOA): Обладает высокой стойкостью к импульсным перегрузкам.
Встроенный быстрый обратный диод: Модель имеет интегрированный антипараллельный диод, который необходим для работы в инверторных схемах (например, в частотных преобразователях). Это избавляет от необходимости внешней установки диода и упрощает конструкцию.

Типичные области применения:

Частотные преобразователи (ПЧ, VFD)
Системы плавного пуска электродвигателей
Сварочное оборудование
Индукционные нагреватели
Источники бесперебойного питания (ИБП) промышленного класса

Технические характеристики

| Параметр | Значение | Единица измерения | Примечание | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Коллектор-Эмиттер напряжение | V_CES = 1600 | В | Максимальное рабочее напряжение | | Постоянный ток коллектора (при T=80°C) | I_C = 75 | А | | | Импульсный ток коллектора | I_CM = 150 | А | | | Насыщающее напряжение Коллектор-Эмиттер | V_CE(sat) = 2.85 | В | Тип. при I_C=75A, V_GE=15V | | Напряжение прямого смещения диода | V_F = 2.85 | В | Тип. при I_F=75A | | Эмиттер-Коллектор напряжение | V_ECO = 15 | В | Напряжение пробоя диода | | Пороговое напряжение затвора | V_GE(th) = 5.3 | В | Тип. значение | | Сопротивление "Вкл" | R_G(on) = 18 | Ом | Внутреннее сопротивление затвора | | Энергия включения | E_on = 35 | мДж | Тип. при I_C=75A, V_CC=800V | | Энергия выключения | E_off = 17 | мДж | Тип. при I_C=75A, V_CC=800V | | Заряд затвора | Q_g = 330 | нКл | Тип. значение | | Макс. температура перехода | T_vj = 150 | °C | | | Тепловое сопротивление переход-корпус | R_thJC = 0.21 | °C/Вт | | | Корпус | TO-247 | | |

Парт-номера (Part Numbers) и Совместимые модели

Поскольку этот компонент является устаревшим или специализированным, прямые аналоги от других производителей с идентичным номером могут отсутствовать. Однако существуют функционально и параметрически совместимые аналоги, которые можно использовать в качестве замены.

Прямые парт-номера от Infineon (для поиска):

T2180N16TOF (базовая модель)
T2180N16TOFXPSA1 (вероятно, более новая или специфическая ревизия)

Функционально совместимые аналоги от других производителей:

При поиске аналога необходимо ориентироваться на ключевые параметры: Vces = 1600В, Ic = 75А, корпус TO-247 и наличие встроенного диода.

SEMIKRON: SKM75GB12T4 (1200В, 75А, но часто используется в схемах на 400В, требует проверки)
Fuji Electric: 2MBI75N-160 (Сборка из двух IGBT, "полумост")
MITSUBISHI ELECTRIC: CM75TU-16H (Сборка "полумост")
IXYS (Littelfuse): Различные IGBT-модули на схожие токи и напряжения.

Важное замечание по аналогам: Многие современные производители перешли на производство не одиночных транзисторов, а IGBT-модулей, которые содержат в одном корпусе несколько ключей (например, полумост или полный мост). Это делает систему более компактной и надежной. Поэтому прямой аналог в корпусе TO-247 может быть сложно найти.