Infineon T1851N70TS01

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и информация о совместимости для силового транзистора Infineon T1851N70TS01.

Общее описание

Infineon T1851N70TS01 — это N-канальный силовой MOSFET транзистор, изготовленный по передовой технологии CoolMOS™ P7. Это ключевой компонент, разработанный для высокоэффективных и компактных импульсных источников питания (SMPS), особенно в топологиях с жестким переключением (например, LLC-резонансные преобразователи, корректоры коэффициента мощности PFC).

Его основное предназначение — работа в качестве высокочастотного ключа, где критически важны низкие динамические потери, высокая надежность и отличная устойчивость к перегрузкам.

Ключевые особенности и преимущества:

• Технология CoolMOS™ P7: Обеспечивает эталонное соотношение "потери проводимости vs. заряд переключения" (Rds(on) * Qg), что напрямую ведет к повышению общего КПД системы.
• Высокое напряжение сток-исток (Vds): 700 В. Это позволяет использовать его в сетевых приложениях (85-277 В AC) с достаточным запасом прочности.
• Низкое сопротивление открытого канала (Rds(on)): 185 мОм (макс. при 25°C). Минимизирует потери на проводимость (тепловыделение).
• Суперстремительный корпус диода: Встроенный диод сток-исток обладает сверхбыстрым временем восстановления (Qrr), что значительно снижает потери при обратном восстановлении в мостовых и резонансных схемах.
• Высокая стойкость к динамическому включению (dv/dt): Устойчив к паразитному включению, что повышает надежность в реальных условиях эксплуатации.
• Корпус TO-247: Классический, широко распространенный корпус для силовых компонентов с отличными тепловыми характеристиками, удобный для монтажа на радиатор.

Технические характеристики (основные параметры)

| Параметр | Обозначение | Значение | Условия / Примечание | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Напряжение "сток-исток" | V_DSS | 700 В | Максимальное рабочее напряжение | | Сопротивление открытого канала | R_DS(on) | 185 мОм | Тип. при V_GS=10 В, I_D=12.5 А, T_j=25°C | | | | 250 мОм | Макс. при V_GS=10 В, I_D=12.5 А, T_j=25°C | | Максимальный постоянный ток стока | I_D | 18 А | При T_C=100°C | | Импульсный ток стока | I_DM | 72 А | Максимальный импульсный ток | | Пороговое напряжение затвора | V_GS(th) | 3.0 - 5.0 В | Стандартный диапазон для управления драйвером | | Заряд затвора | Q_g | ~ 87 нКл | Тип. при V_GS=10 В. Ключевой параметр для расчета потерь на переключение. | | Заряд обратного восстановления | Q_rr | ~ 2.5 мкКл | Тип. Характеризует скорость встроенного диода. | | Максимальная рассеиваемая мощность | P_tot | 333 Вт | При T_C=25°C (с идеальным радиатором) | | Температура перехода | T_j | -55 ... +150 °C | Рабочий диапазон | | Тепловое сопротивление "переход-корпус" | R_thJC | 0.38 К/Вт | |

Парт-номера (Part Numbers) и аналоги

Официальные парт-номера от Infineon и распространенные аналоги в других линейках/у производителей.

1. Прямые аналоги Infineon (технология CoolMOS P7, 700В):

Эти модели имеют идентичные или максимально близкие электрические параметры и являются прямыми функциональными заменами в новых разработках.

• IPP65R185C7 — Тот же кристалл в корпусе TO-220. Для применений с меньшей мощностью.
• IPP60R185C7 — Тот же кристалл в корпусе TO-220 FullPAK (изолированный).
• IPW65R185C7 — Тот же кристалл в корпусе TO-247 Plus (с увеличенными выводами).
• SPW47N60C3 — Более старая, но популярная модель из линейки CoolMOS C3 с несколько другими динамическими параметрами. Часто используется как аналог, требует проверки в конкретной схеме.

2. Аналоги от других производителей (Ключевые конкуренты):

Эти модели имеют схожие номинальные параметры (700В, ~180-250 мОм), но отличаются технологией и динамическими характеристиками. Требуется тщательный инжиниринг-анализ при замене.

• STMicroelectronics:
  • STW18N80K5 (800В, 180мОм, MDmesh™ K5)
  • STW20NM60 (600В, 190мОм, MDmesh™ II)
• ON Semiconductor / Fairchild:
  • FCP18N60 (600В, 180мОм, SuperFET®)
  • FCPF18N60 (600В, 180мОм, в корпусе TO-220F)
• Vishay / Siliconix:
  • SUP70N20-18 (200В, но часто ищут по току/сопротивлению, не является прямым аналогом по напряжению).
• Toshiba:
  • TK18A60W (600В, 180мОм, DTMOS IV)

Совместимые модели для замены (Кросс-референс)

При поиске замены для T1851N70TS01 необходимо учитывать следующую иерархию совместимости:

1. Полная (прямая) совместимость:

   • IPP65R185C7 (TO-220) — если позволяет тепловой режим и конструктив.
   • IPW65R185C7 (TO-247 Plus) — если нужен такой же или более крупный корпус.

2. Функциональная совместимость (требует проверки в схеме):

   • Модели из серии CoolMOS C3/C6/C7 с близкими значениями Rds(on) и Qg (например, SPW47N60C3, IPP60R190C6).
   • Модели других производителей из списка выше, если основными критериями являются Vds=600-800В и Iд > 15А, Rds(on) < 250 мОм. Особое внимание — на заряд затвора (Qg) и характеристики встроенного диода (Qrr), так как от них зависят динамические потери и ЭМС.

3. Совместимость "напряжение/ток" (только для аварийной замены с глубоким анализом):

   • Можно рассматривать транзисторы с более высоким напряжением (800-900В) и сопоставимым или меньшим Rds(on), но они, как правило, дороже и могут иметь больший Qg.
   • Не рекомендуется использовать транзисторы с меньшим напряжением (например, 600В) в схемах, рассчитанных на 700В, особенно в сетевых приложениях с высокими скачками напряжения.

Важное предупреждение: Перед заменой на любую другую модель обязательно необходимо:

1. Сравнить даташиты по ключевым параметрам: Vds, Id, Rds(on), Qg, Qrr.
2. Проверить разводку выводов (pinout) корпуса.
3. Убедиться, что драйвер затвора способен обеспечить необходимый зарядный/разрядный ток для нового транзистора.
4. В идеале — провести тесты в реальной схеме на предмет КПД, теплового режима и устойчивости.