Infineon T1080N04TOF

Конечно, вот подробное описание силового транзистора Infineon T1080N04TOF.

Описание

Infineon T1080N04TOF — это N-канальный功率 MOSFET транзистор, выполненный по передовой технологии OptiMOS 4. Это высокоэффективный компонент, предназначенный для использования в силовых электронных устройствах, где критически важны низкие потери и высокая надежность.

Ключевые особенности и преимущества:

• Сверхнизкое сопротивление открытого канала (R_DS(on)): Одна из главных характеристик этого транзистора. Очень низкое значение сопротивления (всего 0,1 мОм при 10 В) означает минимальные потери мощности на нагрев в открытом состоянии, что приводит к высокой энергоэффективности устройства.
• Высший класс надежности: Благодаря технологии OptiMOS 4, компонент обладает повышенной стойкостью к перегрузкам и исключительной надежностью.
• Высокая рабочая температура: Корпус позволяет эффективно отводить тепло, а максимальная температура перехода составляет +175 °C.
• Оптимизирован для жестких условий: Идеально подходит для применений, где требуются высокие токи и низкие потери, таких как мощные импульсные источники питания, моторные приводы и системы управления батареями.
• Корпус TO-247: Классический и широко распространенный корпус для мощных компонентов, обеспечивающий удобный монтаж и хороший теплоотвод.

Основные области применения:

• Системы управления электромоторами (например, в промышленных приводах, электромобилях).
• Высокоточные сварочные аппараты.
• Мощные импульсные источники питания (SMPS) и преобразователи напряжения.
• Инверторы и приводы большой мощности.
• Системы управления батареями (BMS) для высокотоковых применений.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | Условия / Примечания | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-Channel MOSFET | OptiMOS 4 Technology | | Корпус | TO-247 | | | Сток-Исток напряжение (V_DSS) | 40 В | | | Непрерывный ток стока (I_D) | 1080 А | При T_c = 25°C | | Сопротивление откр. канала (R_DS(on)) | 0,1 мОм (макс.) | V_GS = 10 В | | | 0,12 мОм (макс.) | V_GS = 4,5 В | | Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)) | 2.3 ~ 3.7 В | | | Макс. напряжение затвор-исток (V_GS) | ±20 В | | | Общий заряд затвора (Q_g) | ~ 930 нКл | V_GS = 10 В | | Макс. рассеиваемая мощность (P_tot) | 830 Вт | При T_c = 25°C | | Диод обратного восстановления (Q_rr) | 5.5 мкКл | | | Температура перехода (T_j) | от -55 до +175 °C | |

Парт-номера (Part Numbers) и совместимые модели

Прямых аналогов с абсолютно идентичными характеристиками найти сложно, особенно с таким низким сопротивлением, однако существуют аналогичные по характеристикам и применению модели от других производителей, а также парт-номера для заказа.

Парт-номера Infineon (Ordering Codes)

• T1080N04TOF - основной парт-номер.
• T1080N04TOFXTMA1 - скорее всего, полный код для заказа, включающий информацию о упаковке (например, на ленте или в тубе).

Совместимые модели / Аналоги от других производителей

При поиске аналога необходимо обращать внимание на ключевые параметры: V_DSS = 40 В, I_D > 1000 А, R_DS(on) ~ 0.1 мОм и корпус TO-247.

Прямые аналоги (очень близкие по параметрам):

• Infineon IAUT300N04S4N012 - Хотя это часть другой серии (StrongIRFET), имеет схожие характеристики (40 В, 1080 А, 0.12 мОм).
• Vishay (Siliconix) SQF1000N40E-GE3 - 40 В, 1000 А, 0.11 мОм.

Аналоги от других производителей в том же классе:

• ON Semiconductor (Fairchild) FDH100N40F - 40 В, 100 А (номинал ниже), но с очень низким R_DS(on).
• STMicroelectronics STH315N40LF3 - 40 В, 240 А, 0.85 мОм (значительно уступает по току и сопротивлению, но может работать в схожих схемах при пересчете).

Важно!

1. Перед заменой всегда необходимо сверяться с даташитом (datasheet) конкретного компонента.
2. Обращайте внимание на распиновку (pinout) и значения паразитных емкостей, которые могут влиять на работу схемы управления.
3. Указанные аналоги являются близкими по основным параметрам, но не всегда являются полными функциональными заменами. Для критичных применений рекомендуется консультация с инженером.