Infineon SPW47N60S5
тел. +7(499)347-04-82
Описание Infineon SPW47N60S5
Отличный выбор! SPW47N60S5 — это мощный и надежный силовой MOSFET транзистор от Infineon, относящийся к их премиальной линейке CoolMOS™ S5 (Superjunction MOSFET). Он широко используется в импульсных источниках питания, корректорах коэффициента мощности (PFC), промышленных приводах и инверторах.
Краткое описание
Infineon SPW47N60S5 — это N-канальный MOSFET, созданный по суперджанкшенной технологии, которая обеспечивает исключительно низкое сопротивление канала в открытом состоянии (R DS(on)) при высоком рабочем напряжении. Ключевые преимущества серии S5:
- Высокая эффективность: Низкие потери на проводимость и переключение.
- Высокая надежность: Улучшенная стойкость к лавинным нагрузкам и перегрузкам.
- Оптимизирован для жесткого переключения (Hard-Switching): Идеально подходит для типовых топологий ИИП (мостовые, прямоходовые и т.д.).
- Встроенный обратный диод (Body Diode): С высокой скоростью восстановления, что важно для индуктивных нагрузок.
Основная сфера применения: Мощные импульсные блоки питания (SMPS), особенно в топологиях с жестким переключением, системы промышленной автоматики, ИБП.
Технические характеристики (ключевые параметры)
| Параметр | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-канальный MOSFET (Superjunction) | CoolMOS™ S5 | | Упаковка | TO-247 | Стандартный мощный корпус | | Сток-Исток напряжение (V DSS) | 650 В | Максимальное напряжение отключения | | Непрерывный ток стока (I D) при 25°C | 47 А | Зависит от условий охлаждения | | Сопротивление открытого канала (R DS(on)) | 0.065 Ом (макс.) при V GS=10 В | Очень низкое значение для такого напряжения | | Сопротивление открытого канала (R DS(on)) | 0.085 Ом (макс.) при V GS=4.5 В | Важно для работы от низкого управляющего напряжения | | Пороговое напряжение затвора (V GS(th)) | 3.0 - 5.0 В | Типовое 4.0 В | | Заряд затвора (Q g) | 120 нКл (тип.) | Определяет требования к драйверу | | Время включения (t d(on) / t r) | 15 нс / 55 нс (тип.) | Высокая скорость переключения | | Время выключения (t d(off) / t f) | 75 нс / 35 нс (тип.) | | | Макс. температура перехода | 175 °C | | | Характеристики встроенного диода | Прямой ток (I SD) 47 А, Время обратного восстановления (t rr) 110 нс (тип.) | |
Парт-номера (Part Numbers) и аналоги
Прямые аналоги от Infineon (в других корпусах или с незначительными отличиями):
- SPW47N60S5-13 – Уточненный порядковый номер, часто используется в спецификациях.
- IPP47N60S5-13 – Аналогичная модель в корпусе TO-220 FullPAK (пластиковый корпус без металлической площадки).
- IPW47N60S5 – В корпусе TO-247 Plus (с увеличенными выводами).
- SPW47N60S5 E6747 – Вариант с определенным производственным кодом.
Совместимые / Аналогичные модели от других производителей (Cross-Reference):
Внимание! При замене всегда необходимо сверять даташиты, особенно по заряду затвора (Q g), внутренней индуктивности и характеристикам диода. Эти модели имеют схожие электрические параметры и часто используются в одних и тех же слотах плат.
- STMicroelectronics: STW47N60M5, STW45NM60FD
- ON Semiconductor (Fairchild): FCA47N60S5, FCH47N60S5
- Vishay (Siliconix): SIH47N60E5
- IXYS: IXFH47N60S5
- Power Integration (через сторонние бренды): Могут использоваться в их референс-дизайнах.
Часто задаваемый вопрос: SPW47N60S5 vs. SPW47N60C3
- SPW47N60S5 (серия S5): Оптимизирован для жесткого переключения (Hard-Switching). Лучший выбор для большинства ИБП.
- SPW47N60C3 (серия C3 / CoolMOS™ C3): Оптимизирован для резонансного переключения (Soft-Switching, LLC, ZVS). Имеет другие динамические характеристики. Не является прямой заменой без пересчета схемы!
Итог
Infineon SPW47N60S5 — это мощный, эффективный и проверенный временем компонент для построения надежных силовых каскадов на напряжение до 650 В. Его ключевые преимущества — низкое R DS(on) и высокая перегрузочная способность. При поиске замены в первую очередь стоит рассматривать прямые аналоги Infineon в нужном корпусе, а затем — аналоги от STM или ON Semiconductor, внимательно сравнивая критические для вашей схемы параметры.