Infineon SPP80P06PH

Отличный выбор! SPP80P06PH — это мощный P-канальный MOSFET от Infineon, популярный в силовой электронике.

Описание

Infineon SPP80P06PH — это P-канальный MOSFET, выполненный в классическом корпусе TO-220. Он предназначен для коммутации значительных токов и напряжений. Ключевые особенности, делающие его популярным:

• P-канал: Управляется отрицательным напряжением относительно истока (S). Это удобно, например, для коммутации "верхнего плеча" (high-side) в схемах, где нагрузка подключается к "земле".
• Высокий ток: Способен коммутировать до 80А в импульсе, что делает его пригодным для мощных нагрузок (двигатели, нагреватели, источники питания).
• Низкое сопротивление открытого канала (RDS(on)): Всего 23 мОм при 10В на затворе. Это минимизирует потери мощности и нагрев в открытом состоянии.
• Планаровая технология: Обеспечивает высокую надежность и стабильность параметров.
• Основные применения:
  • Управление двигателями (DC, шаговыми).
  • Силовые ключи в импульсных источниках питания (DC-DC преобразователи).
  • Системы управления батареями (например, защита от переполюсовки).
  • Коммутация мощных нагрузок (реле, лампы, нагреватели).
  • Мостовые и полумостовые схемы (H-мосты для моторов).

Технические характеристики (кратко)

| Параметр | Значение | Условия | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | P-канальный MOSFET | — | | Корпус | TO-220 | | | Структура | Планаровая (Planar) | | | Макс. напряжение "сток-исток" (V_DSS) | -60 В | | | Макс. непрерывный ток стока (I_D) | -80 А | при T_c = 25°C | | Сопротивление открытого канала (R_DS(on)) | ≤ 23 мОм | V_GS = -10 В, I_D = -40 А | | | ≤ 30 мОм | V_GS = -4.5 В, I_D = -25 А | | Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)) | от -2 до -4 В | I_D = -250 мкА | | Макс. напряжение "затвор-исток" (V_GS) | ±20 В | | | Общий заряд затвора (Q_g) | ~ 75 нКл (тип.) | V_GS = -10 В | | Мощность рассеяния (P_tot) | 125 Вт | на теплоотводе (при T_c = 25°C) | | Диод истока-стока | Встроенный обратный диод (body diode) | |

Part-номера (артикулы)

У этого транзистора есть несколько вариантов артикулов в зависимости от упаковки:

• SPP80P06PHXKSA1 – Стандартная упаковка (возможно, на ленте/в тубе).
• SPP80P06PHXKSA2 – Упаковка для автоматического монтажа (на ленте, Ammo Pack).
• SPP80P06PH – Базовое наименование, общее для всех.

Совместимые и аналогичные модели (Прямые аналоги и замены)

При поиске замены важно смотреть на ключевые параметры: P-канал, V_DSS = -60В, I_D > 70А, низкое R_DS(on), корпус TO-220.

Аналоги от Infineon (более новые или аналогичные серии):

• IPP80P06P4 – Более современный аналог в корпусе TO-220 FullPAK (пластиковый, без металлической площадки), с улучшенными характеристиками.
• IRF4905 – Классический и широко известный P-канальный MOSFET от International Rectifier (ныне Infineon) с параметрами -55В, -74А, 20 мОм. Часто используется как функциональная замена.
• IRF9Z34N – (-55В, -91А, 22 мОм). Мощнее по току.

Аналоги от других производителей (Cross-Reference):

• STMicroelectronics: STP80PF55 (-55В, -80А, 16 мОм) – очень близкий и популярный аналог.
• Vishay / Siliconix: SUP80P06-08 (-60В, -80А, 23 мОм) – практически полный аналог.
• Fairchild / ON Semiconductor: FQP80P06 (-60В, -80А, 23 мОм) – прямой функциональный аналог.
• NXP: Небольшой ассортимент P-каналов такой мощности, можно искать по параметрам.

Что важно при замене:

1. Распиновка (Pinout): У всех перечисленных аналогов в корпусе TO-220 стандартная распиновка: 1 - Затвор (G), 2 - Исток (S), 3 - Сток (D). Но всегда лучше проверять даташит.
2. Параметры: Особенно критичны V<sub>DSS</sub>, I<sub>D</sub> и R<sub>DS(on)</sub>. Новые аналоги могут иметь лучшие характеристики.
3. Характеристики диода: Время восстановления встроенного диода (Q_rr) важно для импульсных схем.

Рекомендация: Перед заменой всегда сверяйтесь с действующими даташитами обоих компонентов, особенно если схема работает на высоких частотах или в критичных по эффективности применениях. Для большинства простых ключевых задач перечисленные аналоги подходят.