Infineon SPP20N60C3XK

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые модели для силового MOSFET транзистора Infineon SPP20N60C3XK.

Общее описание

Infineon SPP20N60C3XK — это N-канальный MOSFET-транзистор, выполненный по передовой технологии CoolMOS™ C3. Это ключевой компонент, предназначенный для высокоэффективных и надежных импульсных источников питания (SMPS), особенно в схемах коррекции коэффициента мощности (PFC) и силовых инверторов.

Основная цель технологии CoolMOS™ C3 — радикальное снижение ключевых потерь (особенно динамических) по сравнению со стандартными MOSFET. Это достигается за счет оптимизированной ячейковой структуры, что приводит к выдающемуся соотношению сопротивления открытого канала (RDS(on)) к запасу энергии в открытом состоянии (Eoss).

Ключевые преимущества:

• Очень низкое сопротивление RDS(on): Минимизирует проводимые потери и нагрев.
• Высокая скорость переключения: Позволяет работать на высоких частотах, уменьшая габариты пассивных компонентов (трансформаторов, дросселей).
• Отличная устойчивость к лавинным пробоям: Высокая энергия лавинного пробоя обеспечивает надежность при работе в жестких условиях и индуктивных нагрузках.
• Низкий заряд затвора (Qg): Упрощает управление и снижает потери в драйвере.
• Встроенный обратный диод (Body Diode): с контролируемым временем восстановления, что важно для мостовых и резонансных схем.

Основные технические характеристики (ТХ)

| Параметр | Значение | Единица измерения | Примечание | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Структура | N-канальный, Enhancement Mode | — | Технология CoolMOS™ C3 | | Корпус | TO-220 | — | Пластиковый, с отверстием для крепления на радиатор | | Напряжение "сток-исток" | V_DSS = 600 | В | Максимальное напряжение отключения | | Сопротивление открытого канала | R_DS(on) ≤ 0.19 | Ом | При V_GS=10 В, I_D=10 А (типовое ~0.16 Ом) | | Максимальный постоянный ток стока | I_D = 20 | А | При T_C=25°C | | Максимальный импульсный ток стока | I_DM = 80 | А | | | Пороговое напряжение затвора | V_GS(th) = 3.0 - 5.0 | В | Типовое 4.0 В | | Заряд затвора | Q_g ≈ 60 | нКл | При V_GS=10 В (типовое значение, влияет на требования к драйверу) | | Энергия лавинного пробоя | E_AS = 640 | мДж | Одиночный импульс (показатель надежности) | | Максимальная рассеиваемая мощность | P_tot = 190 | Вт | При T_C=25°C (с радиатором) | | Температура перехода | T_J = -55 ... +150 | °C | |

Парт-номера (Part Numbers) и аналоги

Производитель Infineon часто присваивает транзисторам несколько номеров в зависимости от упаковки (катушка, россыпь) или небольших производственных ревизий. Основные парт-номера для этой модели:

• SPP20N60C3 — базовая модель в корпусе TO-220. Буквы "XK" в конце (SPP20N60C3XK) обычно обозначают вариант упаковки (например, на катушке для автоматического монтажа) или незначительную ревизию. Электрически это идентичное устройство.
• SPP20N60C3-XX (где XX — различные суффиксы).

Совместимые модели и аналоги (прямые и функциональные замены)

При поиске замены важно учитывать не только основные параметры (V_DSS, I_D), но и динамические характеристики (R_DS(on), Q_g, скорость переключения), а также корпус.

1. Прямые аналоги от Infineon (технология CoolMOS C3):

• IPW20N60C3 / IPP20N60C3 — практически полные аналоги в корпусах TO-247 и TO-220 соответственно. Имеют очень схожие или идентичные электрические параметры. Корпус TO-247 (IPW) имеет лучшее тепловое сопротивление.
• SPP20N60C3 (без "XK") — как указано выше, это одна и та же модель.

2. Функциональные аналоги от других производителей (с близкими параметрами 600В / ~20А):

Важно: Полной электрической идентичности может не быть. Необходима проверка по даташиту, особенно в критичных по динамике схемах.

• STMicroelectronics:
  • STP20N60M2 (технология MDmesh™ M2) — хороший аналог по напряжению и току.
  • STW20N60M2 (в корпусе TO-247).
• ON Semiconductor / Fairchild:
  • FCP20N60 / FCP20N60F — транзисторы из серии SuperFET® или QFET®.
  • FQA20N60 (в корпусе TO-3P).
• Vishay (Siliconix):
  • SUP20N60-18 (серия Power MOSFET).
• IXYS (Littelfuse):
  • IXFH20N60 — высоконадежные транзисторы.

3. Модели для новой разработки (более современные аналоги):

Infineon постоянно развивает линейку. Для новых проектов стоит рассмотреть более новые поколения CoolMOS, которые могут иметь лучшие параметры:

• CoolMOS™ C7 / CFD7: Для самых высокоэффективных решений (например, IPW60R041C7). Имеют значительно лучшие показатели.
• CoolMOS™ P7: Оптимизированы для высокой надежности и простоты управления.
• CoolMOS™ CE: Экономичное поколение, баланс цены и эффективности.

Области применения

• Импульсные источники питания (SMPS) средней и большой мощности.
• Корректоры коэффициента мощности (PFC) в блоках питания для ПК, серверов, промышленного оборудования.
• Инверторы (например, для сварочных аппаратов, сервоприводов).
• Резонансные преобразователи (LLC).
• Системы управления двигателями.

Важное замечание: При замене всегда сверяйтесь с полным даташитом, особенно разделы, касающиеся динамических характеристик, параметров встроенного диода и безопасной рабочей области (SOA). Для критичных применений рекомендуется проводить тестовые испытания.