Infineon SPP20N60C3HKSA1

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики и информация о совместимости для силового MOSFET транзистора Infineon SPP20N60C3HKSA1.

Описание

SPP20N60C3HKSA1 — это N-канальный MOSFET-транзистор в корпусе TO-220, использующий передовую технологию CoolMOS™ C3 от Infineon. Это ключевой компонент, разработанный для высокоэффективных и надежных импульсных источников питания (SMPS) и других приложений, требующих высокого напряжения и низких динамических потерь.

Основные особенности и преимущества:

• Технология CoolMOS™ C3: Обеспечивает исключительно низкое значение RDS(on) (сопротивление в открытом состоянии) для своего класса, что минимизирует проводимые потери и нагрев.
• Высокое напряжение сток-исток (VDS): 600 В — делает его идеальным для работы в сетях 220В/380В (с запасом).
• Оптимизированные динамические характеристики: Быстрое переключение с низкими потерями на включение/выключение (Eon/Eoff), что критически важно для повышения общей эффективности (КПД) преобразователя.
• Высокая стойкость к лавинному пробою: Увеличивает надежность в жестких условиях работы (например, при индуктивных выбросах напряжения).
• Планарная (Planar) технология: Обеспечивает отличное соотношение цена/качество и высокую повторяемость параметров.
• Корпус TO-220: Универсальный, удобный для монтажа и позволяет эффективно отводить тепло через радиатор.

Типичные области применения:

• Импульсные источники питания (SMPS): PFC-каскады (корректор коэффициента мощности), основные силовые ключи в прямоходовых, мостовых и полумостовых топологиях.
• Инверторы и драйверы для двигателей.
• Источники бесперебойного питания (ИБП).
• Системы промышленной автоматизации.
• Сварочное оборудование.

Ключевые технические характеристики (ТХ)

| Параметр | Обозначение | Значение | Условия / Примечание | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Напряжение "сток-исток" | V_DSS | 600 В | Максимальное рабочее напряжение | | Сопротивление "сток-исток" в откр. сост. | R_DS(on) | 0.19 Ом (макс.) | При V_GS = 10 В, I_D = 10 А | | Постоянный ток стока | I_D | 20 А | При T_C = 25°C | | Импульсный ток стока | I_DM | 80 А | - | | Мощность рассеяния | P_tot | 190 Вт | На монтажной плате с радиатором (T_C = 25°C) | | Пороговое напряжение затвора | V_GS(th) | 3.0 - 5.0 В | Тип. 4.0 В | | Заряд затвора | Q_g | 60 нКл (тип.) | Важный параметр для расчета драйвера | | Емкость "вход-выход" | C_oss | 115 пФ (тип.) | При V_DS = 25 В | | Время включения / выключения | t_d(on) / t_d(off)| 18 нс / 65 нс (тип.) | | | Температура перехода | T_J | от -55 до +150 °C | Максимальная рабочая температура кристалла | | Корпус | - | TO-220 | Изолированный или неизолированный вариант (проверяйте маркировку) |

Парт-номера (Part Numbers) и аналоги

Один и тот же кристалл может поставляться в разных корпусах или с разными префиксами. Прямые аналоги в семействе CoolMOS C3 от Infineon:

• SPP20N60C3 (основной коммерческий номер, часто без "HKSA1" в конце. "HKSA1" может указывать на особенности упаковки/поставки).
• SPP20N60C3-XX (где XX — варианты корпуса, например, для изолированного TO-220FP).
• IPD20N60C3 — аналог в корпусе TO-252 (DPAK) для поверхностного монтажа (SMD).
• IPP20N60C3 — аналог в корпусе TO-220 FullPAK (без выступающей металлической площадки).

Совместимые модели / Прямые аналоги от других производителей

При поиске замены критически важно сверять не только основные параметры (V_DSS, I_D, R_DS(on)), но и динамические характеристики (Q_g, C_oss) и цоколевку.

Рекомендуемые аналоги (с очень близкими параметрами):

1. STMicroelectronics:

   • STP20N60M2 (технология MDmesh™ M2). Очень популярный и распространенный аналог.
   • STW20N60M2 (в корпусе TO-247).

2. ON Semiconductor / Fairchild:

   • FCP20N60 (SuperMOS™).
   • FCH20N60 — также хороший аналог.

3. Vishay / Siliconix:

   • SUD20N60-50 (технология PowerMOS).
   • IRFB20N60K (линейка International Rectifier, теперь Vishay).

4. Toshiba:

   • TK20A60W (DTMOS IV).

Важное замечание по замене:

• Перед установкой аналога всегда проверяйте распиновку корпуса (pinout), так как в редких случаях она может отличаться.
• Для достижения максимальной эффективности исходной схемы лучше всего использовать оригинальный SPP20N60C3 или его прямые корпусные аналоги от Infineon (IPD, IPP).
• Указанные аналоги от ST, ON и Vishay являются классическими и проверенными заменами в ремонте и новых разработках, но в высокооптимизированных по КПД блоках питания может потребоваться проверка рабочих режимов.

Вывод: Infineon SPP20N60C3HKSA1 — это высококачественный и надежный MOSFET, являющийся отраслевым стандартом для построения мощных и эффективных импульсных источников питания. При необходимости замены имеет широкий спектр прямых и перекрестных аналогов от ведущих мировых производителей.