Infineon SPP07N60C3XKSA1

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики и информация о совместимости для силового MOSFET транзистора Infineon SPP07N60C3XKSA1.

Общее описание

SPP07N60C3XKSA1 — это N-канальный MOSFET транзистор, выполненный по передовой технологии CoolMOS™ C3 от Infineon. Эта серия является эволюцией классических высоковольтных MOSFET и оптимизирована для достижения выдающегося баланса между низким сопротивлением в открытом состоянии (RDS(on)) и зарядом затвора (Qg).

Ключевая цель применения: Повышение энергоэффективности и плотности мощности в импульсных источниках питания (SMPS), особенно в топологиях с жестким переключением (hard-switching), таких как Flyback, Forward, Half-Bridge, PFC (корректор коэффициента мощности).

Основные преимущества технологии CoolMOS C3:

• Низкие коммутационные потери: Благодаря оптимизированным динамическим характеристикам.
• Высокая эффективность: Особенно в рабочих режимах от средней до полной нагрузки.
• Высокая надежность и стойкость к лавинным процессам.
• Улучшенное соотношение RDS(on) к площади кристалла.

Технические характеристики (кратко)

| Параметр | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-канальный MOSFET | Enhancement mode | | Технология | CoolMOS™ C3 | | | Корпус | TO-220FP | Изолированный (FullPAK), тепловое сопротивление "кристалл-радиатор" ~0.5 К/Вт | | Сток-Исток напряжение (VDSS) | 600 В | Максимальное напряжение отключения | | Непрерывный ток стока (ID) при 25°C | 7.2 А | | | Сопротивление RDS(on) | 0.45 Ом (макс.) | При VGS = 10 В, ID = 3.6 А, Tj = 25°C | | Заряд затвора (Qg) | 28 нКл (тип.) | При VGS = 10 В, ID = 3.6 А — ключевой параметр для драйвера | | Пороговое напряжение затвора (VGS(th))| 3 - 5 В | Тип. 4 В | | Макс. мощность рассеяния (PD) | 125 Вт | При Tc = 25°C | | Диод обратного восстановления | Сверхбыстрый | Встроенный body-diode с улучшенными характеристиками |

Полный список парт-номеров (аналогов от других производителей)

Прямые функциональные аналоги, которые можно рассматривать для замены (всегда требуется проверка по datasheet и в конкретной схеме):

1. STMicroelectronics: STP7NK60ZFP, STP7NK60Z (аналоги по технологии, но не C3).
2. Fairchild/ON Semiconductor: FCP7N60, FCP7N60F (аналоги в изолированном корпусе).
3. Vishay/Siliconix: SPP7N60C3 (практически полный аналог, часто тот же кристалл).
4. Power Integration (в составе своих решений, но как дискретный компонент редко).
5. Более старые аналоги "первого поколения": IRFBC40, BUZ90A — имеют значительно худшие динамические характеристики и большее RDS(on).

Важно: Наиболее близкие аналоги по технологии и характеристикам — это другие транзисторы линейки CoolMOS C3 от Infineon (например, SPPxxN60C3, где xx — ток) или аналоги от Vishay, который часто производит детали по лицензии/по аналогичным техпроцессам.

Совместимые и аналогичные модели в семействе CoolMOS C3 (Infineon)

Для проектирования или замены можно выбирать соседние по номиналу модели из той же серии и корпуса. Они имеют идентичные динамические характеристики и различаются в основном током и сопротивлением.

• Для меньшей мощности:
  • SPP04N60C3 (TO-220FP) - 4А, RDS(on) ~ 1 Ом
  • SPP06N60C3 (TO-220FP) - 6А, RDS(on) ~ 0.65 Ом
• Для большей мощности (в том же корпусе TO-220FP):
  • SPP08N60C3 (TO-220FP) - 8А, RDS(on) ~ 0.38 Ом
  • SPP11N60C3 (TO-220FP) - 11А, RDS(on) ~ 0.27 Ом
  • SPP20N60C3 (TO-247) - 20А, RDS(on) ~ 0.19 Ом (более крупный корпус TO-247)

Рекомендация по замене: При выборе аналога или замене на соседнюю модель обязательно сверяйтесь с официальными даташитами, обращая внимание на:

1. Распиновку корпуса (она стандартна для TO-220FP, но лучше проверить).
2. Ключевые динамические параметры: Qg, RDS(on) при вашем рабочем токе.
3. Характеристики встроенного обратного диода (trr, Qrr).
4. Емкости Ciss, Coss, Crss.

Данный транзистор является надежным и популярным решением для построения сетевых (220В) импульсных блоков питания мощностью примерно до 150-250 Вт.