Infineon SPD30N06S2-23

Артикул: 564848

Требуется установка или ремонт?

тел. +7(499)347-04-82

Описание

Описание Infineon SPD30N06S2-23

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые модели для Infineon SPD30N06S2-23.

Общее описание

SPD30N06S2-23 — это N-канальный MOSFET-транзистор в компактном корпусе TO-252 (DPAK), разработанный для коммутации средних и высоких токов в импульсных источниках питания, DC-DC преобразователях, управлении двигателями (например, в автомобильной электронике, компьютерной периферии) и цепях управления нагрузкой.

Ключевые особенности, которые делают его популярным:

Низкое сопротивление открытого канала (RDS(on)): Всего 23 мОм при 10В на затворе. Это минимизирует потери мощности и нагрев при коммутации больших токов.
Высокий импульсный ток: Способен выдерживать кратковременные импульсы тока до 120А, что важно для пусковых режимов и индуктивных нагрузок.
Быстрое переключение: Благодаря технологии OptiMOS™, обеспечивает высокую эффективность в импульсных схемах.
Логический уровень управления: Полностью открывается при напряжении затвор-исток (VGS) от 4.5В до 10В, что позволяет управлять им напрямую от микроконтроллеров (5В) без драйверов.
Встроенный защитный диод: Быстрый обратный диод между стоком и истоком для защиты от выбросов ЭДС индуктивности.

Основные технические характеристики (ТХ)

Парт-номера и прямые аналоги (Функционально и конструктивно идентичные)

Эти модели имеют полную или почти полную взаимозаменяемость по распиновке, корпусу и ключевым параметрам. Всегда рекомендуется сверяться с даташитом перед заменой.

От Infineon (разные маркировки/логи):

SPD30N06S2-25 — предыдущая/близкая версия с RDS(on) = 25 мОм.
IPP030N06N3 — аналог из серии OptiMOS 3 в корпусе TO-220, но с другими тепловыми характеристиками.

От других производителей (очень близкие аналоги):

STMicroelectronics: STP30N06L (классический логический MOSFET, RDS(on) = 30 мОм).
Vishay (Siliconix): SQJ030EL (очень близкие параметры).
Fairchild/ON Semiconductor: FDP030N06 (FDP030N06A, FDP030N06B — схожие серии).
International Rectifier: IRF7413 (логический уровень, подходит для замены).
NXP: Не имеет прямого аналога с идентичными параметрами в DPAK, но можно подобрать по характеристикам.

Совместимые модели для замены (Требуется проверка по даташиту!)

Эти транзисторы могут использоваться в тех же схемах, но могут иметь некоторые отличия в пороговом напряжении, заряде затвора, динамических характеристиках или максимальных параметрах. Замена возможна, но требует внимательности.

Более мощные / с лучшими параметрами (апгрейд):

Infineon IPD030N06N3 G (в корпусе TO-252) — из более новой серии OptiMOS™, имеет меньшее RDS(on) (~ 3.0 мОм) при том же токе и напряжении.
Infineon IPP030N06N3 (в корпусе TO-220) — для установки на радиатор, лучшее охлаждение.
STMicroelectronics STP36N06L (36А, 60В, RDS(on) ~ 26 мОм) — немного более высокий ток.
Vishay SUP60N06-09 (60А, 60В, RDS(on) ~ 9 мОм) — значительно более мощный.

Схожие по характеристикам (даунгрейд или боковая замена):

IRFZ44N (в TO-220) — классика, но RDS(on) выше (~ 22 мОм), и не логический уровень (требует 10В для полного открытия).
IRF7416 (логический уровень, в SO-8, но менее мощный).
Аналоги с напряжением 55В-65В и током 25-40А в корпусе DPAK от различных производителей (Alpha & Omega, Diodes Inc., etc.).

Важные замечания при замене:

Корпус: Обращайте внимание на тип корпуса (DPAK, TO-220, SO-8). От этого зависит монтаж и теплоотвод.
Логический уровень: Если схема рассчитана на управление 5В, заменяйте только на MOSFET с пометкой Logic Level или низким порогом VGS(th).
RDS(on): Меньшее значение — лучше (меньше нагрев), но может повлиять на динамику переключения.
Заряд затвора (Qg): Если в схеме слабый драйвер, замена на транзистор с большим Qg может привести к медленному открытию и перегреву.
Встроенный диод: Убедитесь, что у аналога он есть, особенно в схемах с индуктивной нагрузкой.

Рекомендация: Для гарантированной совместимости всегда используйте официальный даташит (datasheet) как оригинальной детали, так и предполагаемой замены, особенно при работе в критичных по надежности или эффективности устройствах.