Infineon SPB70N10L

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые аналоги для полевого транзистора Infineon SPB70N10L.

Описание

Infineon SPB70N10L — это N-канальный MOSFET (полевой транзистор с изолированным затвором) в корпусе TO-220, разработанный для применения в ключевых схемах, где требуется низкое сопротивление в открытом состоянии (Rds(on)) и высокая эффективность.

Этот транзистор относится к серии SPB (StrongIRFET™), которая оптимизирована для работы в диапазоне напряжений 60-150В и характеризуется:

• Высокой стойкостью к динамическим нагрузкам (высокий ток пульсаций).
• Оптимальным соотношением заряда затвора (Qg) и сопротивления Rds(on), что позволяет снизить потери на переключение и проводимость.
• Отличной способностью к работе с линейной нагрузкой (в области安全工作ой работы, SOA).
• Сверхбыстрым внутренним диодом (интегрированный обратный диод с низким временем восстановления, Qrr), что снижает потери в инверторах, импульсных источниках питания и мостовых схемах.

Основные области применения:

• Импульсные источники питания (SMPS), особенно в первичной стороне.
• DC-DC преобразователи.
• Низковольтные приводы двигателей (например, в электроинструменте, вентиляторах).
• Схемы управления нагрузкой (силовые ключи).
• Инверторы (например, для автомобильной аудиотехники).

Ключевые технические характеристики

| Параметр | Значение | Условия измерения / Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-канальный, Enhancement Mode (нормально закрытый) | — | | Корпус | TO-220 | Открытый, с монтажным отверстием | | Сток-Исток напряжение (Vds) | 100 В | Максимальное постоянное напряжение | | Ток стока (Id) | 70 А | При Tc=25°C (температура корпуса) | | Ток стока (Id) | 40 А | При Tc=100°C | | Импульсный ток стока (Idm) | 280 А | — | | Сопротивление открытого канала (Rds(on)) | 9.5 мОм (макс.) | При Vgs=10 В, Id=35 А | | Пороговое напряжение затвора (Vgs(th)) | 2.0 - 4.0 В | Стандартный диапазон | | Напряжение затвор-исток (Vgs) | ±20 В (макс.) | Максимальное (не превышать!) | | Общий заряд затвора (Qg) | ~70 нКл (тип.) | При Vgs=10 В, влияет на скорость переключения | | Время включения (td(on)+tr) | ~18 нс (тип.) | — | | Время выключения (td(off)+tf) | ~36 нс (тип.) | — | | Характеристика внутреннего диода | Сверхбыстрый, интегрированный | | | Заряд восстановления диода (Qrr) | ~120 нКл (тип.) | Низкое значение снижает коммутационные потери | | Максимальная рассеиваемая мощность (Pd) | ~200 Вт | Зависит от условий теплоотвода (при Tc=25°C) | | Диапазон рабочих температур (Tj) | -55 ... +175 °C | — |

Парт-номера и варианты маркировки

• Основной парт-номер производителя: SPB70N10L
• Полное обозначение на заказ: SPB70N10LXT (где "XT" может указывать на вариант упаковки, например, на катушке).
• Типичная маркировка на корпусе (TO-220):
  • Первая строка: SPB70N10L
  • Вторая строка: Код даты/лотии (например, G343).

Совместимые модели / Аналоги (прямые и близкие замены)

При поиске аналога важно учитывать не только основные параметры (Vds, Id, Rds(on)), но и динамические характеристики (Qg, Qrr), а также цоколевку.

Ближайшие прямые аналоги от Infineon:

• IPP070N10N3 G — Более новая и эффективная модель из серии OptiMOS™, с лучшими характеристиками (Rds(on) ~ 7.0 мОм). Часто считается рекомендуемой модернизацией.
• IPB070N10N3 G — Аналог IPP070N10N3 G, но в корпусе TO-263 (D2PAK) для поверхностного монтажа.
• SPB80N10L — Транзистор из той же серии SPB с чуть более высоким током (80А) и аналогичным Rds(on).

Аналоги от других производителей (прямые и функциональные замены):

| Производитель | Парт-номер | Ключевые отличия / Примечание | | :--- | :--- | :--- | | STMicroelectronics | STP70N10L | Очень близкий прямой аналог, практически полный аналог по параметрам. | | Vishay / Siliconix | SUP70N10-10 | Аналогичные характеристики, проверенный аналог. | | ON Semiconductor | FDP70N10 | Функциональная замена, хорошие характеристики. | | Fairchild / ON Semi | FQP70N10 | Аналог в корпусе TO-220. | | IR (International Rectifier) | IRF2807 | Классический аналог, но с чуть более высоким Rds(on) (~11 мОм). Широко распространен. |

Важные замечания по замене:

1. Всегда сверяйте datasheet! Перед заменой необходимо сравнить ключевые параметры, особенно цоколевку (распиновку), пороговое напряжение Vgs(th), заряды Qg и Qrr, а также диаграммы безопасной рабочей области (SOA).
2. Корпус: Обращайте внимание на типы корпусов (TO-220, TO-220FP, TO-263, DPAK). Они могут иметь разные габариты и требования к монтажу.
3. Для новых разработок рекомендуется рассматривать более современные серии, такие как Infineon OptiMOS™, STmicroelectronics STripFET™ или Vishay TrenchFET®, так как они предлагают лучшие показатели эффективности при сравнимой цене.

Вывод: SPB70N10L — это надежный, проверенный временем силовой MOSFET для средних мощностей, который можно успешно заменить как прямыми аналогами (STP70N10L), так и более современными моделями (IPP070N10N3 G) для повышения КПД системы.