Infineon SPB35N10

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые модели для полевого транзистора Infineon SPB35N10.

Общее описание

SPB35N10 — это N-канальный MOSFET транзистор, выполненный по передовой технологии SuperSO8 (также известной как PowerSO8 или LFPAK). Этот корпус имеет очень низкое тепловое сопротивление и предназначен для эффективного отвода тепла через контакт стока на печатную плату (технология DirectFET от Infineon является аналогом). Транзистор оптимизирован для коммутации высокой частоты в компактных и высокоэффективных источниках питания, DC-DC преобразователях, цепях управления двигателями и синхронного выпрямения.

Ключевые особенности:

• Высокая эффективность: Очень низкое сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) минимизирует потери на проводимость.
• Высокая скорость переключения: Малая величина зарядов затвора (Qg) и выходной емкости (Coss) позволяет работать на высоких частотах (сотни кГц и выше), снижая потери на переключение.
• Отличные тепловые характеристики: Корпус SuperSO8 обеспечивает эффективный отвод тепла через контакт стока на плату.
• Низкопрофильный корпус: Высота всего около 1 мм, что критично для современных тонких устройств.

Основные технические характеристики (ТТХ)

При VGS = 10 В и Tj = 25°C, если не указано иное.

| Параметр | Значение | Единица измерения | Комментарий | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Структура | N-канальный, Enhancement Mode | — | MOSFET | | Корпус | SuperSO8 (PG-TDSON-8) | — | Пластиковый, с открытой теплоотводящей площадкой | | Напряжение "сток-исток" | VDS = 100 | В | Максимальное напряжение | | Ток стока (непрерывный) | ID = 35 | А | При Tc=25°C | | Ток стока (импульсный) | IDM = 140 | А | Максимальный пиковый ток | | Сопротивление в открытом состоянии | RDS(on), max = 9.5 | мОм | Ключевой параметр для потерь на проводимость | | Пороговое напряжение затвора | VGS(th), typ = 2.8 | В | Минимальное напряжение для открытия | | Заряд затвора (полный) | Qg, typ = 32 | нКл | Влияет на потери при переключении и требования к драйверу | | Входная емкость | Ciss, typ = 1600 | пФ | | | Выходная емкость | Coss, typ = 350 | пФ | | | Емкость обратной связи | Crss, typ = 50 | пФ | | | Максимальная рассеиваемая мощность | PD = 4.4 | Вт | Зависит от условий теплоотвода | | Температура перехода | Tj, max = 150 | °C | |

Парт-номера и аналогичные модели от Infineon

Официальный полный парт-номер включает в себя информацию о упаковке. Часто в спецификациях и на сайтах дистрибьюторов используется базовая часть.

• SPB35N10S5-03 — основной парт-номер. Суффикс указывает на ревизию и упаковку.
• SPB35N10S5-03XT — вариант для автоматизированного монтажа (на ленте, Tape & Reel).

Совместимые и аналогичные модели (прямые и функциональные замены)

При поиске замены необходимо сверять не только основные параметры (VDS, ID, RDS(on)), но и динамические характеристики (Qg, Ciss), корпус и распиновку.

1. Прямые аналоги в корпусе SuperSO8/PowerSO8 (от других производителей):

• STMicroelectronics: STL35N10F7 (очень близкий аналог по параметрам и корпусу).
• Nexperia: PSMN1R0-100YS (может иметь лучшее RDS(on), но необходимо проверять распиновку в документации).
• Vishay/Siliconix: SiRA04DP (аналогичный класс, но всегда нужно сверять даташит).

2. Функциональные аналоги от Infineon (в том же или похожем корпусе):

• BSC035N10NS5 — аналог из другой линейки Infineон (OptiMOS 5), часто с улучшенными параметрами (ниже RDS(on) или Qg). Важно: Может быть прямым дроп-ин заменой, но требует проверки.
• IPP035N10N5 — аналог в корпусе TO-220 (сквозное отверстие). Подходит, если не критична экономия места, а важна простота монтажа и теплоотвод через радиатор.
• IRF7416 (от Infineon/IR) — более старая модель, но может подходить по основным параметрам в некоторых применениях.

3. Общие рекомендации по поиску аналога:

1. Определите критичные параметры: Для вашего применения важнее низкое RDS(on) (потери на нагрев) или низкий Qg (высокочастотная работа)?
2. Корпус: Обязательно учитывайте тип корпуса (SuperSO8) и его распиновку. Не все 8-выводные корпуса одинаковы.
3. Используйте инструменты: Лучший способ — воспользоваться параметрическим поиском на сайтах производителей (Infineon, ST, Nexperia) или агрегаторов (например, Octopart, LCSC, FindChips), задав фильтры: VDS=100V, ID>=35A, Корпус: PowerSO8/SuperSO8/LFPAK.
4. Всегда проверяйте даташит: Перед заменой обязательно скачайте и сравните технические описания (datasheet) оригинальной детали и предполагаемого аналога, особенно разделы Absolute Maximum Ratings, Electrical Characteristics и Package Outline.

Вывод: Infineon SPB35N10 — это высокоэффективный MOSFET для мощных компактных преобразователей. Его прямым и наиболее совместимым аналогом часто является STL35N10F7 от STMicroelectronics, однако для окончательного выбора замены необходим анализ полного даташита и требований конкретной схемы.