Infineon SPB04N60C3

Infineon SPB04N60C3
Артикул: 564828

Требуется установка или ремонт?

сервисный центр Kypidetali!

тел. +7(499)347-04-82

Описание Infineon SPB04N60C3

Конечно, вот подробное описание силового MOSFET транзистора Infineon SPB04N60C3, его технические характеристики, парт-номера и совместимые аналоги.

Описание

Infineon SPB04N60C3 — это N-канальный мощный MOSFET-транзистор, изготовленный по передовой технологии Super Junction (CoolMOS™ C3). Он предназначен для использования в импульсных источниках питания (SMPS), коррекции коэффициента мощности (PFC) и других энергоэффективных приложениях, где требуются высокое напряжение, низкое сопротивление в открытом состоянии и высокая скорость переключения.

Ключевые преимущества технологии CoolMOS C3:

  • Высокая эффективность: Низкие динамические потери при переключении.
  • Супер-стойкость к переключению в линейном режиме: Повышенная надежность в условиях жесткого переключения (hard switching) и при возникновении коротких замыканий.
  • Низкое сопротивление открытого канала (RDS(on)): Позволяет снизить проводимые потери и нагрев.
  • Высокая стабильность параметров: Технология обеспечивает минимальный разброс ключевых характеристик от экземпляра к экземпляру.

Транзистор поставляется в популярном корпусе TO-220, что делает его удобным для монтажа как на печатную плату, так и на внешний теплоотвод.


Технические характеристики

| Параметр | Значение | Примечания | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-канальный MOSFET (Super Junction) | CoolMOS™ C3 Series | | Сток-Исток напряжение (VDSS) | 600 В | | | Непрерывный ток стока (ID) при Tc=25°C | 4.2 А | | | Сопротивление сток-исток в открытом состоянии (RDS(on)) | 1.2 Ом (макс.) | При VGS = 10 В, ID = 2.1 А | | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | 16.8 А | | | Пороговое напряжение затвора (VGS(th)) | 3.0 - 5.0 В | Тип. 4.0 В | | Максимальное напряжение затвор-исток (VGS) | ± 30 В | | | Общий заряд затвора (Qg) (тип.) | 14 нКл | При VGS = 10 В | | Время включения (td(on)) | 9 нс (тип.) | | | Время выключения (td(off)) | 40 нс (тип.) | | | Внутренняя диаграмма (Body Diode) | Есть | | | Корпус | TO-220 | | | Температура перехода (TJ) | от -55 °C до +150 °C | |


Парт-номера (Part Numbers)

Официальное название от производителя (Infineon):

  • SPB04N60C3

Это полное и единственное наименование для заказа.


Совместимые модели (Прямые и функциональные аналоги)

При поиске аналога важно учитывать не только основные параметры (напряжение и ток), но и технологию, динамические характеристики (Qg, Ciss), а также расположение выводов (pinout).

Прямые аналоги (с максимально близкими параметрами):

  • Infineon:

    • IPP04N60C3 — Тот же кристалл, но в корпусе TO-220 FullPak (изолированный). Параметры идентичны.
    • SPA04N60C3 — Прямой аналог из той же серии, с очень похожими характеристиками.
  • STMicroelectronics:

    • STP4N60 — Мощный MOSFET 600В / 4А, классическая технология, но может служить заменой в некоторых применениях.
    • STP4N60F3 — Более современная серия MDmesh™ F3, имеет лучшее Rds(on) (~1.25 Ом).
  • Fairchild/ON Semiconductor:

    • FCP4N60 — Аналог от Fairchild.
    • FQP4N60 — В корпусе TO-220, подходит для многих применений.
  • Vishay:

    • IRFB4N60A — Аналог от International Rectifier (ныне Vishay).

Функциональные аналоги (с близкими или лучшими параметрами, подходящие для замены в схемах):

  • Infineon SPB05N60C3 — 600В / 5.7А / Rds(on) = 0.75 Ом. Более мощный собрат из той же серии C3.
  • Infineon SPB07N60C3 — 600В / 7.5А / Rds(on) = 0.45 Ом. Еще более мощный вариант.
  • STMicroelectronics STP6N60M2 — 600В / 5.2А / Rds(on) = 0.75 Ом (серия MDmesh™ M2).
  • ON Semiconductor FCPF4N60NT — 600В / 4А / Rds(on) = 1.2 Ом, в корпусе TO-220F (изолированный).

Важное замечание по замене: Перед заменой всегда сверяйтесь с даташитами, особенно обращайте внимание на:

  1. Распиновку (Pinout) корпуса. У некоторых аналогов выводы Drain/Source/Gate могут быть в другом порядке.
  2. Емкость затвора (Qg, Ciss). Если аналог имеет значительно большую емкость, драйвер затвора может не справиться, что приведет к увеличению времени переключения и потерь.
  3. Характеристики внутреннего диода. Это критично для схем с индуктивной нагрузкой.

Для наиболее корректной и эффективной замены SPB04N60C3 лучшим выбором являются другие транзисторы из семейства CoolMOS C3 от Infineon (SPx04N60C3, SPx05N60C3).

Товары из этой же категории