Infineon SGW25N120

Отличный выбор! SGW25N120 — это классический и очень популярный IGBT-транзистор от Infineon, который долгое время был одним из стандартов в силовой электронике, особенно в инверторных сварочных аппаратах, частотных преобразователях и системах управления двигателями.

Описание

Infineon SGW25N120 — это дискретный N-канальный IGBT-транзистор в корпусе TO-247. Его ключевая особенность — встроенный быстрый обратный диод (обозначение в названии — "W"), что делает его идеальным для мостовых и инверторных схем, где необходим путь для обратного тока индуктивной нагрузки.

Этот транзистор относится к поколению NPT (Non-Punch Through) IGBT, что обеспечивает ему хороший баланс между скоростью переключения, стойкостью к перегрузкам по току (широкая область безопасной работы, RBSOA) и устойчивостью к короткому замыканию. Он рассчитан на работу на частотах до 20-40 кГц, что оптимально для многих силовых приложений.

Основные преимущества:

• Наличие встроенного обратного диода.
• Высокая стойкость к короткому замыканию (до 10 мкс).
• Простота управления (как у MOSFET, но с более высоким напряжением насыщения).
• Надежность и проверенная временем конструкция.

Технические характеристики (ТТХ)

• Тип: N-канальный IGBT со встроенным обратным диодом
• Корпус: TO-247
• Напряжение коллектор-эмиттер: V_CES = 1200 В
• Непрерывный ток коллектора: I_C = 25 А (при T_c=25°C)
• Ток коллектора импульсный: I_CM = 50 А
• Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: V_CE(sat) ≈ 2.5 - 3.2 В (тип., при I_C=25А)
• Пороговое напряжение затвора: V_GE(th) = 4.0 - 6.0 В
• Энергия включения/выключения (E_on/E_off): Позволяет работать на частотах до 20-40 кГц.
• Стойкость к короткому замыканию: t_sc = 10 мкс (минимальная гарантированная)
• Диод:
  • Прямой ток диода: I_F = 25 А
  • Прямое напряжение диода: V_F ≈ 2.0 В (тип.)
• Температура перехода: T_j = -55 ... +150 °C
• Тепловое сопротивление переход-корпус: R_thJC = 0.5 °C/Вт

Парт-номера (полные обозначения)

Официальное полное название может включать дополнительные суффиксы, указывающие на упаковку или небольшие revisions. Основные варианты:

• SGW25N120 — базовое обозначение.
• SGW25N120DATMA1 — один из распространенных полных парт-номеров.

Важно: При заказе всегда проверяйте полный номер из спецификации производителя.

Совместимые и аналогичные модели

При замене SGW25N120 необходимо обращать внимание на ключевые параметры: V_CES=1200В, I_C=25А, наличие встроенного диода, корпус TO-247.

Аналоги от Infineon:

• IKW25N120T — более современный аналог из серии TRENCHSTOP™ 5. Имеет значительно более низкое V_CE(sat) (~1.7В), что снижает потери и нагрев. Прямая и рекомендуемая замена для модернизации или ремонта.
• IKW25N120H3 — модель из серии H3, также с улучшенными характеристиками.
• IGW25N120T — аналогичный IKW, но без встроенного диода. Не является прямым аналогом, если в схеме используется диод транзистора.

Аналоги от других производителей (кросс-референсы):

• STMicroelectronics: STGW25N120KD (также со встроенным диодом) или более новый STGW25H120DF.
• Fuji Electric: 2MBI200U2A-120 (модуль на 2 IGBT в одном корпусе) или дискретные аналоги серии 2MBI....
• ON Semiconductor: NGTB25N120LWG.
• IXYS (Littelfuse): IXGH25N120B или IXGH25N120BD (с диодом).

Совместимые модели для замены в схемах (часто используются вместе):

В силовых инверторах, особенно в сварочных аппаратах, часто используются в паре или мостовой схеме:

• SGW25N120 (для нижних ключей, где важен встроенный диод) + SGP20N120 (для верхних ключей, часто без диода, т.к. его роль играют обратные диоды в схеме).
• Полные комплекты на 4 или 6 транзисторов для 3-фазных инверторов.

Важное замечание по замене:

При замене старого SGW25N120 на современный аналог (например, IKW25N120T) следует проверить драйвер затвора. Более новые IGBT могут иметь другую входную емкость и рекомендуемое напряжение затвора (обычно ±15..20В для полного открытия/закрытия). В большинстве случаев замена проходит успешно, но в некоторых старых схемах с нетипичным напряжением на затворе может потребоваться коррекция.