Infineon SGB02N120

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые модели для транзистора Infineon SGB02N120.

Описание

Infineon SGB02N120 — это N-канальный功率овый MOSFET-транзистор, выполненный по передовой Super Junction (супер-джанкшен) технологии Infineon, известной под маркой CoolMOS™.

Ключевые особенности и применение:

• Технология CoolMOS™: Обеспечивает исключительно низкое сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) для своего класса напряжения, что приводит к значительному снижению коммутационных потерь и повышению общий эффективности системы.
• Высокое напряжение: Номинальное напряжение 1200 В делает его идеальным для работы в сетях 400В и других промышленных приложениях с высоким напряжением.
• Низкий заряд (Qg и Eoss): Одна из отличительных черт CoolMOS — оптимизированные динамические параметры. Низкий заряд затвора (Qg) упрощает управление и снижает потери в драйвере, а низкий заряд выходной емкости (Eoss) минимизирует потери при включении (turn-on losses).
• Корпус TO-263-3 (D2PAK): Этот корпус предназначен для поверхностного монтажа (SMD) и обладает хорошими теплоотводящими свойствами, позволяя рассеивать значительную мощность.
• Основные области применения:
  • Импульсные источники питания (SMPS) коррекцией коэффициента мощности (PFC) и без нее.
  • Инверторы и драйверы для двигателей.
  • Промышленные системы питания.
  • Телекоммуникационные источники питания.
  • Сварочное оборудование.

Этот транзистор позиционируется как высокоэффективное решение для построения мощных и компактных энергетических систем.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | Единица измерения | Примечание | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Семейство технологии | CoolMOS™ | - | Super Junction (SJ) | | Тип канала | N-Channel | - | Enhancement Mode | | Сток-Исток напряжение (V_DSS) | 1200 | В (V) | | | Постоянный ток стока (I_D) при T_c = 25°C | 2.9 | А (A) | | | Импульсный ток стока (I_DM) | 11.6 | А (A) | | | Сопротивление откр. канала (R_DS(on)) | 3.0 | Ом (Ω) | При V_GS = 10 В, I_D = 1.45 A | | Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)) | 3.0 - 5.0 | В (V) | Тип. 4.0 В | | Макс. напряжение Затвор-Исток (V_GS) | ±30 | В (V) | | | Заряд затвора (Q_g) (тип.) | 14 | нКл (nC) | При V_DS = 800 В | | Входная емкость (C_iss) (тип.) | 480 | пФ (pF) | | | Время включения (t_d(on)) (тип.) | 8.5 | нс (ns) | | | Время выключения (t_d(off)) (тип.) | 42 | нс (ns) | | | Корпус | TO-263-3 | - | SMD (D2PAK) | | Связь (Channel) | Полностью изолирован | - | |

Парт-номера и аналоги

Производители часто выпускают один и тот же компонент под разными номерами в зависимости от упаковки (катушка, россыпь) или маркировки.

Парт-номера Infineon (прямые аналоги):

• SGB02N120FUT: Вероятно, полный парт-номер для заказа, указывающий на специфическую упаковку (например, катушку).
• SGB02N120XKSA1: Еще один вариант парт-номера от Infineon.

Совместимые модели / Прямые аналоги от других производителей:

При поиске аналога важно сверять не только основные параметры (V_DSS, I_D, R_DS(on)), но и динамические характеристики (Q_g, C_iss), а также цоколевку.

• STMicroelectronics:

  • STF2N120 (более старый аналог, может быть менее эффективным)
  • STF2N120K5 (из серии K5, более современный аналог Super Junction)

• ON Semiconductor / Fairchild:

  • FCP2N120 (аналог из линейки SuperFET)
  • FCPF2N120 (возможный аналог, требует проверки даташита)

• Power Integration (через их интегральные решения):

  • Хотя PI не выпускает дискретные MOSFET в этом корпусе, они используют подобные чипы в своих интегральных схемах HiperPFS™ для PFC-каскадов.

Важные замечания по совместимости:

1. Не является прямым аналогом для: Таких популярных серий, как FQP2N120 или IRFB2N120A. Хотя у них совпадают напряжение и примерный ток, они основаны на более старой технологии Planar MOSFET и имеют значительно более высокое R_DS(on) (обычно около 8-10 Ом). Замена на SGB02N120 возможна для повышения КПД, но обратная замена (SGB02N120 на старый аналог) может привести к перегреву и выходу из строя.
2. Перед заменой всегда необходимо тщательно сверять даташиты, особенно разделы с Absolute Maximum Ratings и Dynamic Characteristics.
3. Цоколевка: Убедитесь, что цоколевка (pinout) аналога совпадает с SGB02N120 (TO-263-3 стандартен: 1-Затвор, 2-Сток, 3-Исток).

Для наиболее точного подбора аналога рекомендуется использовать инструменты поиска аналогов на сайтах производителей (например, Infineon, STM, ON Semi) или в базах данных электронных компонентов.