Infineon PVT412LPBF

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые модели для силового MOSFET-транзистора Infineon PVT412LPBF.

Описание

Infineon PVT412LPBF — это N-канальный MOSFET-транзистор, выполненный по передовой технологии OptiMOS™ 5. Это низковольтное устройство, оптимизированное для применений, где критически важны высокий КПД и малые потери, особенно в схемах синхронного выпрянения в импульсных источниках питания (SMPS) и DC-DC преобразователях.

Ключевые особенности и преимущества:

• Сверхнизкое сопротивление открытого канала (R_DS(on)): Благодаря этому минимизируются проводящие потери и нагрев, что повышает общий КПД системы.
• Высокая скорость переключения: Позволяет работать на высоких частотах, что уменьшает габариты пассивных компонентов (дросселей и конденсаторов).
• Низкий заряд затвора (Q_G): Упрощает управление и снижает потери в драйвере затвора.
• Высокая стойкость к лавинному пробою: Обеспечивает надежность и устойчивость к переходным процессам и перегрузкам.
• Соответствие стандарту RoHS: Компонент не содержит свинца и других вредных веществ.
• Корпус D²PAK (TO-263): Предназначен для поверхностного монтажа (SMD), обладает низким тепловым сопротивлением и рассчитан на рассеивание значительной мощности.

Области применения

• Синхронное выпрянение в ИИП (импульсных источниках питания)
• Низковольтные DC-DC преобразователи
• Источники питания для серверов, телекоммуникационного и сетевого оборудования
• Системы управления питанием (Power Management)
• Высокоэффективные цепи переключения нагрузки

Технические характеристики

| Параметр | Значение | Условия | | :--- | :--- | :--- | | Структура транзистора | N-канальный MOSFET | | | Технология | OptiMOS™ 5 | | | Корпус | D²PAK (TO-263) | | | Напряжение "Сток-Исток" (V_DSS) | 40 В | | | Максимальный непрерывный ток стока (I_D) | 192 А | При T_C = 25°C | | Сопротивление открытого канала (R_DS(on)) | 0.81 мОм (макс.) | V_GS = 10 В, I_D = 96 А | | | 1.0 мОм (макс.) | V_GS = 4.5 В, I_D = 76 А | | Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)) | 2.1 ÷ 3.1 В | V_DS = V_GS, I_D = 160 мкА | | Максимальное напряжение затвор-исток (V_GS) | ±20 В | | | Полный заряд затвора (Q_G) | ~ 110 нКл | V_GS = 10 В, I_D = 96 А | | Время включения (t_d(on)) | 13 нс | | | Время выключения (t_d(off)) | 34 нс | | | Диод "Сток-Исток" | Есть (интегрированный обратный диод) | | | Тепловое сопротивление (R_θJC) | 0.45 °C/Вт | Корпус-кристалл | | Максимальная температура перехода (T_J) | +175 °C | |

Парт-номера (Part Numbers) и аналоги

Производитель Infineon часто выпускает один и тот же кристалл в разных корпусах или с разными префиксами. Прямыми аналогами по электрическим параметрам являются следующие парт-номера:

Прямые аналоги от Infineon (такой же кристалл, другой корпус/маркировка):

• IPT012N04L5ATMA1 — Тот же кристалл, корпус TO-LL.
• IPT012N04L5 — Базовая часть номера для серии в корпусе TO-LL.
• BSC012N04LS — Аналог от Infineon в корпусе SuperSO8 (менее мощный из-за корпуса).

Совместимые / Альтернативные модели от других производителей:

При поиске аналога от других производителей следует ориентироваться на ключевые параметры: V_DSS = 40 В, I_D > 150 А, R_DS(on) ~ 1 мОм, корпус D²PAK/TO-263.

• Vishay / Siliconix:

  • SQJ412EP-T1_GE3 — Очень близкий аналог по характеристикам и корпусу.

• ON Semiconductor (Fairchild):

  • FDBL4123_F085 — Мощный MOSFET с похожими параметрами.

• STMicroelectronics:

  • STL160N4F7 — Аналог с низким R_DS(on).

Важные замечания по совместимости:

1. Прямая замена: Несмотря на схожесть параметров, перед заменой обязательно необходимо свериться с даташитом конкретного аналога, особенно по распиновке корпуса, рекомендуемой схеме монтажа и динамическим характеристикам.
2. Корпус: Обращайте внимание на маркировку корпуса. D²PAK (TO-263) может иметь незначительные отличия у разных производителей.
3. Партия: Для критичных по надежности применений рекомендуется использовать оригинальные компоненты Infineon или согласованные с производителем оборудования аналоги.

Надеюсь, эта информация была полезна