Infineon PTFB213004FV2
тел. +7(499)347-04-82
Описание Infineon PTFB213004FV2
Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые модели для силового полевого транзистора Infineon PTFB213004FV2.
Описание
Infineon PTFB213004FV2 — это N-канальный功率 MOSFET транзистор, изготовленный по передовой технологии OptiMOS™ 6. Этот транзистор предназначен для применения в высокоэффективных и компактных силовых электронных устройствах.
Ключевые особенности и преимущества:
- Высокая эффективность: Технология OptiMOS™ 6 обеспечивает исключительно низкое значение сопротивления канала в открытом состоянии (RDS(on)), что минимизирует проводимостные потери и нагрев.
- Высокая плотность мощности: Благодаря малому сопротивлению и компактному корпусу, этот MOSFET позволяет создавать более мощные и миниатюрные решения.
- Оптимизация для ключевых режимов: Имеет низкие заряды затвора (Qg) и выходную емкость (Coss), что обеспечивает высокую скорость переключения и снижает коммутационные потери в импульсных источниках питания (SMPS), преобразователях DC-DC и motor drive приложениях.
- Низкое пороговое напряжение: Позволяет эффективно работать в системах с низким напряжением управления (логические уровни).
- Корпус: Выполнен в современном, компактном и термоэффективном корпусе PG-TDSON-8-62 (также известный как SuperSO8), который способствует лучшему отводу тепла от кристалла.
- Назначение: Идеально подходит для использования в силовой части телекоммуникационного оборудования, серверов, промышленных систем, а также в цепях синхронного выпрямителя и управления двигателями.
Технические характеристики
| Параметр | Значение | Условия / Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-Channel MOSFET | Power MOSFET | | Технология | OptiMOS™ 6 | | | Сток-Исток напряжение (VDS) | 100 В | | | Сток-Исток сопротивление (RDS(on)) | 1.3 мОм (макс.) | VGS = 10 В, ID = 30 А | | | 1.6 мОм (макс.) | VGS = 4.5 В, ID = 30 А | | Максимальный ток стока (ID) | 300 A (A) | При Tc = 25°C (импульсный) | | | 210 A (A) | При Tc = 100°C (импульсный) | | Максимальная рассеиваемая мощность (PD) | 357 Вт | При Tc = 25°C | | Пороговое напряжение затвора (VGS(th)) | 2.1 В (тип.) | VDS = VGS, ID = 250 мкА | | Заряд затвора (Qg) | 115 нКл (тип.) | VGS = 10 В | | Входная емкость (Ciss) | 6680 пФ (тип.) | VDS = 50 В, VGS = 0 В | | Выходная емкость (Coss) | 580 пФ (тип.) | VDS = 50 В, VGS = 0 В | | Корпус | PG-TDSON-8-62 | SuperSO8, с открытой термопадой | | Класс рабочей температуры (pn-перехода) | от -55 °C до +175 °C | |
Парт-номера (Part Numbers) и аналоги
Производитель Infineon часто присваивает несколько парт-номеров для одного и того же продукта, учитывая разные типы упаковки (катушка, россыпь). Основные парт-номера для этой модели:
- PTFB213004FV2XUMA1 - этот номер часто используется для заказа и является полным артикулом.
- PTFB213004FV2
Совместимые модели и аналоги (Cross-Reference)
При поиске аналога или замены важно сравнивать ключевые параметры: напряжение VDS, ток ID, сопротивление RDS(on), корпус и заряды. Прямыми аналогами от других производителей с такими же выдающимися характеристиками могут быть не все модели, но следующие транзисторы являются близкими по характеристикам и могут рассматриваться как потенциальная замена (перед применением обязательно сверяйтесь с даташитом!):
От других производителей (близкие аналоги):
-
STMicroelectronics:
- STL320N10F8 (100 В, 1.4 мОм, 320A, PowerFLAT 8x8) - очень близкий аналог по характеристикам и корпусу.
-
ON Semiconductor (ныне onsemi):
- FDBL86361_F085 (100 В, 1.0 мОм, 250A, Power88) - возможно, потребуется проверка посадочного места.
-
Vishay / Siliconix:
- SiSS28DN (100 В, 1.7 мОм, 250A, PowerPAK 8x8) - хороший аналог в похожем корпусе.
Совместимые модели от Infineon (в том же семействе или корпусе):
- PTFB212005FV2 (100 В, 1.2 мОм, 300A) - "старший брат" с еще более низким сопротивлением.
- IPTB120N10S5-02 (100 В, 1.2 мОм, 320A, TO-263-7) - из предыдущего поколения OptiMOS™ 5, в другом корпусе.
- IAUC120N10S5N031 (100 В, 1.2 мОм, 260A, SuperSO8) - еще одна мощная модель в том же корпусе.
Важно: Данный список является ориентировочным. При замене компонента в существующей схеме обязательно проводите тщательное сравнение всех параметров, особенно динамических характеристик (Qg, Coss), а также посадочного места печатной платы (footprint).