Infineon PTFA210701E

Отличный выбор! Infineon PTFA210701E — это мощный RF LDMOS-транзистор, разработанный для работы в частотном диапазоне до 2.7 ГГц, что делает его идеальным для приложений сотовой связи.

Описание

PTFA210701E — это транзистор N-канального типа, выполненный по передовой технологии LDMOS (Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor). Ключевые особенности:

• Назначение: Предназначен для использования в выходных каскадах усилителей мощности (Power Amplifier, PA) в телекоммуникационной инфраструктуре.
• Основные приложения:
  • Усилители мощности базовых станций сотовой связи стандартов GSM, EDGE, W-CDMA, LTE.
  • Пикосоты и фемтосоты.
  • Системы связи стандарта TETRA.
  • Промышленные усилители RF.
• Ключевые преимущества:
  • Высокий КПД: Обеспечивает эффективное использование энергии, что снижает тепловыделение и эксплуатационные расходы.
  • Высокая линейность: Критически важна для современных модуляций (QAM, OFDM), используемых в 3G, 4G/LTE, так как минимизирует искажения сигнала.
  • Широкая полоса пропускания: Позволяет покрывать несколько частотных диапазонов или широкие каналы.
  • Внутренняя согласованность: Частично согласован для удобства проектирования.
  • Высокая надежность и устойчивость к перегрузкам: LDMOS-технология известна высокой стойкостью к КСВ (КСВН).

Технические характеристики (основные)

• Тип транзистора: N-Channel Enhancement Mode LDMOS FET
• Диапазон частот: До 2700 МГц (2.7 ГГц)
• Класс работы: AB (типичный для усилителей мощности с требованием к линейности)
• Выходная мощность (Pout):
  • 60 Вт (пиковая) при работе в режиме W-CDMA (средняя мощность зависит от сигнала).
  • ~120 Вт (пиковая) в режиме CW (непрерывный сигнал).
• Напряжение питания (Vdd): 28 В (типичное для стационарной инфраструктуры).
• Коэффициент усиления по мощности (Gps):
  • 18.5 дБ (тип.) @ 2140 МГц, Pout=60W, W-CDMA сигнал.
• КПД (Efficiency):
  • Коэффициент полезного действия коллектора (Drain Efficiency): >45% (тип.) в тех же условиях.
  • КПД по мощности (Power Added Efficiency, PAE): >40% (тип.).
• Линейность (для стандарта W-CDMA):
  • ACLR (Adjacent Channel Leakage Ratio): < -50 дБн (тип.) @ ±5 МГц от несущей.
• Термостабильность: Включает встроенный термодатчик для мониторинга температуры кристалла.
• Корпус: SMD-корпус (HLF-6-1), предназначенный для поверхностного монтажа (SMT), с фланцем для эффективного отвода тепла.
• Электрическая безопасность: Соответствует требованиям ESD-защиты класса 1C (до 1 кВ по модели Human Body Model).

Парт-номера (Part Numbers) и аналоги

Обычно один и тот же кристалл поставляется в разных корпусах или с разной маркировкой. Прямым аналогом в другом распространенном корпусе является:

• PTFA210701E (HLF-6-1 корпус, SMD) — основной номер.
• PTFA210701EGH — возможно, полный код для заказа, включающий упаковку (например, на ленте и в катушке).

Важно: Буква "E" в конце часто указывает на "Enhanced" или конкретную ревизию. Уточняйте у официальных дистрибьюторов Infineon.

Совместимые и конкурирующие модели (для замены или выбора аналога)

При поиске замены необходимо учитывать частотный диапазон, выходную мощность, напряжение питания (28В), коэффициент усиления и корпус.

Аналоги от Infineon (прямые конкуренты или модели в том же семействе):

• PTFA211801E — транзистор на ~180 Вт (пик.), более высокая мощность.
• PTFA212001E — транзистор на ~200 Вт (пик.).
• PTFA210801E — транзистор на ~80 Вт (пик.).
• Более новые серии, такие как Gen9 (например, PTVAxxxK), но они могут иметь отличия в характеристиках и цене.

Аналоги от других производителей (все — мощные RF LDMOS 28В):

• NXP (Freescale) Semiconductors:
  • MRF8P20140HSR3 (140 Вт, до 2.0 ГГц) — один из самых популярных аналогов.
  • MRF8P20160HSR3 (160 Вт, до 2.0 ГГц).
  • MRF8P20100HSR3 (100 Вт, до 2.0 ГГц).
  • Более старые серии: BLF6G21-10, BLF7G22-10.
• Ampleon (бывшее подразделение RF NXP):
  • BLF8G22-10 (120 Вт), BLF8G20-10 (100 Вт).
  • Серия BLF9 (например, BLF9G26LS-110).
• STMicroelectronics:
  • PD57070S-E (70 Вт) — часто используется как аналог.
  • PD57060S-E (60 Вт).

Критически важное замечание: Несмотря на схожесть параметров, прямая "pin-to-pin" замена между производителями встречается редко. Каждая модель имеет уникальную внутреннюю топологию и требования к цепи согласования (Matching Circuit). Замена почти всегда требует перерасчета и перенастройки входной/выходной согласующей цепи для достижения заявленных характеристик. Всегда консультируйтесь с даташитами и, если возможно, с аппноутами (application notes) производителя.