Infineon PTF180101M
тел. +7(499)347-04-82
Описание Infineon PTF180101M
Конечно, вот подробное описание, технические характеристики и совместимые модели для инфракрасного транзистора Infineon PTF180101M.
Описание
Infineon PTF180101M — это N-канальный MOSFET транзистор, выполненный по передовой технологии OptiMOS™. Это не обычный транзистор для управления питанием, а высокочастотный MOSFET, предназначенный специально для импульсных источников питания и RF-приложений.
Его ключевые особенности:
- Высокая скорость переключения: Благодаря низким емкостям и зарядам затвора, он минимизирует потери при включении/выключении, что критично для работы на высоких частотах (сотни кГц и выше).
- Низкое сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)): Обеспечивает высокую эффективность и снижает тепловыделение.
- Высокая надежность: Технология OptiMOS™ известна своей высокой стойкостью к лавинным нагрузкам и качеством исполнения.
- Корпус SuperSO8: Этот корпус имеет очень низкое тепловое сопротивление и позволяет эффективно отводить тепло с небольшой площади, что важно для компактных и мощных устройств.
Основные области применения:
- Импульсные источники питания (SMPS) для серверов, телекоммуникационного оборудования, ПК.
- Синхронное выпряление в DC-DC преобразователях.
- Высокочастотные инверторы.
- RF-усилители класса D и E.
Технические характеристики
| Параметр | Значение | Единица измерения | Примечание | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-Channel MOSFET | - | Технология OptiMOS™ 5 | | Сток-Исток Напряжение (VDSS) | 100 | В (Вольт) | Максимальное напряжение | | Постоянный ток стока (ID) | 18 | А (Ампер) | При Tc = 25°C | | Сопротивление откр. канала (RDS(on)) | 10.1 | мОм (миллиОм) | VGS = 10 V, ID = 9 A | | Макс. мощность (Ptot) | 42 | Вт (Ватт) | При Tc = 25°C | | Напряжение затвор-исток (VGS) | ±20 | В (Вольт) | Максимальное | | Пороговое напряжение затвора (VGS(th)) | 2.35 - 3.35 | В (Вольт) | Тип. 2.85 В | | Общий заряд затвора (Qg) | 9.5 | нКл (наноКулон) | При VGS = 10 V | | Заряд Миллера (Qgd) | 1.7 | нКл (наноКулон) | Низкое значение для быстрого переключения | | Время включения (td(on)) | 5.5 | нс (наносекунда) | | | Время выключения (td(off)) | 17 | нс (наносекунда) | | | Тепловое сопр. переход-корпус (RthJC) | 2.5 | °C/Вт | | | Корпус | SuperSO8 (PG-TSDSO-8) | - | С термопадой для лучшего отвода тепла | | Диапазон рабочей температуры | -55 до +150 | °C | |
Парт-номера (Part Numbers) и Совместимые модели
PTF180101M — это парт-номер Infineon в формате для автоматического монтажа (tape & reel). Полный ordering code выглядит так: PTF180101MP1SA.
При поиске аналогов или замены можно ориентироваться на ключевые параметры: 100V, 18A, RDS(on) ~10 мОм, корпус SuperSO8.
Прямые аналоги и совместимые модели от других производителей:
-
Infineon:
- IPT020N10N5ATMA1 — Прямой аналог из более новой серии OptiMOS™ 5, обладает схожими или улучшенными характеристиками.
- IPP020N10N5 — Аналог в корпусе TO-220 (для сквозного монтажа), если не критичен корпус.
- BSC010N10NS5 — Модель от Infineon (ранее International Rectifier) с очень близкими параметрами.
-
ON Semiconductor:
- FDBL86062_F085 — Очень близкий аналог по току, напряжению и сопротивлению.
-
Vishay Siliconix:
- SiSS18DN — N-канальный MOSFET с похожими характеристиками (100V, 17.5A, 9.5 мОм).
-
STMicroelectronics:
- STL180N10F7 — Аналог в корпусе PowerFLAT 5x6, требует проверки распиновки.
-
Texas Instruments:
- CSD19536KTT — Мощный MOSFET (100V, 15.5A, 9.7 мОм) в корпусе D2PAK (TO-263), также подходит для мощных ВЧ применений.
Важные замечания по совместимости:
- Корпус: При замене обязательно сверяться с распиновкой (pinout) корпуса. SuperSO8 (или LFPAK) от разных производителей могут иметь разные назначения выводов.
- Параметры: Всегда проверяйте datasheet на точное соответствие критичных для вашей схемы параметров:
RDS(on),Qg,VGS(th), и динамические характеристики (td(on),td(off)). - Производитель: Рекомендуется в первую очередь рассматривать прямые аналоги от Infineon (например, IPT020N10N5), так как они гарантируют полную функциональную и электрическую совместимость.
Для окончательного выбора замены всегда необходимо тщательно изучать даташиты и сравнивать параметры в условиях работы вашей конкретной схемы.