Infineon PMB2800E

Конечно, вот подробная информация об инфраконе (IGBT-транзисторе) Infineon PMB2800E.

Описание

Infineon PMB2800E — это IGBT-транзистор третьего поколения (IGBT3) с ультрамягким и быстрым диодом, собранный в популярном промышленном корпусе EconoDUAL™ 3.

Этот модуль является классическим представителем силовой электроники для средних и высоких мощностей. Его ключевые особенности:

• Высокая мощность: Предназначен для работы в цепях с высоким напряжением и большими токами.
• Низкие потери: Технология IGBT3 обеспечивает низкие потери проводимости и коммутации, что повышает общий КПД системы.
• Ультрамягкое восстановление диода: Встроенный обратный диод с мягкими характеристиками восстановления значительно снижает выбросы напряжения и электромагнитные помехи (EMI), что упрощает проектирование силовых фильтров.
• Корпус EconoDUAL™ 3: Стандартизированный корпус с низкой индуктивностью силовых выводов, обеспечивающий простоту монтажа на теплоотвод и хорошие массогабаритные показатели.
• Изоляция: Корпус обеспечивает электрическую изоляцию (2500 В ~ 50 Гц, 1 мин.) между базовой пластиной (теплоотводом) и силовыми цепями, что позволяет монтировать несколько модулей на один общий радиатор без изолирующих прокладок.

Основное применение: Преобразователи часты, инверторы, источники питания, сварочное оборудование, системы управления электроприводом промышленных станков и тяговых электродвигателей.

Технические характеристики

Вот основные параметры модуля PMB2800E (при температуре 25°C, если не указано иное):

| Параметр | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Коллектор-Эмиттер напряжение (V_CES) | 1200 В | | | Номинальный ток коллектора (I_C @ 80°C) | 280 А | | | Макс. ток коллектора (импульсный) | 560 А | | | Напряжение насыщения Коллектор-Эмиттер (V_CE(sat)) | ~ 2.25 В | Типовое, при I_C = 280А | | Открывающее напряжение диода (V_F) | ~ 1.9 В | Типовое, при I_F = 280А | | Максимальная рабочая температура перехода (T_vj) | +150 °C | | | Тепловое сопротивление переход-корпус (R_th(j-c)) | 0.045 К/Вт | Для каждого IGBT и диода | | Входная емкость (C_ies) | 18 нФ | Типовое | | Энергия включения (E_on) | ~ 110 мДж | Типовое, зависит от условий теста | | Энергия выключения (E_off) | ~ 80 мДж | Типовое, зависит от условий теста | | Заряд обратного восстановления диода (Q_rr) | ~ 3.5 мкКл | Типовое | | Вес | ~ 170 г | |

Внутренняя структура модуля: Модуль содержит два IGBT-транзистора с антипараллельными диодами, соединенных в схему полумаоста (Half-Bridge). Это позволяет легко строить мостовые схемы инверторов.

Парт-номера (Part Numbers) и совместимые модели

PMB2800E — это порядковый номер (orderable part number) от Infineon. Модули часто имеют несколько номеров, указывающих на разные уровни качества или варианты упаковки.

Прямые парт-номера Infineon

• PMB2800E120 - Основной парт-номер для заказа.
• PMB2800E120001 - Часто используется как полный номер для заказа.

Прямые аналоги и совместимые модели от других производителей

Модуль PMB2800E является частью большого семейства 1200В модулей в корпусе EconoDUAL 3. Прямые аналоги имеют идентичное или очень похожее расположение выводов (pin-to-pin compatibility) и схожие электрические характеристики.

От Infineon (более новые поколения):

• FF2800R12IE5 - Модуль из серии IGBT4. Имеет лучшие показатели потерь, но, как правило, не является прямой заменой без корректировки драйвера из-за разных требований к управлению.
• FF2800R17IE5 - Модуль из серии IGBT7 (EconoDUAL™ 3). Наиболее современная технология с существенно сниженными потерями. Требует проверки совместимости по управлению и механике.

От других производителей (прямые конкуренты и аналоги):

1. SEMIKRON:

   • SKM 280GB 128D (серия IGBT4) - Прямой аналог по корпусу и номиналам.

2. Mitsubishi Electric:

   • CM2800DY-34S - Классический аналог схожего класса.

3. Fuji Electric:

   • 2MBI300VN-120-50 - Аналог в корпусе EconoDUAL 3.

4. Danfoss Silicon Power:

   • DSAI 280 12A - Прямой конкурентный аналог.

Важные замечания по совместимости:

• Прямая замена (Drop-in Replacement): Даже если модуль является механическим и электрическим аналогом (pin-to-pin), всегда необходимо сверяться с даташитами.
• Характеристики управления: У разных поколений (IGBT3, IGBT4, IGBT7) могут отличаться пороговые напряжения затвора (V_GE(th)), рекомендуемые напряжения управления (например, ±15 В против +15/0 В) и требования к сопротивлению в цепи затвора (R_G).
• Внутренняя индуктивность: Может незначительно отличаться, что может повлиять на динамические процессы и перенапряжения при коммутации.
• Крепление и тепловой интерфейс: Механические размеры и отверстия для крепления стандартизированы, но всегда стоит проверить чертеж.

Вывод: PMB2800E — это проверенный временем, надежный модуль. При его замене или использовании в новых проектах стоит рассмотреть более современные аналоги (например, от серии IGBT7), которые могут предложить значительное улучшение КПД и компактность системы охлаждения, но требуют тщательной проверки схемы управления.