Infineon PEB3265HV1

Конечно, вот подробное описание микросхемы Infineon PEB3265HV1, ее технические характеристики, парт-номера и совместимые модели.

Описание

Infineon PEB3265HV1 (ранее известная как Siemens) — это высоковольтный полумостовой драйвер для IGBT и MOSFET-транзисторов, выполненный по технологии SOI (Silicon-On-Insulator).

Ключевое предназначение этой микросхемы — управление силовыми ключами в схемах, где напряжение на верхнем (high-side) ключе может значительно превышать напряжение питания самой логической части. Это типично для импульсных источников питания, мостовых схем (полумост, полный мост) и мощных инверторов.

Основные особенности и преимущества:

• Высоковольтная технология до 600В: Способна выдерживать высокие напряжения смещения, что делает ее идеальной для работы в сетевых источниках питания (от 85V AC до 400V AC).
• Технология SOI: Обеспечивает превосходную стойкость к защелкиванию (latch-up immunity) и позволяет интегрировать на кристаллы с разным потенциалом, что критично важно для работы верхнего плеча.
• Два независимых канала: Имеет два выхода для управления верхним (High-Side) и нижним (Low-Side) ключами с возможностью установки мертвого времени (dead time).
• Интегрированный источник смещения (Bootstrap Diode): Наличие встроенного диода для схемы бутстрэп (bootstrap) упрощает конструкцию и уменьшает количество внешних компонентов.
• Защита от сквозных токов (Cross-Conduction Protection): Логика управления предотвращает одновременное открытие обоих ключей, что защищает схему от короткого замыкания и выхода из строя.
• Широкий диапазон питания: Работает от стандартного напряжения питания логики (до 20V).
• Низкое энергопотребление: Подходит для энергоэффективных применений.

Технические характеристики

В таблице ниже приведены ключевые параметры микросхемы.

| Параметр | Значение | Примечания | | :--- | :--- | :--- | | Напряжение смещения (V_S) | до +600 В | Максимальное напряжение для верхнего плеча | | Напряжение питания (V_CC) | от +8.5 В до +20 В | Стандартное питание +12В или +15В | | Выходной ток (пиковый) | +/- 0.25 А | Ток затвора на канал | | Время нарастания/спада (Rise/Fall Time) | ~150 нс (тип.) | При C_load = 1 нФ | | Собственное мертвое время (Dead Time) | ~1.2 мкс (тип.) | Задержка между выключением одного и включением другого ключа | | Падение на встроенном диоде | ~13 В (при I_F = 25 мА) | Прямое напряжение бутстрэп-диода | | Температурный диапазон | -40 °C ... +125 °C | Промышленный стандарт | | Корпус | DIP-14 и SO-14 | Два варианта исполнения | | Технология | SOI (Silicon-On-Insulator) | Защита от защелкивания |

Парт-номера (Part Numbers) и аналоги

PEB3265HV1 — это базовое название семейства. Конкретные парт-номера могут отличаться в зависимости от корпуса и температурного диапазона.

Основные парт-номера от Infineon:

• PEB3265HV1.1 (часто указывается как основной номер для заказа)
• PEB3265H (более старая или упрощенная версия, возможно, с другими пределами напряжения)

Прямые аналоги и совместимые замены:

Данная микросхема является частью обширного семейства высоковольтных драйверов. Прямыми функциональными аналогами и микросхемами с похожей архитектурой являются:

1. Infineon IR2101 / IR2102 / IR2104: Самые популярные и широко распространенные аналоги от International Rectifier (ныне Infineon). Имеют схожую логику, напряжение смещения до 600В и встроенный бутстрэп-диод. Являются практически полным дроп-ин аналогом (но всегда сверяйтесь с даташитом для проверки номиналов!).

   • IR2101 — один вход IN, один выход HO.
   • IR2102 — один вход IN, два комплементарных выхода HO и LO.
   • IR2104 (S) — два независимых входа IN (с мертвым временем), два выхода HO и LO. Наиболее близок по функционалу к PEB3265HV1.

2. Infineon IR2110 / IR2113: Более мощные версии с выходным током до 2А. Корпус может отличаться.

3. Microchip (Microsemi) MSC1210Y1: Еще один функциональный аналог.

4. STMicroelectronics L6384E / L6385E: Аналоги от ST, также используют технологию SOI.

5. Texas Instruments UCC27201 / UCC27211: Мощные драйверы от TI, могут быть аналогами по применению, но архитектура и распиновка могут отличаться.

Важное примечание: Несмотря на функциональную совместимость, при замене одной микросхемы на другую обязательно необходимо сверяться с даташитами (технической документацией). Могут быть незначительные различия в времени задержек, напряжении прямого смещения диода, уровнях логических входов и т.д., которые могут потребовать корректировки обвязки.

Области применения

• Импульсные источники питания (SMPS)
• Приводы электродвигателей (Motor Drives)
• Бесперебойные источники питания (UPS)
• Солнечные инверторы
• Сварочное оборудование
• Системы освещения (например, драйверы для светодиодов)