Infineon MUBW35-12E7

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые модели для силового модуля Infineon MUBW35-12E7.

Описание

Infineon MUBW35-12E7 — это современный двухуровневый (2in1) силовой IGBT-модуль, предназначенный для построения силовых плечей (полумостей) в инверторах, частотных преобразователях и системах управления двигателями.

Модуль объединяет в одном изолированном корпусе два IGBT-транзистора с обратными диодами, соединенных по схеме "полумост" (Half-Bridge). Это позволяет значительно упростить и ускорить проектирование и сборку силовой части мощного преобразователя.

Ключевые особенности и применение:

• Архитектура: Полумост (Half-Bridge) 2in1. Интеграция двух ключей в одном модуле сокращает количество компонентов и монтажное пространство.
• Технология: IGBT 7-го поколения от Infineon (TRENCHSTOP™ 7). Это обеспечивает высокую эффективность, низкие потери на переключение и высокую плотность мощности.
• Номинальное напряжение: 1200 В. Это делает модуль идеальным для работы в сетях 380В - 480В переменного тока.
• Номинальный ток: 35 А (при Tc=80°C).
• Основные области применения:
  • Частотные преобразователи (ПЧ, VFD)
  • Серво-приводы и системы управления двигателями
  • ИБП (источники бесперебойного питания) промышленного класса
  • СВАР (сварочное оборудование)
  • Солнечные инверторы и системы возобновляемой энергетики

Технические характеристики

Вот основные параметры модуля:

| Параметр | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Производитель | Infineon Technologies | | | Семейство | TRENCHSTOP™ 7 IGBT Module | | | Конфигурация | Полумост (Half-Bridge) | 2 IGBT + 2 диода | | Коллектор-Эмиттер напряжение | V_CES = 1200 В | | | Номинальный ток (I_C) | 35 А | При T_c = 80 °C | | Ток коллектора макс. (I_CP) | 70 А | | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | ~1.65 В (тип.) | При I_C = 35A, V_GE=15V | | Падение напряжения на диоде (V_F) | ~1.95 В (тип.) | При I_F = 35A | | Скорость переключения | Высокая | Благодаря технологии IGBT7 | | Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0.45 К/Вт (тип.) | На один IGBT | | Макс. температура перехода (T_vj) | +175 °C | | | Температура хранения (T_stg) | от -40 °C до +150 °C | | | Материал корпуса | Литой термопласт (DPC) | Высокая стойкость к трекингу | | Монтаж | Винтовой | | | Смачиваемость контактов | ≥ 95% | Соответствует стандартам пайки оплавлением |

Парт-номера и Совместимые модели

MUBW35-12E7 является частью обширного семейства модулей EasyPACK™ 2B от Infineon. Существуют прямые аналоги и модули с похожими характеристиками, которые могут рассматриваться как для прямой замены, так и для альтернативного выбора при проектировании.

1. Прямые аналоги и парт-номера в других корпусах

Часто один и тот же чипсет (кристалл) производитель использует в модулях разных корпусов для разных рынков и применений. Прямым электрическим аналогом MUBW35-12E7 в корпусе EasyPACK™ 3B является:

• MUBW35-12E6 - Тот же рейтинг 35А/1200В, но в корпусе с шестью силовыми выводами, что может быть удобно для других схем подключения.

2. Совместимые и альтернативные модели (от Infineon)

При поиске аналога или замены важно смотреть на три ключевых параметра: конфигурацию (полумост), напряжение (1200В) и ток (35А). На основе этого можно составить список совместимых моделей:

• MUBW30-12E7 - Аналогичный модуль, но на 30А. Подходит, если требуется запас по току.
• MUBW40-12E7 - Аналогичный модуль на 40А. Подходит для систем с более высокими токовыми нагрузками.
• MUBW50-12E7 - Аналогичный модуль на 50А. Следующая ступень по мощности.
• MUBW35-12T7 - Модуль из семейства TRENCHSTOP™ 7 с технологией "XT". Отличается еще более низким значением V_CE(sat) (напряжения насыщения), что дает еще более высокий КПД. Является прямой и часто более выгодной по характеристикам альтернативой.

3. Аналоги от других производителей

Хотя прямая кросс-замена от других брендов не всегда возможна без доработки схемы управления (из-за разброса параметров и характеристик), следующие модели являются функциональными и структурными аналогами:

• SEMiX333GB12E7s (от Semikron) - Модуль в похожем корпусе (SEMiX) с аналогичными характеристиками.
• FS35R12W1T4 (от ON Semiconductor) - IGBT-модуль в корпусе EasyPACK, полумостовая конфигурация, 35А / 1200В.
• SKM35GB12E7 (от Semikron) - Модуль в корпусе SEMITRANS 3, классический аналог.

Важное примечание: При замене модуля, особенно от другого производителя, обязательно необходимо:

1. Свериться с datasheet на конкретную модель.
2. Проверить соответствие характеристик (V_CE(sat), V_F, заряд затвора, внутренние индуктивности).
3. Убедиться в совместимости посадочного места и расположения выводов (mechanical footprint).
4. При необходимости скорректировать параметры драйвера затвора (сопротивление, напряжение).

Настоятельно рекомендуется для замены и поиска аналогов использовать официальные источники, такие как порталы Infineon, Digi-Key, Mouser и другие авторизованные дистрибьюторы.