Infineon K25T1202

Конечно, давайте составим подробное описание для Infineon K25T1202.

Описание

Infineon K25T1202 — это N-канальный MOSFET-транзистор, выполненный по передовой технологии SuperSO8. Ключевыми особенностями данного компонента являются:

• Низкое сопротивление открытого канала (RDS(on)): Благодаря этому достигаются минимальные потери на проводимость и высокий КПД, что особенно критично в импульсных источниках питания и схемах управления двигателями.
• Высокая скорость переключения: Позволяет эффективно работать в высокочастотных преобразователях, уменьшая габариты пассивных компонентов (дросселей и конденсаторов).
• Низкий заряд затвора (Qg): Облегчает управление транзистором, снижая нагрузку на драйвер и уменьшая потери на переключение.
• Высокая энергоэффективность и надежность: Компонент предназначен для работы в demanding applications, таких как серверные блоки питания, телекоммуникационное оборудование и промышленная электроника.
• Корпус SuperSO8 (PG-TDSON-8): Этот компактный корпус обладает низким тепловым сопротивлением и позволяет эффективно отводить тепло с малой площади печатной платы.

Основное назначение: Этот MOSFET используется в качестве силового ключа в:

• Импульсных источниках питания (AC/DC, DC/DC преобразователи).
• Цепах синхронного выпряления вторичной стороны в мощных БП.
• Схемах управления двигателями и нагрузкой.
• Инверторах и стабилизаторах напряжения.

Технические характеристики (кратко)

| Параметр | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Производитель | Infineon Technologies | | | Тип транзистора | N-Channel MOSFET | Enhancement Mode | | Технология | OptiMOS™ 5 | | | Корпус | PG-TDSON-8 | Также известен как SuperSO8 | | Сток-Исток Напряжение (V_DSS) | 25 В | | | Максимальный ток стока (I_D) | 120 A (@ T_c = 100°C) | Зависит от условий охлаждения | | Сопротивление открытого канала (R_DS(on)) | ~ 1.2 мОм (макс.) | @ V_GS = 10 В | | | ~ 1.5 мОм (макс.) | @ V_GS = 4.5 В | | Напряжение затвор-исток (V_GS) | ±20 В (макс.) | | | Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)) | 1.7 - 2.35 В | Тип. 2.0 В | | Полный заряд затвора (Q_g) | ~ 60 нКл (тип.) | @ V_GS = 10 В | | Максимальная рассеиваемая мощность (P_tot) | 125 Вт | |

Парт-номера (Part Numbers) и аналоги

Производители часто выпускают один и тот же компонент под разными номерами для разных рынков или партнеров. K25T1202 также может встречаться в вариациях, указывающих на упаковку (например, на катушке, в ленте).

Основные парт-номера от Infineon:

• K25T1202: Базовый номер детали.
• K25T1202XTMA1: Вероятно, полный номер для заказа, где суффикс указывает на упаковку (Tape & Reel) и другие производственные детали.

Совместимые модели и аналоги (Cross-Reference)

При поиске аналога или замены необходимо сверять ключевые параметры: напряжение V_DSS, ток I_D, сопротивление R_DS(on) и заряд затвора Q_g. Корпус также должен быть совместимым.

Прямые аналоги и совместимые модели от других производителей:

• AONR21357 от Alpha & Omega Semiconductor
• BSC010NE2LS (или аналоги серии BSC010N) от Infineon (может иметь схожие параметры)
• BSZ010NE2LS от Infineon
• IRL40B212 от Infineon (International Rectifier)
• SiR680DP от Vishay
• NVMFS5C410N от ON Semiconductor

Важные примечания по замене:

1. Не является полным аналогом: Модели от других производителей, даже с похожими параметрами, могут иметь отличия в динамических характеристиках, внутренней структуре и стойкости к перенапряжениям.
2. Всегда проверяйте Datasheet! Перед установкой аналога обязательно скачайте и сравните технические описания (datasheets) оригинального компонента и предполагаемой замены. Особое внимание уделите цоколевке (pinout) и рекомендуемой схеме подключения.
3. Проверка по параметрам: Ищите MOSFET с теми же V_DSS=25В, I_D>120А и R_DS(on) ~1.2 мОм в корпусе SO-8 или SuperSO8.

Для точного подбора аналога рекомендуется использовать сервисы производителей (например, инструмент Cross Reference на сайтах Infineon, Vishay, ON Semi) или специализированные базы данных вроде Octopart, FindChips или Component Search в Altium Designer.