Infineon K25T120

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые модели для силового биполярного транзистора с изолированным затвором (IGBT) Infineon K25T120.

Описание

Infineon K25T120 — это IGBT-транзистор третьего поколения (NPT, Non-Punch Through), предназначенный для использования в мощных импульсных схемах, где важны высокое напряжение, большой ток и надежность.

Ключевые особенности и применение:

• Назначение: Предназначен для работы в качестве электронного ключа в силовых цепях.
• Основные области применения:
  • Инверторы и частотные преобразователи для управления электродвигателями.
  • Системы импульсных источников питания (SMPS), особенно сварочные аппараты.
  • Индукционные нагреватели.
  • Силовые приводы и контроллеры.
• Конструкция: Транзистор собран в популярном и удобном для монтажа корпусе TO-247. Этот корпус обеспечивает хороший отвод тепла через радиатор.
• Встроенный диод: Модель оснащена быстрым антипараллельным диодом (FRD - Fast Recovery Diode). Этот диод необходим для обеспечения пути обратного тока при работе на индуктивную нагрузку (например, электродвигатели), защищая транзистор от перенапряжений.

Технические характеристики

В таблице ниже приведены основные предельные параметры и электрические характеристики.

| Параметр | Обозначение | Значение | Условия / Примечание | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Напряжение коллектор-эмиттер | V_CES | 1200 В | Максимальное рабочее напряжение | | Постоянный ток коллектора | I_C (25°C) | 25 А | При температуре корпуса 25°C | | Постоянный ток коллектора | I_C (100°C) | 15 А | При температуре корпуса 100°C | | Ток коллектора импульсный | I_CM | 50 А | Максимальный импульсный ток | | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | V_CE(sat) | ~2.5 В | Типовое, при I_C = 15А, V_GE = 15В | | Падение на встроенном диоде | V_EC | ~2.2 В | Типовое, при I_E = 15А | | Пороговое напряжение затвора | V_GE(th) | 4.5 - 6.5 В | Типовое 5.5В | | Рабочее напряжение затвора | V_GES | ±20 В | Максимально допустимое напряжение на затворе | | Скорость нарастания напряжения | dv/dt | 10 кВ/мкс | Высокая стойкость к помехам | | Максимальная рассеиваемая мощность | P_tot | 160 Вт | При T_c = 25°C | | Тепловое сопротивление переход-корпус | R_thJC | 0.78 °C/Вт | | | Температура перехода | T_j | -55 ... +150 °C | Максимальная рабочая температура кристалла | | Время обратного восстановления диода | t_rr | ~120 нс | Характеризует скорость встроенного диода |

Парт-номера и Совместимые модели

IGBT часто имеют несколько парт-номеров от одного производителя, а также прямые или близкие аналоги от других производителей.

1. Парт-номера от Infineon

Основной порядковый номер — K25T120. Иногда может встречаться с дополнительными суффиксами, указывающими на упаковку или ревизию, например:

• K25T120SP (вероятно, обозначение для стандартной поставки)

2. Прямые и близкие аналоги от других производителей

Следующие модели обладают схожими или идентичными характеристиками и часто являются взаимозаменяемыми в схемах (перед заменой всегда рекомендуется сверяться с даташитами и проверять цоколевку!).

• IRGB25B120PD1 / IRGB25B120P-1 — от International Rectifier (ныне часть Infineon). Очень часто используется как полный аналог.
• H25R1202 / H25R1203 — от STMicroelectronics.
• G25N120EUF — от Intersil (и другие производители).
• FGA25N120ANTD — от Fairchild Semiconductor (ныне ON Semiconductor).
• FGH25N120SMD — от Fairchild/ON Semi.
• SGW25N120 — от STMicroelectronics.

3. Важные замечания по совместимости и замене

1. Корпус: Все перечисленные аналоги, как правило, выпускаются в корпусе TO-247, что делает их механически взаимозаменяемыми.
2. Параметры: При замене необходимо обращать внимание на ключевые параметры:
   • V_CES (1200 В) — должен совпадать или быть выше.
   • I_C (25 А) — должен совпадать или быть выше, особенно при рабочей температуре 100°C.
   • V_CE(sat) — чем ниже, тем меньше потери на нагрев.
   • Наличие встроенного диода — критически важно. Нельзя заменять транзистор со встроенным диодом на модель без него, если в схеме не предусмотрен внешний диод.
3. Управление: Все эти IGBT имеют схожие требования к драйверу затвора (обычно напряжение управления 12-15 В). Однако характеристики входной емкости могут незначительно отличаться, что может потребовать проверки работы драйвера на новой модели.

Вывод: Infineon K25T120 — это надежный и проверенный временем силовой ключ для мощных преобразователей напряжения. Его популярность обусловлена удачным сочетанием характеристик, наличием быстрого диода и удобным корпусом. При замене у него существует широкий спектр аналогов от ведущих мировых производителей.