Infineon K20T60

Отличный выбор! Infineon K20T60 — это классический и очень надежный силовой транзистор (MOSFET), который долгое время был "рабочей лошадкой" в силовой электронике. Вот подробное описание и все необходимые данные.

Описание

Infineon K20T60 (часто встречается под маркировкой старого бренда Infineon Technologies или даже Siemens) — это N-канальный MOSFET с изолированным затвором, предназначенный для коммутации высоких напряжений и токов.

• Основное назначение: Ключевые режимы в импульсных источниках питания (SMPS), преобразователях, инверторах, контроллерах двигателей и системах управления мощностью.
• Ключевые преимущества: Высокое напряжение сток-исток, относительно низкое сопротивление в открытом состоянии (Rds(on)) для своего времени, хорошая способность к импульсному току и наличие встроенного обратного диода (body diode). Благодаря технологии Super Junction (CoolMOS™), он обладает низкими динамическими потерями.
• Корпус: Выполнен в популярном и удобном для монтажа корпусе TO-220, что обеспечивает хороший отвод тепла через радиатор.

Этот транзистор зарекомендовал себя как очень надежный и до сих пор используется в ремонте и разработке оборудования.

Технические характеристики (ТТХ)

Приведены типовые/максимальные значения при Tj=25°C, если не указано иное.

| Параметр | Обозначение | Значение | Единица измерения | Примечание | | :--- | :--- | :--- | :--- | :--- | | Напряжение "сток-исток" | V_DSS | 600 | В | Максимальное напряжение, которое может выдержать закрытый транзистор. | | Постоянный ток стока | I_D | 20 | А | При T_C=100°C (температура корпуса). | | Импульсный ток стока | I_DM | 80 | А | Максимальный кратковременный пиковый ток. | | Сопротивление "сток-исток" в откр. сост. | R_DS(on) | 0.19 | Ом | Типовое, при V_GS=10 В. Ключевой параметр для потерь на проводимость. | | Пороговое напряжение затвора | V_GS(th) | 3 - 5 | В | Минимальное напряжение для открытия транзистора. | | Заряд затвора | Q_g | ~ 75 | нКл | Влияет на скорость переключения и требования к драйверу. | | Рассеиваемая мощность | P_tot | 125 | Вт | При T_C=25°C, с бесконечным радиатором. | | Температура перехода | T_j | -55 ... +150 | °C | Рабочий диапазон. | | Крутизна | g_fs | ~ 20 | См (А/В) | Показывает, насколько сильно меняется ток стока при изменении напряжения затвора. |

Важное примечание: Для точного проектирования всегда используйте официальный даташит (Datasheet) производителя.

Парт-номера (Part Numbers) и аналоги

Транзистор может встречаться под разными номерами в зависимости от производителя, упаковки и маркировки.

Прямые аналоги и парт-номера от Infineon/производителей:

• SPP20N60S5 — Очень близкий аналог от Infineon (также CoolMOS, часто используется как замена).
• STP20N60M2 — Аналог от STMicroelectronics.
• IRFB20N60K — Аналог от International Rectifier (Infineon).
• FQP20N60 — Аналог от Fairchild/ON Semiconductor.
• K20T60 (основная маркировка на корпусе).
• Полное обозначение в каталогах может выглядеть как IKW20T60 или просто K20T60.

Совместимые модели (Аналоги для замены):

При замене обязательно сверяйте ключевые параметры: V_DSS (не менее 600В), I_D (не менее 20А), R_DS(on) и корпус (TO-220). Следующие модели часто являются подходящими аналогами:

От Infineon:

• SPP20N60S5
• IPP20N60S5
• IRFB20N60K (более современный, часто с лучшими параметрами)
• IRFB20N60KPBF

От STMicroelectronics:

• STP20N60M2
• STW20N60M2 (в корпусе TO-247)
• STP20NM60FD (более современный MOSFET с еще меньшим Rds(on))

От ON Semiconductor / Fairchild:

• FCP20N60
• FCP20N60F
• FQA20N60 (также очень популярный и надежный аналог)

От других производителей:

• HGTG20N60A4D (от Renesas/Intersil)
• IXFH20N60P (от IXYS)

Рекомендации по использованию и замене

1. Проверка при ремонте: K20T60 часто выходит из строя в импульсных блоках питания (например, в сварочных инверторах, источниках для станков). При замене проверяйте всю обвязку: драйверы, снабберные цепи, диоды.
2. Теплоотвод: Обязательно используйте термопасту и радиатор достаточной площади. Крепление через изолирующую прокладку увеличивает тепловое сопротивление.
3. Драйвер: Убедитесь, что схема управления обеспечивает достаточный ток для быстрой зарядки/разрядки затвора (Q_g ~75 нКл), чтобы избежать перегрева в переходных режимах.
4. Выбор аналога: Если есть возможность, лучше выбрать более современный аналог (например, IRFB20N60K или STP20NM60FD), так как они часто имеют более низкое R_DS(on) и улучшенные динамические характеристики, что снижает нагрев и повышает общую надежность системы.

Итог: Infineon K20T60 — проверенный временем, мощный и надежный транзистор для высоковольтных применений. Имеет множество прямых и улучшенных аналогов на рынке, что делает его замену несложной задачей.