Infineon IRLR024

Конечно, вот подробное описание транзистора Infineon IRLR024N.

Описание

Infineon IRLR024N — это N-канальный MOSFET транзистор, выполненный по передовой HEXFET® технологии. Он предназначен для управления нагрузками с помощью сигналов низкого напряжения, что делает его идеальным для широкого спектра применений, особенно в современной цифровой электронике.

Ключевые особенности и преимущества:

• Низкое пороговое напряжение (V_GS(th)): Позволяет легко управлять транзистором напряжением от 2.5 В, что делает его совместимым с большинством микроконтроллеров (таких как Arduino, STM32, ESP32 и др.) без необходимости использования дополнительных драйверов для средних токов.
• Низкое сопротивление открытого канала (R_DS(on)): Очень низкое сопротивление в открытом состоянии (0.065 Ом при 4.5 В) минимизирует потери мощности и нагрев при коммутации больших токов.
• Высокая скорость переключения: Благодаря технологии HEXFET, транзистор может очень быстро включаться и выключаться, что делает его пригодным для импульсных источников питания (SMPS), DC-DC преобразователей и ШИМ (PWM) регулирования.
• Полное сопротивление по постоянному току: Устройство оптимизировано для работы в ключевом режиме (как переключатель), а не для работы в линейном режиме (как усилитель).
• Высокая эффективность: Низкие потери на проводимость и переключение обеспечивают высокий КПД систем.
• Улучшенная устойчивость к лавинному пробою: Технология обеспечивает высокую надежность и стойкость к перенапряжениям в индуктивных цепях.

Основные области применения:

• Управление моторами постоянного тока (DC Motor Control)
• Импульсные источники питания (SMPS)
• DC-DC преобразователи
• Системы управления батареями (BMS)
• ШИМ (PWM) регуляторы яркости и скорости
• Логические схемы с высокой нагрузкой
• Автомобильная электроника (в частности, бортовые системы управления)

Технические характеристики (основные параметры при T_j = 25°C)

| Параметр | Значение | Единица измерения | Примечание | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Структура | N-канальный, MOSFET | - | Enhancement Mode | | Сток-Исток макс. напряжение
(V_DSS) | 55 | В | | | Максимальный непрерывный ток стока
(I_D) | 17 | А | При T_C = 25°C | | Сопротивление откр. канала
(R_DS(on)) | 0.065 | Ом | V_GS = 4.5 В, I_D = 8.2 А | | | 0.055 | Ом | V_GS = 10 В, I_D = 8.2 А | | Пороговое напряжение затвора
(V_GS(th)) | 1.0 - 2.0 | В | I_D = 250 мкА | | Максимальное напряжение затвор-исток
(V_GSS) | ±20 | В | | | Общий заряд затвора
(Q_g) | ~14 | нКл | V_GS = 10 В | | Корпус | TO-252 (DPAK) | - | Пакет для поверхностного монтажа (SMD) |

Парт-номера и совместимые модели

Поскольку IRLR024N — очень популярная и удачная модель, у неё существует множество прямых аналогов и совместимых замен от других производителей.

Прямые аналоги (с максимальным совпадением характеристик)

• International Rectifier (IR, теперь часть Infineon):

  • IRLR024N (оригинальный номер от IR, идентичен Infineon IRLR024N)

• Vishay Siliconix:

  • SQJ456EP-T1_GE3 (очень близкий аналог)
  • SiR456DP-T1-E3

• ON Semiconductor:

  • NTMFS4927N (более современный, с лучшими параметрами)
  • FDB3632 (также хороший аналог)

• STMicroelectronics:

  • STL320N4F7 (очень мощный аналог)
  • STP55NF06L (55V, 50A, но также с низким V_GS(th))

Совместимые / Похожие модели для замены (из популярных серий)

При поиске замены важно обращать внимание на три ключевых параметра: Напряжение V_DSS, Ток I_D и Сопротивление R_DS(on). Следующие модели находятся в том же классе и часто взаимозаменяемы в типичных применениях:

• IRLZ24N / IRLZ24NPBF — аналог в корпусе TO-220 (для сквозного монтажа).
• IRLB8721 — более современный, с еще более низким R_DS(on).
• AOD4184 — от Alpha & Omega Semiconductor.
• RF1S2404S — от ROHM Semiconductor.

Важное примечание по замене: Всегда сверяйтесь с даташитом (datasheet) конкретного аналога перед заменой, особенно обращая внимание на распиновку выводов (Pinout), так как даже в одном корпусе (TO-252) она может отличаться у разных производителей. Также учитывайте, что более современные аналоги могут иметь лучшие характеристики.