Infineon IRL40B215

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики и информация о совместимости для силового MOSFET транзистора Infineon IRL40B215.

Описание

Infineon IRL40B215 — это N-канальный силовой MOSFET транзистор, выполненный по передовой технологии OptiMOS™ 5. Это представитель линейки StrongIRFET™, которая характеризуется исключительно низким значением сопротивления открытого канала (RDS(on)) при рабочем напряжении 40 В.

Ключевая особенность этой модели — рекордно низкое сопротивление RDS(on) всего 0,92 мОм при напряжении затвор-исток 10 В. Это делает его идеальным выбором для приложений, где критически важны минимизация потерь мощности и повышение энергоэффективности. Транзистор предназначен для коммутации больших токов в таких устройствах, как:

• Системы управления электродвигателями (например, в электромобилях, дронах, промышленных приводах).
• Высокоэффективные импульсные источники питания (SMPS) и преобразователи DC-DC.
• Схемы синхронного выпрямления.
• Силовые распределительные системы и защитные цепи (e-fuse).
• Солнечные инверторы и системы накопления энергии (ESS).

Корпус TO-220 обеспечивает хороший баланс между способностью рассеивать тепло и удобством монтажа.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | Условия / Примечания | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-канальный MOSFET, Enhancement Mode | | | Технология | OptiMOS™ 5 / StrongIRFET™ | | | Корпус | TO-220 | Пластиковый, сквозной монтаж. | | Сток-исток напряжение (VDSS) | 40 В | Максимальное напряжение, которое может выдержать закрытый транзистор. | | Постоянный ток стока (ID) | 195 А | При температуре корпуса 25°C. | | Импульсный ток стока (IDM) | 780 А | | | Сопротивление открытого канала (RDS(on)) | 0,92 мОм (макс.) | Ключевой параметр. При VGS = 10 В, ID = 100 А. | | | 1,1 мОм (макс.) | При VGS = 4,5 В, ID = 100 А. | | Пороговое напряжение затвора (VGS(th)) | 2.0 - 4.0 В | Тип. 2.8 В. | | Максимальное напряжение затвор-исток (±VGS) | ±20 В | Важно не превышать! | | Общий заряд затвора (Qg) | 158 нКл (тип.) | При VGS = 10 В. Низкое значение упрощает управление. | | Максимальная рассеиваемая мощность (PD) | 333 Вт | При температуре корпуса 25°C. На практике ограничивается теплоотводом. | | Диод "сток-исток" | Встроенный обратный диод (Body Diode) | | | Температура хранения/перехода | от -55 до +175 °C | Макс. температура перехода 175°C. |

Парт-номера (Part Numbers) и аналоги

Обычно один и тот же кристалл от Infineon поставляется в разных корпусах. Для IRL40B215 основным парт-номером в корпусе TO-220 является именно IRL40B215. Однако, стоит обратить внимание на полное написание в спецификации или на упаковке.

Совместимые/альтернативные модели от Infineon (в других корпусах):

Эти модели имеют идентичные или предельно близкие электрические параметры (40В, ~0.92 мОм), но разную конструкцию для различных задач охлаждения и монтажа.

• IPLU40B215 - в корпусе TO-220 FullPAK (полностью пластиковый, без металлической площадки), для улучшенной изоляции.
• IPT40B215 - в корпусе D²PAK (TO-263). Предназначен для поверхностного монтажа (SMD) с высокой мощностью рассеивания.
• IPT40B215 также может маркироваться как IPT040N06S5-15 в более новой системе обозначений Infineon (где 040 = 40В, N06 = OptiMOS6, но в данном случае это OptiMOS5, S5 = поколение, 15 = RDS(on) в мОм*10).

Прямые аналоги и конкуренты от других производителей:

При поиске замены необходимо сверять VDSS, RDS(on) (при том же VGS), Qg, корпус и динамические характеристики.

• Nexperia PSMN1R0-40YLD: 40 В, 1.0 мОм, 195 А, TO-220.
• Vishay (Siliconix) SQD40B20-15L: 40 В, 1.1 мОм, 200 А, TO-220.
• ON Semiconductor NTMFS5C410N: 40 В, 0,8 мОм, 100 А (в меньшем корпусе D²PAK 5x6). Мощный аналог, но в другом форм-факторе.
• STMicroelectronics STL320N4LF6: 40 В, 0,85 мОм, 320 А (в корпусе H²PAK-2). Более мощный, для профессиональных решений.

Важные замечания при замене:

1. Управление: Благодаря низкому порогу VGS(th) и умеренному заряду Qg, транзистором легко управлять, но для полного открытия и минимальных потерь рекомендуется драйвер с напряжением 10-12 В.
2. Тепловой режим: При токах в десятки и сотни ампер даже 1 мОм приводит к выделению значительной мощности (P = I² * RDS(on)). Обязательно использование эффективного радиатора. Падение напряжения на открытом транзисторе будет около 0,1 В при 100 А.
3. Паразитная индуктивность: В силовых цепях с высокой скоростью переключения (dc-dc преобразователи) необходимо минимизировать индуктивность монтажа для предотвращения выбросов напряжения.

Вывод: Infineon IRL40B215 — это высокоэффективный, мощный MOSFET, являющийся отраслевым стандартом для приложений, требующих минимальных потерь проводимости при напряжении до 40В. Его прямые аналоги существуют у всех крупных производителей, что позволяет выбрать оптимальный вариант по цене и наличию.