Infineon IRL40B212

Артикул: 564398

Требуется установка или ремонт?

тел. +7(499)347-04-82

Описание

Описание Infineon IRL40B212

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики и информация о совместимости для транзистора Infineon IRL40B212.

Описание

IRL40B212 — это N-канальный MOSFET транзистор в корпусе TO-220, использующий передовую HEXFET® технологию от Infineon. Ключевые особенности, делающие его популярным в силовой электронике:

Высокая эффективность: Благодаря низкому сопротивлению в открытом состоянии (Rds(on)) и быстрому переключению, он минимизирует потери мощности и нагрев.
Рассчитан на логический уровень управления (Logic Level): Полностью открывается при напряжении на затворе (Vgs) всего 5В, что позволяет управлять им напрямую от микроконтроллеров (Arduino, STM32, ESP и др.) без использования драйверов.
Высокое напряжение сток-исток: Позволяет работать в цепях до 200В, что подходит для многих сетевых (после выпрямления) и высоковольтных низкочастотных применений.
Большой непрерывный ток: Способен коммутировать ток до 40А, что делает его пригодным для управления мощными нагрузками: двигателями, нагревателями, источниками питания.
Корпус TO-220: Удобен для монтажа на теплоотвод, обладает хорошим соотношением мощности и размера.

Основные области применения:

Импульсные источники питания (SMPS)
Управление двигателями постоянного тока (DC motor control)
Преобразователи постоянного тока (DC-DC Converters)
Силовые ключи в инверторах и контроллерах
Управление мощными светодиодными лентами
Солнечные инверторы

Технические характеристики (Key Parameters)

| Параметр | Обозначение | Значение | Условия (Conditions) | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Напряжение "Сток-Исток" | V_DSS | 200 В | - | | Непрерывный ток стока | I_D | 40 А | При T_c = 25°C | | Сопротивление "Сток-Исток" в откр. сост. | R_DS(on) | ~28 мОм | V_GS = 10 В, I_D = 20 А | | | | ~40 мОм | V_GS = 5 В, I_D = 20 А | | Пороговое напряжение затвора | V_GS(th) | 1.0 - 2.0 В | Тип. 1.5 В | | Макс. напряжение "Затвор-Исток" | V_GSS | ±20 В | - | | Общий заряд затвора | Q_g | ~68 нКл | V_GS = 10 В | | Время включения / выключения | t_d(on) / t_d(off) | ~16 нс / ~60 нс | - | | Макс. рассеиваемая мощность | P_D | 200 Вт | При T_c = 25°C (с радиатором) | | Диод "Сток-Исток" (Body Diode) | - | Встроенный | Прямой ток I_SD до 40 А | | Температура перехода | T_J | -55 до +175 °C | - | | Корпус | - | TO-220 | Изолированный или нет (уточняйте в даташите) |

Прямые аналоги и парт-номера (Direct Replacements / Cross-Reference)

Эти транзисторы имеют практически идентичные или очень близкие ключевые параметры (200В, 40А, логический уровень) и распиновку, что позволяет использовать их как прямую замену в большинстве схем.

1. Прямые аналоги от Infineon (тот же производитель):

IRL40B212PBF (стандартная версия в TO-220, не изолированный)
IRL40B212TRPBF (версия в бобине/ленте для автоматического монтажа)
IRL40B212-1 (может быть незначительная ревизия)

2. Совместимые модели от других производителей:

International Rectifier (IR, ныне часть Infineon): IRF7416 (очень близкий аналог, 150В, 46А, Logic Level).
STMicroelectronics: STP40NF10 (100В, 40А, Logic Level) — обратите внимание на меньшее напряжение.
Vishay (Siliconix): SUP40N10-18 (100В, 40А) — также меньшее напряжение.
Fairchild (ON Semiconductor): FDP047N10 (100В, 47А) — меньшее напряжение.
ON Semiconductor: NTD40N10 (100В, 40А, Logic Level).

Важное примечание по аналогам: Многие транзисторы с похожим током (40А) рассчитаны на 100В, а не на 200В. Перед заменой IRL40B212 на аналог обязательно проверьте максимальное напряжение V_DSS в даташите аналога, чтобы убедиться, что оно соответствует или превышает требованиям вашей схемы. IRL40B212 с его 200В является более универсальным в этом плане.