Infineon IRL1404ZPBF

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые аналоги мощного N-канального MOSFET транзистора Infineon IRL1404ZPBF.

Общее описание

IRL1404ZPBF — это N-канальный MOSFET в корпусе TO-220, использующий передовую технологию HEXFET от Infineon. Ключевой особенностью данной модели является очень низкое сопротивление открытого канала (Rds(on)) при низком напряжении затвора, что делает её идеальной для применения в системах с питанием от логических уровней (Logic Level Gate Drive), таких как микроконтроллеры (Arduino, Raspberry Pi, STM32 и др.) без необходимости использования драйверов.

Он предназначен для коммутации высоких токов и используется в качестве электронного ключа в DC-цепях.

Основные области применения

• Управление мощными двигателями постоянного тока (робототехника, электромобили, силовые агрегаты).
• Силовые ключи в импульсных источниках питания (DC-DC преобразователи).
• Соленоиды и реле.
• Системы управления батареями (BMS).
• Инверторы и контроллеры.

Технические характеристики (Key Specifications)

| Параметр | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-канальный MOSFET (Logic Level) | | | Корпус | TO-220 | Классический силовой корпус с отверстием для крепления радиатора. | | Схема выводов | 1 - Затвор (Gate), 2 - Сток (Drain), 3 - Исток (Source)** | Стандартная для TO-220. | | Макс. напряжение "Сток-Исток" (Vds) | 40 В | Определяет максимальное напряжение в коммутируемой цепи. | | Макс. непрерывный ток стока (Id) при 25°C | 162 А | При идеальных условиях охлаждения (на радиаторе). | | Макс. импульсный ток стока (Idm) | 650 А | Кратковременная перегрузка. | | Сопротивление открытого канала (Rds(on)) | 4.0 мОм (макс.) | При Vgs = 10 В, Id = 81 А. | | | 5.3 мОм (макс.) | При Vgs = 4.5 В, Id = 63 А. Ключевой параметр для логических уровней. | | Пороговое напряжение затвора (Vgs(th)) | 1.0 - 2.0 В | Минимальное напряжение для начала открытия. | | Макс. напряжение "Затвор-Исток" (Vgs) | ±20 В | Превышение ведет к необратимому повреждению. | | Общая рассеиваемая мощность (Pd) | 200 Вт | При температуре корпуса 25°C. | | Температура перехода (Tj) | -55 до +175 °C | Максимальная рабочая температура кристалла. |

Парт-номера и аналоги (Alternatives & Cross-Reference)

1. Прямые аналоги от Infineon и IR (тот же кристалл/техпроцесс)

Эти модели имеют идентичные или крайне близкие электрические характеристики и могут быть прямой заменой.

• IRL1404ZPBF (основной номер, буква Z означает "Pb-free" - без свинца).
• IRL1404Z (сокращенное обозначение).
• IRL1404PBF (более старая версия, может содержать свинец в покрытии выводов).

2. Совместимые аналоги от других производителей (Close Replacements)

Эти транзисторы имеют схожие ключевые параметры (Logic Level, низкое Rds(on), ток и напряжение) и подходят для большинства применений. Всегда сверяйтесь с даташитом перед заменой!

| Производитель | Парт-номер | Примечание (чем схож/отличается) | | :--- | :--- | :--- | | Vishay/Siliconix | SUP70030E | Очень популярный аналог, часто используется в Arduino-проектах. Vds = 40V, Rds(on) ~ 3.5 мОм. | | STMicroelectronics | STP140N4F6 | Более современный аналог, Vds = 40V, Rds(on) ~ 4.0 мОм. | | ON Semiconductor | NTMFS4C10N | В корпусе D2PAK (TO-263), Vds = 40V, Rds(on) ~ 3.8 мОм. | | Texas Instruments | CSD17573Q2 | В компактном корпусе SON, Vds = 40V, Rds(on) ~ 2.3 мОм. | | Nexperia | PSMN4R0-40YS | В корпусе D2PAK (TO-263), Vds = 40V, Rds(on) ~ 4.0 мОм. |

3. Аналоги с более высоким напряжением (если требуется запас по Vds)

• IRL2203N / IRL3803 (Vds = 30V, но выше ток).
• IRF3205 (Vds = 55V, Id = 110A, НО НЕ Logic Level! Требует Vgs ~10В для полного открытия).
• IRL40B209 / IRLB4132 (Vds = 40V/30V, Logic Level).

Важные замечания по применению

1. Радиатор: При токах более 5-10 А обязательно требуется радиатор. Корпус TO-220 без радиатора может рассеять только ~2 Вт.
2. Затвор: Чувствительный вывод. Для подавления колебаний и предотвращения ложных срабатываний рекомендуется использовать резистор на затворе (10-100 Ом) и стабилитрон на 12-15В между затвором и истоком для защиты от выбросов.
3. Диод: Встроенный паразитный (защитный) диод (Body Diode) есть, но он медленный. Для коммутации индуктивных нагрузок (моторы) часто требуется внешний быстрый диод (например, диод Шоттки), включенный встречно-параллельно.
4. Падение напряжения: Из-за очень низкого Rds(on) падение напряжения на открытом транзисторе минимально (например, при 20А: V = 20А * 0.004 Ом = 0.08В), что снижает потери мощности и нагрев.

Вывод: IRL1404ZPBF — это отличный, проверенный временем мощный Logic-Level MOSFET, идеально подходящий для управления высокими токами от сигналов микроконтроллера. При его замене аналогами обращайте внимание на три ключевых параметра: Vds (напряжение), Id (ток) и самое главное — Rds(on) при Vgs=4.5-5В (для Logic Level совместимости).