Infineon IRG4PF50WPBF
тел. +7(499)347-04-82
Описание Infineon IRG4PF50WPBF
Конечно. Вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые модели для силового IGBT-транзистора Infineon IRG4PF50WPBF.
Описание
Infineon IRG4PF50WPBF — это дискретный IGBT-транзистор, предназначенный для использования в мощных импульсных схемах, таких как инверторы, сварочные аппараты, приводы двигателей и системы индукционного нагрева.
Ключевые особенности и преимущества:
- Высокое напряжение: Рассчитан на работу в цепях с напряжением до 900 В, что делает его подходящим для сетевых приложений (например, для работы от шины постоянного тока 600 В).
- Низкое падение напряжения в насыщении (Vce(sat)): Благодаря технологии TrenchStop, транзистор обладает низкими прямыми потерями, что повышает общий КПД системы и снижает тепловыделение.
- Высокая стойкость к перенапряжениям: Имеет большой запас по напряжению, что повышает надежность работы в условиях скачков напряжения и коммутационных выбросов.
- Прямая совместимость с драйверами MOSFET: Упрощает проектирование схемы управления, так как для управления им можно использовать стандартные драйверы MOSFET.
- Быстрое переключение: Позволяет работать на повышенных частотах, что способствует уменьшению габаритов пассивных компонентов (дросселей, трансформаторов).
- Планарная технология: Обеспечивает высокую стойкость к короткому замыканию (до 10 мкс), что критически важно для силовой электроники.
- Изолированный корпус TO-247: Позволяет монтировать транзистор на общий радиатор без использования изолирующих прокладок, что улучшает тепловой режим.
Основные технические характеристики (ТХ)
| Параметр | Значение | Условия / Примечание |
| :--- | :--- | :--- |
| Напряжение коллектор-эмиттер
(VCES) | 900 В | Максимальное рабочее напряжение |
| Ток коллектора (IC) | 39 А | При Tc = 25°C |
| Ток коллектора (IC) | 23 А | При Tc = 100°C |
| Пиковый ток коллектора (ICM) | 78 А | Максимальный импульсный ток |
| Напряжение насыщения
(VCE(sat)) | 2,6 В (тип.) | IC = 23 А, VGE = 15 В |
| Пороговое напряжение затвора
(VGE(th)) | 4,0 - 6,0 В | IC = 25 мА, VCE = VGE |
| Энергия включения (Eon) | 3,3 мДж (тип.) | IC = 23 А, VCC = 480 В |
| Энергия выключения (Eoff) | 1,5 мДж (тип.) | IC = 23 А, VCC = 480 В |
| Время включения (ton) | 36 нс (тип.) | |
| Время выключения (toff) | 310 нс (тип.) | |
| Сопротивление затвор-эмиттер (RG) | 2.5 Ом (тип.) | Внутреннее |
| Тепловое сопротивление переход-корпус
(RthJC) | 0,7 °C/Вт | |
| Диапазон температуры перехода
(Tj) | от -55 до +150 °C | |
| Корпус | TO-247 | Планарный (изолированный) |
Парт-номера и совместимые модели
При поиске аналога или замены для IRG4PF50WPBF важно учитывать не только электрические параметры, но и корпус, а также внутреннюю структуру (например, наличие обратного диода).
Прямые аналоги и парт-номера
Это модели, которые являются полными функциональными и конструктивными аналогами, часто с тем же самым кристаллом.
- IRG4PF50W (версия без "PBF", где PBF означает "Lead-Free" - бессвинцовый)
- IRG4PF50WPBF (оригинальный номер для заказа)
Кросc-референс (прямые замены от других производителей)
Следующие модели имеют схожие ключевые параметры (напряжение 900-1200В, ток ~40А, корпус TO-247) и часто могут использоваться как прямая замена в схемах, но всегда требуется проверка даташита и паспортных параметров для конкретного применения.
- STMicroelectronics: STGW40H125DF (1200В, 40А, с диодом)
- Fuji Electric: 2MBI50U2A-060 (модуль, но для похожих применений)
- ON Semiconductor (Fairchild): HGTG40N60B3 (600В, но популярный в схожем классе)
- IXYS (Littelfuse): IXGH40N60B3 (600В, 40А)
Совместимые / Похожие модели из семейства Infineon
Это модели от того же производителя (Infineon) с очень похожими характеристиками, которые могут использоваться в аналогичных схемах или быть заменой при модернизации/ремонте.
- IRG4PC40WPBF (600В, 42А, TO-247AC) — для менее требовательных по напряжению схем.
- IRG4PH50UPBF (1200В, 45А, TO-247) — для схем с более высоким напряжением.
- IRG4BC30KPBF (600В, 23А, TO-220) — меньшая мощность, другой корпус.
Важное примечание: Перед заменой компонента в существующей схеме или выбором аналога для нового проекта обязательно сверяйтесь с официальными даташитами (technical datasheets) обоих компонентов. Особое внимание уделяйте:
- Распиновке корпуса.
- Наличию и параметрам встроенного обратного диода.
- Емкостным характеристикам затвора.
- Зависимостям параметров от температуры.