Infineon IRG4BC30FD1PBF

Infineon IRG4BC30FD1PBF
Артикул: 564335

Требуется установка или ремонт?

сервисный центр Kypidetali!

тел. +7(499)347-04-82

Описание Infineon IRG4BC30FD1PBF

Конечно, вот подробное описание транзистора Infineon IRG4BC30FD1PBF, его технические характеристики, парт-номера и совместимые модели.

Описание

Infineon IRG4BC30FD1PBF — это IGBT-транзистор (биполярный транзистор с изолированным затвором) в популярном корпусе TO-220. Он принадлежит к серии IRGB4, которая известна своей надежностью и оптимизирована для работы в ключевом режиме на средних и высоких частотах.

Ключевые особенности и применение:

  • Технология TrenchStop: Использует передовую технологию от Infineon, которая обеспечивает низкое напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Vce(sat)) и высокую стойкость к перенапряжениям. Это приводит к снижению прямых потерь и улучшенной эффективности.
  • Сверхбыстрый диод: Встроенный ультрабыстрый обратный диод (FRD) обеспечивает безопасное обратное восстановление, что критично для индуктивных нагрузок и снижает коммутационные потери.
  • Высокая стойкость к короткому замыканию: Транзистор обладает определенной стойкостью к режиму короткого замыкания, что повышает надежность системы.
  • Основные области применения:
    • Инверторы и частотные преобразователи
    • Системы управления двигателями
    • Источники сварочного тока
    • Индукционные нагреватели
    • Импульсные источники питания (SMPS)

Этот компонент является отличным выбором для мощных импульсных схем, где важны низкие потери и надежная коммутация.


Технические характеристики

| Параметр | Значение | Единица измерения | Примечание | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Коллектор-Эмиттер Напряжение | VCES = 600 | В | | | Максимальный ток коллектора (при T=80°C) | IC = 14 | А | | | Пиковый ток коллектора | ICM = 28 | А | | | Напряжение насыщения Коллектор-Эмиттер | VCE(sat) = 2.4 | В | Тип. при IC=14A, VGE=15V | | Пороговое напряжение затвора | VGE(th) = 4.0 | В | Тип. при VCE=VGE, IC=1.5mA | | Сопротивление термическое переход-корпус | RthJC = 1.4 | °C/Вт | | | Максимальная температура перехода | Tj = 150 | °C | | | Энергия включения | Eon = 0.65 | мДж | Тип. при IC=14A, VCE=400V | | Энергия выключения | Eoff = 0.28 | мДж | Тип. при IC=14A, VCE=400V | | Заряд затвора | Qg = 45 | нКл | Тип. | | Время обратного восстановления диода | trr = 110 | нс | Тип. | | Корпус | TO-220 | | Без изолирующей прокладки |


Парт-номера (Part Numbers) и Аналоги

При поиске аналога или замены важно проверять не только электрические параметры, но и распиновку, а также конструкцию корпуса.

Прямые аналоги и парт-номера от других производителей

Эти модели имеют схожие характеристики и часто являются прямой или почти прямой заменой.

  • STMicroelectronics: STGW40H60DF (очень близкий аналог)
  • Fuji Electric: 2MBI200U2A-060 (в модуле, но по параметрам)
  • ON Semiconductor: HGTG20N60B3 (требует проверки по Vce(sat) и заряду затвора)

Совместимые и похожие модели (включая замены от Infineon)

Это модели из той же серии или с очень близкими параметрами, которые можно рассматривать как замену.

  • IRG4BC30FD (более старая версия без суффикса "PBF", PBF означает "Lead-Free" - не содержит свинца)
  • IRG4BC30U (более старая версия)
  • IRG4BC30W (в корпусе TO-247, более мощный)
  • IRG4BC30K (более старая версия)
  • IRG4PC30UD (Аналог в корпусе TO-247)

Важное примечание по замене:

  • IRG4BC30KD / IRG4BC30UD / IRG4BC30SD — это более ранние поколения от International Rectifier (который был поглощен Infineon). Они, как правило, взаимозаменяемы, но модель IRG4BC30FD является более новой и эффективной. Перед заменой всегда рекомендуется сверяться с даташитами, особенно по таким параметрам, как заряд затвора (Qg) и внутренняя емкость, которые могут повлиять на драйвер затвора.

Для новых проектов Infineon может рекомендовать более современные серии, но IRG4BC30FD1PBF остается популярным и широко доступным компонентом.

Товары из этой же категории