Infineon IRFB7730PBF

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые аналоги мощного MOSFET транзистора Infineon IRFB7730PBF.

Описание

IRFB7730PBF — это N-канальный силовой MOSFET транзистор, выполненный по передовой технологии Infineon OptiMOS™. Это устройство предназначено для приложений, требующих чрезвычайно низкого сопротивления открытого канала (Rds(on)) и высокой эффективности, особенно в условиях ограниченного пространства и требований к теплоотводу.

Ключевая особенность — рекордно низкое сопротивление в корпусе TO-220, что делает его идеальным выбором для:

• Силовых преобразователей: Высокоточные DC-DC преобразователи, синхронное выпрямение в источниках питания.
• Управления двигателями: Моторные драйверы в электромобилях, складской технике, промышленных приводах.
• Силовых ключей: В инверторах, сварочном оборудовании, импульсных блоках питания (SMPS).

Транзистор обладает высокой стоковой нагрузочной способностью, быстрым переключением и предназначен для работы на частотах до нескольких сотен кГц.

Основные технические характеристики (ТХ)

| Параметр | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-канальный, MOSFET | Enhancement Mode (нормально закрытый) | | Корпус | TO-220 | Крепление на радиатор | | Сток-Исток напряжение (Vds) | 300 В | Максимальное постоянное напряжение | | Стоковый ток (Id) при 25°C | 210 А | Постоянный ток (при идеальном охлаждении) | | Стоковый ток (Id) при 100°C | 140 А | С учетом нагрева | | Импульсный ток (Ipm) | 840 А | Максимальный кратковременный импульсный ток | | Сопротивление открытого канала (Rds(on)) | 1.7 мОм (макс.) | При Vgs=10 В, Id=60 А (ключевой параметр) | | Пороговое напряжение затвора (Vgs(th)) | 2.0 - 4.0 В | Тип. 3.0 В | | Напряжение затвор-исток (Vgs) | ±20 В | Максимальное (не превышать!) | | Полный заряд затвора (Qg) | ~ 210 нКл | Влияет на требования к драйверу | | Рассеиваемая мощность (Pd) | 480 Вт | При Tc=25°C (с радиатором) | | Температура перехода (Tj) | -55 ... +175 °C | Максимальная рабочая +175°C | | Диод обратного восстановления (Qrr) | Низкий | Встроенный body-диод с хорошей скоростью |

Парт-номера и совместимые модели (Аналоги)

При поиске замены или аналога важно учитывать не только основные параметры (Vds, Id, Rds(on)), но и динамические характеристики (Qg, Qrr), а также расположение выводов (pinout).

Прямые аналоги и парт-номера:

• IRFB7730PBF — основной номер для заказа.
• IRFB7730 — базовая часть номера без указания упаковки (Tape & Reel).
• IRFB7730-7P — возможный вариант в другой упаковке или с незначительными производственными отличиями.

Ближайшие аналоги от Infineon (в том же поколении OptiMOS):

• IRFB7430PBF — Более слабый аналог: 300В, 130А, 3.0 мОм. Подходит, если требуется меньший ток.
• IRFB7434PBF — Более слабый аналог: 300В, 113А, 4.5 мОм.
• IRFB7530PBF — Более слабый аналог: 300В, 110А, 6.0 мОм.

Совместимые аналоги от других производителей (требует проверки даташита и распиновки):

Для замены часто ищут транзисторы с близкими Vds=300В и Rds(on) ~ 1.5-2.5 мОм.

• STMicroelectronics:
  • STH315N30F7-AG — 300В, 118А, 2.1 мОм. Очень близкий конкурент.
  • STW75N30DM2 — 300В, 75А, 2.8 мОм (в корпусе TO-247).
• ON Semiconductor / Fairchild:
  • FDPF51N25T — 250В, 51А, 1.9 мОм (напряжение ниже — внимание!).
  • FDPF44N30T — 300В, 44А, 3.6 мОм.
• Vishay Siliconix:
  • SUD50N06-26 — 60В, 50А, 2.6 мОм (напряжение значительно ниже — не подходит для высоковольтных схем!).
• IXYS (Littelfuse):
  • IXFH210N30T — 300В, 210А, 1.8 мОм — практически полный функциональный аналог в корпусе TO-247.

Важные замечания при замене:

1. Всегда сверяйте распиновку (pinout) корпуса TO-220 (G-D-S), она может отличаться у разных производителей.
2. Внимание на динамические параметры: Заряд затвора (Qg) влияет на подбор драйвера. Разный Qrr может изменить потери при переключении.
3. Проверьте характеристики встроенного диода, если он используется в схеме (например, в мостовых схемах).
4. Корпус TO-247 (у некоторых аналогов) имеет лучший тепловой режим, но может отличаться посадочным местом на плате.

Рекомендация: Для критичных по надежности применений лучшей заменой являются аналоги внутри линейки Infineon OptiMOS того же или более нового поколения, либо тщательно подобранные аналоги от STMicroelectronics или IXYS. Перед заменой обязательно изучайте полный даташит.